半导体周报1112-半导体材料之碳化硅（二）

半导体周报-1112

一、行业新闻及动态：

1、半导体设计：

《科创板日报》1日讯，苹果M3芯片系列升级至3纳米制程，进一步强化处理速度、效率和续航力，但内存带宽却不增反降，M3 Pro规格改成150GB/s，虽然被外界认为带宽缩水，但却反映出苹果更精准的区分产品定位的差异化，而PC市场库存去化逐渐进入正常水位。业界预期，高阶款MacBook Pro、iMac等新品全面亮相，将有望推动PC买气回温。

 

财联社11月1日电，在2023云栖大会上，阿里巴巴平头哥发布旗下首颗SSD主控芯片镇岳510，该芯片为云计算场景深度定制，实现4μs超低时延，误码率低至10^-18。镇岳510将率先在阿里云数据中心部署，可应用于AI、在线交易、大数据分析、高性能数据库、软件定义存储等业务场景。

 

2、半导体设备：

《科创板日报》1日讯，据财信证券统计，2023年9月，半导体设备进口实现45.2亿美元，同比增长106%，环比增长65%，创下历史新高。而前后道设备进口需求分化，后道设备进口需求低迷，9月前道设备进口额实现44.1亿美元，同比增长119%，环比增长67%，创下历史新高；后道设备（塑封、引线键合、检测）进口额实现1.1亿美元，同比减少37%，环比增加4%，环比增速远小于前道设备，进口额与历史情况相比处于较低水平，国产化有望加速，建议关注后道设备相关公司。

 

3、半导体制造及封测：

《科创板日报》1日讯，SEMI公布9月北美半导体设备销售数据，前段晶圆设备和后段封测设备都不理想，分析师陆行之发文表示，北美半导体设备订单不振，全球IDM和晶圆代工的产能利用率已经滑落到80%以下，除了CoWoS封测、2/3纳米、HBM还会继续投资之外，其他订单都已暂缓。SEMI报告指出，9月北美半导体设备销售前段晶圆设备33.4亿美元，环比增长3%、同比下降18%；后段封测设备2.43亿美元，环比下降2%、同比下降25%。

 

《科创板日报》2日讯，据半导体业内多位消息人士消息，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。

 

财联社11月2日电，东风首批采用纳米银烧结技术的自主碳化硅功率模块，日前从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电80%，并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。

 

4、其他：

《科创板日报》2日讯，美国半导体产业协会（SIA）公布的数据显示，2023年9月全球半导体销售额较2023年8月增长1.9%，较2022年9月下降4.5%。2023年第三季度全球半导体销售额总计1347亿美元，较2023年第二季度增长6.3%，较2022年第三季度下降4.5%。

 

二、本周话题——半导体材料之碳化硅（二）

产业链分析

        碳化硅产业链上下游清晰，衬底和外延是核心环节，价值量占比达70%。SiC 产业链主要包括上游衬底和外延制备、中游器件和模块制作以及下游终端应用。从成本结构上看，根据亿渡数据，传统硅基器件衬底价值量仅 7%左右，核心为晶圆制造设备，占比 50%；与之相比，SiC 器件中衬底约占成本 47%，外延约占 23%，器件制造仅占到 19%。

各环节价值量占比

资料来源：中商情报网、维科网、今日半导体、万联芯城、国泰君安证券研究

 

（一）、衬底：

衬底定义：沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。

衬底分类：从电化学性质差异来看，碳化硅衬底材料可以分为导电型衬底（电阻率区间15~30mΩ·cm）和半绝缘型衬底（电阻率高于105Ω·cm）。这两类衬底经外延生长后分别用于制造功率器件、射频器件等分立器件。其中，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件、光电器件等。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等氮化镓射频器件。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。

资料来源：亿渡数据

        碳化硅衬底经多个工序，PVT 为碳化硅晶体生长的主流方法。碳化硅衬底制备目前主要以高纯碳粉、硅粉为原料合成碳化硅粉，采用物理气相传输法（PVT 法），在单晶炉中生长成为晶体，随后经过切片、研磨、抛光、清洗等步骤制成单晶薄片作为衬底。

衬底制备生长过程

资料来源：天科合达招股说明书，广发证券发展研究中心

        1.晶体生长环节：晶体生长难点：（1）长晶速度慢。碳化硅生长速度仅有0.3-0.5mm/h，且晶体最大长度仅能达到2-5cm，与硅基衬底有着较大的差异。并且随着碳化硅晶体尺寸扩大，其生长工艺难度呈几何级增长。（2）黑箱操作良率低。碳化硅衬底核心参数包括微管密度、位错密度、电阻率、翘曲度、表面粗糙度等。其生产过程完全处于高温的密闭石墨腔体中完成，需要在密闭高温腔体内进行原子有序排列并完成晶体生长、同时控制参数指标，非常依赖厂商的工艺经验。因此稳定量产各项性能参数指标波动幅度较低的高品质碳化硅晶片的技术难度很大，易产生各类缺陷等问题导致晶体生长环节难度大、良率低、产量小。（3）碳化硅晶体结构类型众多，但仅其中少数几种晶体结构的碳化硅为所需材料，杂质控制难度高，故在晶体生长过程中，需精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速度以及气流气压等参数，否则容易产生多晶型夹杂，降低产品良率。

碳化硅长晶方式

资料来源：晶升装备招股说明书，广发证券发展研究中心

        （1）物理气相传输（PVT）是最成熟的制备方法。由于设备简单，操作易控制，运行成本低等优点，国外厂商Wolfspeed、II-VI、SiCrystal，国内厂商天岳先进、天科合达、晶盛机电均选择PVT法制备碳化硅晶体。（2）HTCVD法的主要技术挑战是沉积温度的控制。HTCVD法生长晶体纯度较高、可实现近匀速晶体生长，但良率较低、长晶成本较高。瑞典的Norstel和日本电装公司采用HTCVD方法。（3）LPE法的主要技术挑战是生长速率和结晶质量的平衡。LPE法生长的晶体质量高、缺陷密度低，但其生长速度缓慢、生长长度受限。日本的住友金属公司采用LPE方法。

        2.切割研磨抛光环节：碳化硅晶体制备完毕后，需要将其沿着一定方向切割成厚度不超过1mm的薄片，并通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液进行研磨，去除刀痕及变质层并控制厚度后，再进行CMP抛光以实现全局平坦化后进入最终的清洗环节。

切磨抛难点：由于碳化硅是高硬度的脆性材料，期切磨抛的加工难度增加，加工过程中其曲翘开裂等问题严重，损耗巨大，根据英飞凌的数据，在传统的往复式金刚石固结磨料多线切割方法下，在切割环节对整体材料利用率仅有50%，经过抛光研磨环节后，切损耗比例则高达75%，可用部分比例较低。

 

衬底行业现状及竞争格局

        目前碳化硅衬底市场被海外大厂牢牢占据，竞争格局高度集中。根据英飞凌引用yole的数据，目前海外主要衬底厂商持续加大扩产力度，23-24年产能较20-22年实现总产能约4倍的扩充，最大产能将达285万片/年（合6寸）。但从市占率的层面来看，相较于21年总和约90%的市场占比，预计至2024年，海外主要衬底厂商市场份额将降至约65%，究其主要原因，和中国碳化硅衬底企业的大力扩产息息相关。

        受下游民用领域的持续景气，如新能源汽车与光伏，导电型SiC衬底市场规模不断扩容。根据Yole数据，2018年，全球导电型SiC衬底市场规模为1.7亿美元，2020年增长至2.8亿美元，复合增长率为26%。预计2027年全球导电型碳化硅衬底市场规模将增长至21.6亿美元。根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟数据，全球6英寸导电型衬底需求从2020年的超8万片增长至2025年的20万片，而4英寸产品将逐步退出市场。

资料来源：Yole，亿渡数据

        受益于5G基建加快布局和全球地缘政治动荡，半绝缘型SiC衬底市场增长空间巨大。根据Yole数据，2021年全球半绝缘型SiC衬底市场规模约为2.1亿美元，预计2026年将增至4.33亿美元。此外，根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟数据，2020年全球4英寸半绝缘型SiC晶片的市场需求约4万片，6英寸约5万片，两者需求占比不相上下；预计到2025年，4英寸市场需求将减少至2万片，6英寸成为发展趋势。

资料来源：Yole，亿渡数据

        海外巨头高度垄断，国产厂商潜力巨大，衬底市场海外走向8英寸，国内呈现后发优势。不同类型衬底产品在生产技术存在差距。半绝缘型SiC目前主流的衬底产品规格为4-6英寸;导电型碳化硅衬底目前主流的衬底产品规格为6英寸。

市场集中度高，两类衬底CR3均高达90%以上。半绝缘型碳化硅衬底市场集中度CR3为98%，Wolfspeed、II-VI、山东天岳三足鼎立；导电型碳化硅衬底市场集中度CR3为90%，其中Wolfspeed占比超50%。

资料来源：Yole，Gartner，CASA，亿渡数据整理

        国内龙头在8寸衬底均有突破，但产能方面仍有差距。（1）天岳先进已经成功研发6英寸导电型碳化硅衬底，23年5月已经实现6寸衬底交付，处于产量的快速爬坡阶段，30万片6寸衬底产能释放将早于原计划的2026年。此外，天岳也实现高质量8英寸产品的制备。（2）天科合达同样已经实现6英寸导电型碳化硅衬底的量产，2021 年徐州生产基地 6 英寸系列产品产能达全国首位，2023年公司计划实现8英寸导电型碳化硅衬底的小规模量产。（3）晶盛机电（晶越）已经掌握了6英寸碳化硅的长晶技术和晶片加工工艺，预期产能为40万片/年，此外晶盛机电已经掌握8英寸碳化硅衬底技术。

国内企业碳化硅衬底研究进展与产能规划

资料来源：亿渡数据，Infineon ，中国经济网，东吴证券研究所

衬底发展趋势：

        1.大尺寸化。与硅基晶圆发展路径相同，未来碳化硅衬底也将持续提升晶片尺寸，降低单位面积芯片成本，推进碳化硅器件的成本下降。海内外衬底厂商以6寸为主流，目前正在向8寸过渡。根据Wolfspeed数据，在相同尺寸的芯片下，8英寸衬底片可切出的芯片数量相比6英寸衬底片提高约90%，同时降低约7%的边缘浪费，带来生产力和效率的大幅提升。伴随着尺寸扩张带来的规模效应以及自动化产线带来的相关成本的降低，Wolfspeed预计至2024年，8英寸衬底带来的单位芯片成本相较于2022年6英寸衬底的单位芯片成本降低超过60%，这将持续推进碳化硅产品的降价，加速对硅基器件的替代。

8英寸带来生产力与效率的提升

资料来源：Wolfspeed，广发证券发展研究中心

        2.切割技术优化：以英飞凌冷裂技术为例，英飞凌在2018年斥资1.39亿美元收购Siltectra获得其Cold Split冷裂技术，作为激光切割的一种形式，Cold Split冷裂技术是一种高效的晶体材料加工工艺，能够将材料损失降到最低。根据英飞凌的披露，传统的线切割造成SiC晶锭损失比例超过75%，2021年对晶锭采用冷裂技术会降低损失比例50%，未来还可以对晶圆进行冷裂，一片晶圆经过冷裂可以变成两片晶圆，这将显著提升公司材料的利用效率与总体产量，目前该技术仍在进一步发展中。

        3.抛光技术提升：SiC的外延层生长过程中的晶体缺陷和污染可能会延伸到外延层和晶圆表面，形成各种表面缺陷，从而影响其性能参数。上述表面缺陷出现的部分原因与抛光划痕息息相关，因此正确的抛光技术对碳化硅后续顺利加工至关重要。目前，已开发出如下图所示的三种CMP方式以实现更高的材料去除率、更低的表面粗糙度、更少的划痕和更均匀的表面形貌，以满足更稳定的外延生长的需求。Wolfspeed碳化硅晶片经过CMP加工后，晶片表面缺陷较低，可获得的质量较高的碳化硅衬底，为后续的外延与晶圆制造打下坚实基础。

碳化硅晶片CMP三种方式

资料来源：芯 TIP，广发证券发展研究中心

 

        （二）、外延：外延层是晶圆上生长的微米级单晶层，极大影响器件性能。SiC器件制作工艺不同于传统硅基器件，不能直接制作在 SiC 单晶材料上，必须基于单晶衬底额外生长特定的一层微米级新单晶，再在外延层上制造器件。外延层主要作用在于消除 SiC 晶体生长和加工过程产生的表面或亚表面缺陷，使晶格排列整齐，大大改善衬底表面质量。SiC 衬底上可异质生长 GaN 外延层，主要用于制造中低压高频功率器件（小于 650V）、大功率微波射频器件以及光电器件；也可同质生长 SiC 外延层，主要用于制造功率器件。由于宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，所以外延层质量对器件性能有很大影响。

碳化硅外延工艺图

资料来源：Wolfspeed（科锐）官网，申万宏源研究

外延层制备：外延是一种常用的单晶薄膜制备技术，和Si器件工艺有所区别，几乎所有的SiC电力电子器件工艺均在4H-SiC同质外延层上实现，衬底只是起到支撑和导电的作用。现阶段SiC薄膜外延的方法主要包括：化学气相淀积（CVD）、分子束外延（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光淀积和升华法（PLD）等。

化学气相沉积（CVD）是最为普及的4H-SiC外延方法。其优势在于生长过程中气体源流量、反应室温度以及压力均可以有效控制，大幅降低了外延过程中的随机因素，工艺稳定性好；外延过程中通过调整各种气体的流量可以精准控制外延层的厚度、掺杂浓度以及掺杂类型，工艺可控性强。广东天域采用CVD法生产碳化硅外延片，在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD。

对比液相外延法/LPE，分子束外延生长/MBE法和化学气相沉积/CVD，MBE法制备的SiC外延层的质量最好，缺陷最少，但是生长速率较慢。在工业化生产方面考虑，由于MBE法和LPE法生长的速率比较小，无法满足工业化生长的需求，而CVD法的生长速率较高，满足条件。同时，CVD法能够直接制备出复杂的半导体器件且CVD系统比较简单易操作，成本较低。

资料来源：亿渡数据

        SiC外延主要设备是CVD。 SiC外延需要严格控制厚度均匀性、掺杂均匀性、缺陷率和生长速率，方法包括化学气相沉积CVD、液相外延LPE、分子束外延MBE等，其中CVD兼备成本适中+外延质量好+生长速度快的优势，应用最广。CVD工艺流程：①利用载气（H2）将反应源气体（如SiH4/C3H8 ）输送到生长室内的热区；②气体达到被加热的 SiC 衬底，反应沉积单晶薄膜（外延片）。

MOCVD是新型CVD，沉积温度更低&沉积层多样。MOCVD反应源是金属有机化合物，传统CVD是无机化合物，一般有机物熔点比无机物低，且种类远大于无机物。因此MOCVD沉积温度（ 500-1200℃ ）显著低于传统CVD（ 900-2000℃ ），且能在不同衬底上沉积超薄层甚至原子层的特殊结构表面。

        SiC外延需严格控制缺陷，工艺难度大。SiC外延会复制衬底的晶体结构，因此外延层缺陷包括来自衬底的缺陷（如微管、贯穿螺型位错TSD、贯穿刃型位错TED、基平面位错BPD），以及生长过程的位错以及宏观缺陷（如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷/彗星型缺陷、浅坑、生长的堆垛层错）。

掉落物、三角形缺陷等属于致命性缺陷。衬底缺陷的TSD和TED基本不影响碳化硅器件性能，只有BPD会引发器件性能的退化。而生长过程的掉落物、三角形缺陷等是致命性缺陷，一旦出现，会导致器件测试失败（击穿电压VB降低20%~90%），良率大幅降低。

低缺陷&厚外延是主要趋势：随着器件耐压等级的提高，外延厚度从过去几微米发展到几十甚至上百微米。Wolfspeed（Cree）的N/P型碳化硅外延厚度均可达到200μm，国内存在一定差距，瀚天天成N型碳化硅外延厚度达40μm，东莞天域N型碳化硅外延厚度做到30μm。

 

外延行业现状及竞争格局：

外延设备：外延设备是核心，基本被海外企业垄断，各厂商设备存在差异，国内企业具备替代空间。外延环节技术壁垒相对较高，对第三方厂商成熟设备具有较强依赖性。目前外延设备主要由意大利LPE公司、德国Aixtron公司、日本Nuflare公司垄断，占据全球87%左右市场空间。国内相关设备厂商包括中电55所、普兴电子/中电13所、三安集成和希科半导体(江苏苏州)，国产外延炉厂家多以单腔、水平气流、手动设备为主，月产能约为300~500片，还需验证设备工艺以及外延工艺。

外延片的成本结构，原材料成本占比是52%，设备折旧成本是15%，剩下的劳动力、洁净室和研发成本的占比分别是14%、12%和7%。伴随衬底价格降低，未来外延价格有下降趋势。基于SiC衬底，外延环节普遍采用化学气相沉积技术(CVD)获得高质量外延层，随后在外延层上进行功率器件的制造。伴随SiC衬底价格的降低，预计未来外延价格也将呈现下降趋势，据CASA，2020年SiC外延片价格约为128元/平方厘米，预计到2025年，价格将会出现明显下降，至2045年SiC外延片价格将降至71元/平方厘米。

资料来源：CASA，《第三代半导体产业发展报告(2020)》，亿渡数据整理

        碳化硅外延市场由 Wolfspeed 和昭和电工（Showa Denko）双寡头垄断。根据 Yole数据，2020 年全球碳化硅外延市场中，Wolfspeed 占 52%，昭和电工占 43%，CR2 共占95%。

2020 年全球碳化硅外延片市占率（%）

资料来源：中商产业研究院《2023 年中国碳化硅器件行业产业链上中下游市场分析》，申万宏源研究

        国内各厂商加快生产线建设。天域半导体建设碳化硅外延材料研发及产业化项目，预计 2025 年竣工并投产，实现营收 8.7 亿元，2028 年全面达产产能 100 万片/年；瀚天天成二期 22 年 3 月竣工验收，23 年达产产能为 20 万/年；三期于 22 年启动建设，预计达产产能 140 万片/年。

 

        （三）、晶圆制造：工艺流程与硅基器件大体类似，材料不同要求特定工艺与设备。碳化硅器件也包括器件设计、晶圆制造和封测等环节，晶圆制造主要包括涂胶、显影、光刻、清洗、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化、磨削、切割等前道工艺约三百多道工序。由于材料特性的不同，部分工序需要特定设备和特定工艺，与硅制程设备无法完全通用。主要差异在于：1）光刻对准：双面抛光的 SiC 晶圆是透明的，光刻工艺难以适应，各设备传送、取片难以定位，CD-SEM 和计量测量变得复杂。2）蚀刻工艺： SiC 在化学溶液中呈惰性，只有干法刻蚀可行，需重新开发掩膜材料、混合气体、侧壁斜率、蚀刻速率、侧壁粗糙度等。3）掺杂工艺：SiC 扩散温度远高于 Si，高温高能离子注入成为唯一的 SiC制造掺杂方法，但这会破坏材料的晶格结构，所以还需要在 1600℃的条件下使用高温退火工艺恢复结构，是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的重要标准之一。4）MOSFET 栅极氧化：SiC-MOSFET 器件的栅氧质量直接影响沟道的迁移率和栅极可靠性，导致阈值电压不稳定，需要开发钝化技术，以提高 SiC/SiO2 界面质量。

 

碳化硅行业现状

        需求端：耐高压+耐高温+低损耗，碳化硅性能优势主要应用于新能源车、光伏领域。目前碳化硅电力电子器件已经开始应用于新能源车和光伏逆变器中，后续有望凭借产业链降本增效，在风能、储能、消费电子等领域得到更广泛的应用，据 Yole 数据，2021 年碳化硅功率器件下游细分市场中，新能源车占比最高，达 62.8%，能源领域应用占比达 14.1%，工业领域和运输领域下游应用占比分别为 11.6%和 7.2%。

        供给端：预计至 2026年碳化硅衬底名义产能达 839.2 万片，对应设备总市场空间 251.8 亿元，当年市场空间 48.0 亿元。2023-2026年，预计国外龙头企业 Wolfspeed、Coherent 有望凭借先发优势，碳化硅衬底产能将率先突破百万片；国内厂商也在陆续扩产，其中东尼电子、天科合达产能扩张较快。根据 Yole 市场空间预测数据，2026 年全球导电型碳化硅衬底市场规模约占衬底总市场规模的78.9%,假设衬底良率为60%，折算出 2026 年导电型衬底有效产能约为 397.3 万片，相比于455.7 万片的需求，仍存在约 58.4 万片的有效供给缺口，对应约 29.2 亿元设备投资空间。

 

大陆相关企业：

高测股份：

高测股份主要从事高硬脆材料切割设备与耗材的研发、生产与销售。高测股份成立于 2006 年，产品主要应用于光伏行业硅片制造环节。公司的主要品类有切割设备与切割耗材，切割设备包括单/多晶截断机、单/多晶开方机、磨倒一体机、金刚线切片机等；切割耗材为金刚线。公司持续研发新品，推进金刚线切割技术在光伏硅材料、半导体硅材料、蓝宝石材料、磁性材料等更多高硬脆材料加工领域的产业化应用。

 

晶盛机电：

2022年公司6寸外延设备市占率国内第一，2023年国内首发8寸单片式SiC外延设备。晶盛机电于2017年涉足碳化硅领域，2022年晶盛机电行业首发6寸单片式碳化硅外延设备（型号为150A，产能350-400片）并实现国产替代，市占率为国内第一。 2023年2月公司成功发布6寸双片式碳化硅外延设备（型号为150D，产能600-650片），同年6月再次成功推出8寸单片式碳化硅外延生长设备。8寸单片式SiC外延设备兼容6&8寸衬底：8寸设备基于6寸的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术，解决了腔体的温场均匀性、流场均匀性等难题，相比于6寸，8寸碳化硅晶圆成本有望降低60%以上。

技术指标处于行业领先：截至2023年7月，晶盛机电在子公司晶瑞的8英寸衬底基础上，已实现8英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试，外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内，未来外延设备迭代方向将从单片到多片（单腔多片式或单片多腔式），增加单位产能、降低生产成本。

 

晶升股份：

公司为国内主要碳化硅单晶炉供应商之一，技术优势领先。公司于2018年开始布局碳化硅领域，公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备。现公司已向多家客户交付8英寸碳化硅长晶设备，部分客户已经取得了一定的研发成果，并正在不断优化工艺制程。国内市场占据领先的市场份额，与头部客户建立合作关系。公司现有国内市场占有率为27.47%-29.01%，截至2023年7月，碳化硅单晶炉绑定三安光电、东尼电子、浙江晶越等国内龙头衬底厂商，并持续推进天岳先进等十几家新客户的批量供货，未来有望快速成长。

 

 

 

 

 

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参考资料：

国泰君安证券;多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化

亿渡数据：中国SiC碳化硅器件行业深度研究报告

申万宏源：碳化硅：国内衬底厂商加速布局

东吴证券：碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料 +设备国产化机遇

广发证券：碳化硅系列报告一：衬底篇 工欲善其事必先利其器，碳化硅衬底市场群雄逐鹿