半导体周报0303-汽车半导体（二）

半导体周报-0303

一、行业新闻及动态

1、半导体设计：

《科创板日报》24日讯，三星正向2纳米工艺大步迈进，已讨论为高通和三星的LSI部门生产原型产品，一款未命名的Exynos可能正处于早期测试阶段。高通公司有可能正在评估2纳米SF2 GAAFET工艺，以用于骁龙8 Gen 5芯片组。三星LSI则可能正在开发2纳米Exynos 2600系统芯片设计。

 

2、半导体制造及封测：

财联社2月22日电，英特尔成功吸引了微软作为芯片代工业务客户，标志着该公司在扭亏方面取得的一个关键胜利 。微软和英特尔在周三的一个活动上表示，微软计划使用英特尔的18A制造技术生产自研芯片。它们没有透露具体是什么产品，但微软最近宣布两款自研芯片计划，一种是计算机处理器，一种是人工智能加速器。英特尔一直寻求证明自己在晶圆代工市场上的竞争实力。代工芯片业务对于这家半导体先驱来说是一个重大转型。近期，英特尔正在努力追赶台积电等业内领军企业。与此同时，微软也在寻求确保稳定的半导体供应，从而为自身的数据中心运营提供动力，特别是在人工智能需求增长的情况下。自研芯片还能让微软根据自己的具体需求对产品进行微调。

 

《科创板日报》23日讯，美国芯片制造商亚德诺半导体（ADI）宣布，已与台积电达成特别安排，将由台积电位于日本熊本县的晶圆制造子公司JASM，提供ADI长期晶圆产能供应。

 

《科创板日报》22日讯，半导体封测厂商日月光今日宣布，将投资约21亿元新台币（约合4.8亿元人民币）收购英飞凌位于菲律宾和韩国的两座后段封测厂，最快今年Q2末完成交易。日月光此前表示，今年资本支出规模有望同比大增40%~50%，其中65%用于封装，特别是先进封装项目

 

《科创板日报》20日讯，半导体供应链表示，台积电不仅现有制程产能利用率全面回升外，2纳米进度亦优于预期，首季除了8寸产能利用率缓步回升外，台积电的12寸产利用率更是到八成以上，尤其是5/4纳米制程维持满载。而代工价近2万美元的3纳米由2023年底75%一举拉升至95%，首季月产能已提前达到10万片。据供应链透露，台积电2纳米进展相当顺利，宝山P1厂将于2024年第四季就会开始试产，2025年第二季进入量产，首家采用客户仍为苹果，包括英特尔、联发科、高通、超微等众多客户也已展开合作。

 

《科创板日报》22日讯，近日在国际固态电路大会（ISSCC 2024）上，台积电正式公布了其用于高性能计算（HPC）、人工智能芯片的全新封装平台，该技术有望将芯片的晶体管数量从目前的1000亿提升到1万亿。台积电业务开发资深副总裁张晓强（Kevin Zhang）在演讲中表示，开发这项技术是为了提高人工智能芯片的性能。

 

《科创板日报》21日讯，三星电子正计划升级工艺，将非导电胶（NCF）更改为模塑底部填胶（MUF），从而实现更先进的封装工艺。NCF可在半导体之间形成一层耐用薄膜，从而防止芯片轻易弯曲。

 

《科创板日报》21日讯，三星电子表示，将扩大与软银集团旗下英国芯片设计公司Arm的合作，以增强其代工业务的竞争力。三星电子称，作为合作的一部分，其代工部门将与Arm合作，优化Arm下一代片上系统（SoC）或三星最新的Gate-All-Around（GAA）工艺技术的设计资产

 

3、其他：

财联社2月24日电，日本经济产业大臣斋藤健24日宣布，日本将向台积电熊本第二工厂提供至多7320亿日元补贴。当天早些时候，日本首相岸田文雄在台积电熊本第一工厂的开业典礼上发表视频讲话称，日本政府将继续实施半导体大规模生产等支持措施。日本政府还决定支持台积电第二家熊本工厂。此前，日本政府已经宣布了为台积电第一家熊本工厂的建设提供多至4760亿日元补贴的政策。

 

《科创板日报》23日讯，SK海力士副社长Kim Ki-tae日前表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因素依然存在，但今年内存半导体行业已开始呈现上升趋势。全球大型科技客户对产品的需求正在复苏，并且随着人工智能使用领域的扩大，包括配备自己的人工智能的设备，如个人电脑和智能手机，对DDR5、LPDDR5T以及HBM3E等产品的需求预计会增加。

 

二、本周话题——汽车半导体（二）

        汽车芯片种类较为庞杂，主要分四类：一是功能芯片，主要是指MCU（微控制器芯片）和存储器，其中MCU负责具体控制功能的实现，承担设备内多种数据的处理诊断和运算；二是主控芯片，在智能座舱、自动驾驶等关键控制器中承担核心处理运算任务的SoC，内部集成了CPU、GPU、NPU、ISP等一系列运算单元；三是功率半导体，主要是IGBTs和MOSFETs；四是传感器芯片，包括导航、CIS和雷达等。

车载芯片应用分布

资料来源：三星、平安证券研究所

        汽车芯片从应用环节可以分为 5 类：主控芯片、存储芯片、功率芯片、信号与接口芯片、传感器芯片等。2020 年主控芯片占比 23%，功率半导体占比 22%，传感器占比 13%，存储芯片占比 9%，其他占比 33%。

 

功率半导体：

        汽车半导体绝对值在增长，从分类中功率半导体价值量增加幅度最大。新能源汽车相比传统燃油车，新能源车中的功率半导体价值量提升幅度较大。按照传统燃油车半导体价值量 417 美元计算，功率半导体单车价值量达到 87.6 美元，按照 FHEV、PHEV、BEV单车半导体价值量 834 美元计算，功率半导体单车价值量达到 458.7 美元，价值量增加四倍多。

功率半导体占比大幅提升

资料来源：盖世汽车、Strategy Analytics，天风证券研究所

功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等。功率半导体大致可分为功率半导体分立器件（Power Discrete）(包括功率模块)和功率半导体集成电路（Power IC）两大类。

按照器件结构，现有的功率半导体分立器件可分二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等。IGBT 是由 MOSFET 和双极型晶体管复合而成的功率半导体分立器件，它的控制极为绝缘栅场效应晶体管，输出极为双极型功率晶体管，因而兼有两者速度和驱动能力的优点，克服了两者的缺点。

功率半导体是新能源汽车中使用最多的半导体器件之一。新能源车电池普遍使用高压电路，对电池输出的高电压进行电压变化的需求大幅上升，因此需要大量DC/AC逆变器、变压器、整流器等大量用到功率半导体。其中，IGBT下游应用中，30%来自于新能源汽车。

IGBT 应用于新能源的电压转换，例如：汽车动力系统、光伏逆变器等，IGBT 功率模块均是逆变器的核心功率器件，在电动车动力系统半导体价值量中占比 52%。IGBT 透过控制开关控制改变电压具备耐压的特性被各类下游市场广泛使用，此外由于 IGBT 工艺与设计难度高，海外企业凭借多年的积累占据较大的市场份额；国内厂商近年来通过积极投入研发成功在国内新能源汽车用 IGBT 模块市场中占取到了一定份额，但仍有很大的替代空间。

 

Sic功率器件：

        与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。据东芝半导，通过更改 2kVA 单相逆变器产品的开关元件（将 IGBT 替换为 SiC MOSFET），额定运行期间每个器件的损耗降低了约 41%。这主要归功于 SiC MOSFET 卓越的开关能力。

除了降低损耗外，采用 SiC MOSFET 还具有诸多优点。SiC MOSFET 在高温环境下具有优异的工作特性，与 IGBT 相比，可简化现有散热措施。此外，由于开关损耗非常低，系统可在比 IGBT 开关可支持频率更高的频率下运行。如能提高开关频率，就可以降低外围器件（线圈和电容器）的使用，从而节省空间和成本，并使产品具有更大的竞争优势。

电动汽车和充电桩等都需要大功率、高效率的电力电子器件，基于 SiC、GaN 的电子电力器件因其物理性能优异在相关市场备受青睐。第三代半导体有望成为绿色经济的中流砥柱，助力新能源汽车电能高效转换，推动能源绿色低碳发展。举例来看，到 2030 年，如果有 3500 万电动车使用 SiC，那么这一制造年生产出的新能源汽车总计在它们的使用期限中节约了的能源相当于节省 1.92 亿桶油/ 相当于节省 82 亿美元电力成本。

SiC 在新能源汽车领域带动市场规模

资料来源：WOLFSPEED 投资者交流日报告、天风证券研究所

SiC 与传统 Si 基产品价差持续缩小。1) 上游衬底产能持续释放，供货能力提升，材料端衬底价格下降，器件制造成本降低; 2) 量产技术趋于稳定，良品率提升，叠加产能持续扩张，拉动市场价格下降; 3) 产线规格由 4 英寸转向 6 英寸, 成本大幅下降。未来 SiC、GaN 综合成本优势显著，可通过大幅提高器件能效+减小器件体积使其综合成本优势大于传统硅基材料，看好第三代半导体随着价格降低迎来大发展。

        以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD 法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。SiC 器件的制造成本中，SiC 衬底成本占比 50%，SiC 外延的成本占比 25%。SiC 衬底成本较高的原因在于，目前主流商用的 PVT 法晶体存在生长速度慢、缺陷控制难度大，推高了SiC 的单片成本。

 

图形传感器芯片CMOS

        CMOS 图像传感器（CIS）是将光子转换为电子进行数字处理，把图像信号转换为数字信号的芯片，主要用于在数码相机、数码闭路电视摄像机和数码摄像机中的创建图像，是数码摄像头的关键部件。由于摄像头的功能包括拍照、摄像、图像识别、身份验证等，数码产品对 CMOS 图像传感器性能的要求也越来越高。通常 CMOS 图像传感器主要由四个组件构成：微透镜、彩色滤光片（CF）、光电二极管（PD）、像素设计。

        CMOS 图像传感器拥有较好的信号转换能力，可以将直接在像素内将电荷转化为电压，在性能上超过了传统的 CCD 传感器，当前，主流的摄像头都使用 CMOS 传感器进行信号转换，CMOS 传感器也被广泛应用于智能手机、数码相机、自动驾驶、安防、IOT 等领域。

        从生产模式来看，CMOS 图像传感器企业主要分两种，专注于 CMOS 芯片设计的 Fabless 企业，比如索尼、韦尔股份（豪威科技）、思特威等。还有从设计制造者到封装测试全产业链都做的 IDM 企业，比如三星。当前 CMOS 芯片对于制程的要求并不是很高，芯片的主要技术壁垒在芯片设计一环，因此主要的 CMOS 企业多以设计为主。

CMOS传感器产业链

资料来源：格科微招股说明书，红塔证券

        我国智能汽车领域的快速发展，将带来 ADAS 的升级与渗透率不断提高，加速单车平均摄像头用量增涨，根据 Yole developpement 数据，2020 年单车平均搭载摄像头数量约为 2.2 颗，预计到 2028 年将达到7.0 颗。此外，由于 ADAS 功能升级，对车载摄像头像素以及 HDR、LED 闪烁抑制等功能提出更高要求，技术要求的提高也进一步带动了车载 CMOS 图像传感器单价提升。

目前，车载 CMOS 图像传感器用量增长的主要动力来自于自动驾驶辅助系统，汽车辅助驾驶功能的升级，车辆需要的位置定位精确度增加，单车平均搭载 CMOS 图像传感器数量增加明显。L1/L2 级别自动驾驶的 CMOS 图像传感器数目为 6 个，而 L3、L4、L5 可分别达 13/29/32 个。当前，汽车生产商多把智能驾驶辅助作为主要发展方向，因此 L3、L4、L5 的渗透率也在逐步提升，预计到 2030 年，L3 级别以上自动驾驶渗透率将达将达 30%。

不同自动驾驶级别对应的单车CMOS应用数量

资料来源：华经产业研究院，红塔证券

 

存储芯片

        车载存储芯片分布广泛，DRAM 和 NAND 为主流产品。车载存储芯片分布在汽车车身域、底盘域、座舱域、动力域、自动驾驶域五大域中，支持 ADAS、IVI、仪表盘、互联、黑匣子等应用的存储功能。从应用形态来看，存储芯片除单独搭载系统之外，还被封装在各类主控芯片（MCU、SoC）内部，用于缓存、读取和处理信息，以提高数据处理的效率。

        在汽车智能化、网联化趋势下，ADAS 系统、智能座舱、车联网技术的应用都将产生大量数据，对车载存储提出更高需求。以 ADAS 系统为例，ADAS 平台研发需要在车辆行驶时收集大量路测数据，包括摄像头、雷达、激光雷达、GPS 等数据，将这些数据上传到研发平台后对其进行 AI 训练，并在 ADAS 平台上验证和仿真，整个过程会产生大量过程数据。海量数据的缓存、读取和处理将对存储系统的读写性能、容量、可靠性等提出更高要求，车载存储芯片需求因此快速提升。

 

DRAM：

        车规 DRAM 主要用于存放运行中的程序和数据，核心应用领域包括 IVI 车载信息娱乐系统、ADAS 系统、信息和仪表盘，这三大系统的升级都对 DRAM 的容量和带宽有更高的要求。

汽车DRAM容量需求结构

资料来源：Trendforce，中泰证券研究所        

 

NAND：

        NAND 主要用于 ADAS 系统、IVI 系统、汽车中控等，主要作用在于存储连续数据。ADAS 系统中NAND 容量需求增长最为显著，根据海力士数据，L2 级 ADAS 一般只需主流的 8GBe-MMC，L3 级则提升至 128/256GB，L5 级最高可能超过 2TB。IVI 系统方面，传统汽车娱乐系统一般只需 32GB 以下

的 NAND，而升级智能座舱后，64GB 成为了最低配置，并随着 IVI 系统功能不断升级，NAND 容量需求不断攀升，预计 2030 年 IVI 系统 NAND 需求最高将提升至 1TB。此外，随着自动驾驶技术发展，未来将会形成“端-边-云”数据架构以确保行车安全性，为减小云端和汽车间数据的传输延时，车载NAND 需求将进一步提升。

        车规 NAND 产品主要包括 e-MMC（嵌入式多媒体控制器）、UFS（通用闪存存储）和 SSD（固态硬盘），现阶段应用的产品主要是 e-MMC 和 UFS。e-MMC 是中低端车载娱乐系统的标配产品，在TBOX、网关和 ADAS 中亦有应用，此前是车规 NAND 主流产品。相比于 e-MMC，UFS 在读写效率、延时、功耗、容量等方面优势显著，近年渗透率不断提升。三星新推出的 UFS4.0 写入速度高达2800MB/s，是 UFS3.1 和 e-MMC5.1 的 2.3 倍和 15.6 倍，最大容量达 1TB，e-MMC5.1 最大容量仅256GB，UFS 综合性能更优且仍在继续升级，未来高性能 UFS 替代 e-MMC 是确定性趋势。

 

模拟芯片

        模拟芯片可分为电源管理和信号链两大类。汽车电动化带来的高电压工作环境，用以实现电能分配与控制的电源管理芯片最先受益；信号链芯片连接了现实与数字世界，是电子系统实现自动化、智能化的基础。

        模拟芯片起到桥梁和供电的辅助作用，遍及汽车五域的各个角落。以五大域中的某些细分模块为例：

1）底盘域：以车身动态稳定模块（即 ABS/VSC 模块）为例，其他需要用到的模拟芯片包括了驱动芯片、接口芯片等；

2）车身域：以车内灯模块为例，其需要的模拟芯片包括了 LDO、接口芯片等；

3）动力域：以双离合变速器为例，需要的模拟芯片包括了接口芯片、PMIC 芯片、模拟开关等；

4）ADAS 域：以远程信息控制单元为例，

5）智能座舱域：以仪表盘为例，其用到的模拟器件包括 LDO、PMIC、接口、浪涌保护等。

以 DC-DC 和栅驱动为例：1）DC-DC 应用部位遍及全车，增量主要来自于信息娱乐域的低压场景和动力域的高压场景。2）栅驱动：以车身域为例，其涉及到电机的各类应用如座位位置调节都需要栅驱动参与其中起到驱动作用。

        模拟前端（AFE-Analog Front End Front End）是包含传感器接口、模拟信号调理电路、模拟多路开关、采样保持器、ADC、数据缓存以及控制逻辑等部件的集成组件，其本质上是以 ADC 为核心的采样芯片。AFE 通过内置传感器感知电池组的电压、温度、电流等数据，并通过 ADC 将模拟信号转换为数字信号供后端 MCU 使用，MCU 负责接收 AFE 传递而来的信息，并通过算法计算电池的 SOC、SOH 等数值从而管理电池系统，还可以与车上的其他控制单元进行信息交互。

AFE 的通道数量指的是其所监测的电池模块串联的单个电池数。主主流的车用 AFE 的通道数有 6s、12s、18s 三种，通道数量越多，对 AFE 负压要求越高。按照流车型电池包 400V、单节电池 3.6V 计算，需要总电池的数量在 100 颗以上。

BME应用示例图

资料来源：纳芯微官网，中泰证券研究所

 

毫米波雷达：

        由于毫米波雷达具有准确测量目标距离和速度的能力，可以不受雾、雨、雪和强光等环境条件的影响，目前已经成为支持高级辅助驾驶和自动驾驶的主要传感方式，被广泛应用于盲区检测(BSD)、变道辅助系统 LCA)、自动紧急制动(AEB)、自适应巡航控制(ACC)、两侧来车警告系统(CTA)、后碰撞预警(RCW)、自动泊车(APA)与代客泊车(AVP)等多个领域中。在一些新兴应用中，例如幼儿遗忘检测系统、车内感应、脚踢开门、车门障碍物规避和自动泊车，毫米波雷达也正日益受到青睐。

        由于能够以低于激光雷达 6 - 1 0 倍的成本提供类似的性能，高分辨率毫米波雷达(也有人称之为“4D 成像雷达”)得到了业界的普遍关注。所谓“4D 成像雷达”，通俗地讲，就是与现有的传统毫米波雷达相比，其在水平和俯仰方向上的分辨率得到了极大提高，可以在任何光照或天气条件下，将雷达的功能从测量距离、速度、水平方位角扩展到涵盖距离、方位、俯仰角和相对速度的测量，显著增强了雷达的性能。

如果用数字加以定量描述，4D 成像雷达可以实现超过 300 米的探测距离，可以在水平和俯仰方向上达到小于 1 度的分辨率，输出类似激光雷达的点云。也就是说，4D 成像雷达可以用很高的分辨率去探测物体的距离、速度、水平角度和高度，并通过点云对环境和目标的轮廓进行描述并分类，从而满足 L2+ADAS 系统的需求。当然，也只有这样，它才能够不仅可以“理解”水平面，还可以“理解”垂直平面，真正把前方探测到的物体轮廓大概描绘出来，从而帮助车辆判断是在物体“下方”还是“上方”行驶。

        随着当前自动驾驶技术向更深层次应用迈进，为了达到未来 L4/L5 车辆运行所需的 10-9错误率，激光雷达正成为必不可少的工具。它可以生成数以千万计的数据点来形成点云，提供周围环境的 3D 地图。通过点云数据，激光雷达传感器可以帮助自动驾驶车辆的应用程序以更高效、更准确、更私密和更安全的方式对周围环境，包括目标物体和人员的位置，进行监测导航，以确保安全并防止发生事故。改善道路安全和保护环境是最能体现激光雷达优势的两个方面。激光雷达可以捕捉高清三维信息，通过为车辆展现更详细的周围环境，最大限度地提高道路安全，并能够更有效地保护道路上的行人，帮助实现安全出行。另一方面，由激光雷达支持的高级驾驶辅助系统和互联自动驾驶汽车可以带来强大的环境效益。例如，激光雷达可用于构建汽车的自动化行人制动系统，帮助自动驾驶汽车确保道路安全，改善交通拥堵。同时，还可以节省燃油，延长车辆的使用寿命。

 

行业现状：

        电动化将驱动新能源车 IGBT 芯片和 BMS 模块中 AFE 芯片市场的增长，2021 年全球规模分别为 20 和 6 亿美元，2025 年将达 73 和 18 亿美元，CAGR 分别为 39%和34%。

全球汽车半导体市场份额

资料来源：英凌飞，Omdia，中泰证券研究所

智能化则带来车规 CIS、智能座舱 SoC、自动驾驶 SoC 以及车规 DRAM、NAND、NOR 三类车规存储芯片市场显著增量，2021 年全球规模分别为 39、25、15、12、10 和 5 亿美元，对应 2025 年规模预计分别为 76、42、67、22、28 和 9 亿美元，CAGR 分别为 18%、13%、45%、15%、28%和 13%。

汽车半导体细分市场规模预测

资料来源：EVTank，SIA，IC Insights，中泰证券

 

功率半导体：

2022 年国内新能源车呈现市场下沉的趋势，A 级车型以下的销量占比有所提升，但 A 级以上的车型需要使用更大功率的 IGBT。产品附加值高，技术壁垒高的大功率 IGBT 仍然是未来国产替代的主要方向。从主机厂的角度来观察国内 IGBT 市场规模，国内高端车型的主机厂主要包括特斯拉、理想、蔚来、小鹏等，电机功率在 180kw 以上。特斯拉使用的碳化硅和 IGBT 模块主要由意法半导体、英飞凌提供，国内技术上还有差距。比亚迪的驱动 IGBT 大部分由比亚迪半导提供。保守测算，短期内国产替代的市场在 180kw 以下，再除去比亚迪的市场，2021 年国内供应商主要面对的车载驱动 IGBT 的市场规模约为25 亿元。

国产车载 IGBT 拐点已至，实现市占率的快速上升。据爱集微，2022 年一季度国内出货量前五的功率器件供应商中，已经有三家中国本土企业入列，分别为斯达半导、比亚迪半导体、时代电气，三家合计装机量占比约 40%。比亚迪半导体具备产业下游的支持，随着比亚迪新能源车的销量增长，比亚迪半导体的 IGBT 高速发展。斯达半导生产的应用于主电机控制器的车规级 IGBT 模块持续放量，2021 年合计配套超过 60 万辆新能源汽车，其中 A 级及以上车型配套超过 15 万辆。时代电气具备高压 IGBT 的丰富经验，并且拥有中车集团的下游支持，2022 年新能源车 IGBT 预计年内交付的在手订单 70 万台。国内 IGBT 供应商中，士兰微、华润微、扬杰科技等均以进入汽车供应链为目标，并且在工控、家电、光伏等领域取得进展，实现放量或高速增长。

 

CMOS：

汽车市场是 CMOS 图像传感器增长最快的市场，也是厂商争相布局发展的市场。2021 年，汽车电子领域 CMOS 图像传感器的销售额为 19.1 亿美元，同比增长 11.6%。随着汽车智能辅助驾驶的发展，车载CMOS 图像传感器用量将会大幅增长，预计到 2025 年全球汽车 CMOS 图像传感器市场规模将达到32.75 亿美元，复合增长率将达到 14.3%。

全球车用CIS市场规模

资料来源：集微咨询，红塔证券

CMOS 图像传感器在国内还处于高速发展的阶段，2021 年国内 CMOS 图像传感器销售额为 295.4 亿元，同比增长 19%，增速明显快于全球，预计到 2024 年国内 CMOS 图像传感器市场规模将达到 516.5 亿元，符合增长率为 20%。

从竞争格局来看，CMOS 图像传感器市场属于垄断程度较高的市场，2021 年前三大 CMOS 传感器企业占有 75%的市场。索尼在行业中处于龙头地位，目前市占率约为 39%左右。其次是三星（23%）、韦尔股份（13%）。索尼的图像传感器主要应用在手机、相机、摄像等，三星的产品主要应用于自己的手机端，韦尔股份的图像传感器则侧重于安防和汽车。在汽车电子领域，CMOS 图像传感器已经大规模地被安装在智能车载行车记录、前视及倒车影像、360°环视影像、防碰撞系统之内。而随着汽车电动化的趋势及自动驾驶技术的发展，更多的新车将标配 ADAS（高级自动驾驶辅助系统），单车平均搭载CMOS 图像传感器数量也在显著增加。

 

大陆相关企业

斯达半导：斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务,是目前国内功率半导体器件领域的领军企业。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、重庆、浙江和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲德国及瑞士设有研发中心。公司主要产品分功率芯片和功率模块两大类,主要包括IGBT、MOSFET、FRD、SiC芯片和模块。公司成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块,实现了进口替代。其中IGBT模块产品超过600种,电压等级涵盖100V~3300V,电流等级涵盖10A~3600A。产品已被成功应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。

 

时代电气：中车时代电气秉承“双高双效”高速牵引管理模式,坚持“同心多元化”发展战略,围绕技术与市场,形成了“基础器件+装置与系统+整机与工程”的完整产业链结构,产业涉及轨道交通、新能源发电、电力电子器件、汽车电驱、工业电气、海工装备等领域。业务遍及全球20多个国家和地区,与国内外多家知名企业建立了良好的合作关系,具有广阔的发展空间和前景。作为中国电气化铁路装备事业的开拓者和领先者,60多年来,中车时代电气肩负振兴高端装备产业的使命与责任,致力于被誉为列车“心脏”和“大脑”的牵引传动和控制系统自主研发及产业化,持续领跑国内轨道交通电气系统市场。

韦尔股份：上海韦尔半导体股份有限公司是全球排名前列的中国半导体设计公司。集团总部位于上海,研发中心与业务网络遍布全球,年出货量超过123亿颗。豪威集团致力于提供传感器解决方案、模拟解决方案和触屏与显示解决方案,助力客户在手机、安防、汽车电子、可穿戴设备,IoT,通信、计算机、消费电子、工业、医疗等领域解决技术挑战,满足日与俱增的人工智能与绿色能源需求。自从1995年以来,豪威科技针对图像传感器,信号处理,光学和投影技术领域开发高端品质的知识产权(IP),在多个市场上引领数码摄影的进步,这些市场包括手机、记事本/手提电脑、个人电脑、汽车、安全监控、医疗、AR/VR、无人机以及工业应用等。

 

 

 

 

 

免责声明：本文章不涉及投资建议，仅供分享观点所用。

参考资料：

红塔证券：电子行业：CMOS 图像传感器，未来摄像技术的核心

天风证券：汽车芯片：产业加速变革升级，国产替代浪潮下新机遇涌现；

平安证券：半导体系列报告（七）：汽车芯片篇。供需紧张格局将持续，国内厂商机会凸显；

中泰证券：汽车半导体行业系列报告：电动化智能化双轮驱动，车载半导体拾级而上