半导体周报(国科龙晖整理)-1218
1. 行业新闻及动态
（1）半导体设计
大热的RISC-V：全球出货突破100亿个，会员同比增长26%。据介绍，RISC-V International的会员数量同比增长超过26%。在70个国家地区拥有超过3180名会员。如今市场上有超过100亿个RISC-V核心，全球有数万名工程师致力于RISC-V计划。
国芯RISC-V芯片架构总部等12个集成电路产业项目签约落户无锡。国芯RISC-V芯片架构总部项目、优倍新型工业测量与控制芯片组研发项目等12个集成电路产业项目签约落户，为锡山集成电路产业发展注入强劲动力。长三角工业芯谷总建筑面积24万平方米，聚焦工业升级、智能制造等领域，集聚产业链上下游企业招引培育，推动芯片设计、装备制造产业集聚优化。园区目前已集聚集成电路企业60余家，力争到2025年，引进培育优质集成电路产业链企业100家以上，实现产值200亿元以上。
Omdia 研究：2023 年显示驱动芯片（DDIC）需求预计将同比增长 3%，达到 80 亿颗。随着2022下半年需求持续疲软，2022年显示驱动芯片（DDIC）需求将比2021年同比下降12%，降至78亿颗。不过得益于OLED领域和车载领域应用的增长，Omdia预计2023年DDIC的需求将有所恢复并实现3%的年同比增长。
据台媒《电子时报》报道，十铨科技表示，自2022年以来，DRAM价格下降了近一半，预计降幅将放缓。随着越来越多的芯片制造商削减产量，预计DRAM市场的供需平衡将在2023年第一季度恢复，且DRAM价格的回升将先于NAND闪存价格的回升。
（2）半导体制造及封测
Soitec新加坡晶圆厂扩建项目破土动工，满产后可年产200万片300mm SOI晶圆，扩建工厂将专用于生产 300mm SOI 晶圆。这些晶圆将用于智能手机芯片，特别是 5G 通信，以及汽车和智能设备。2024 年扩建工程完成后，洁净室和办公空间的占地面积将增加 45000 平方米，助力 Soitec 新加坡工厂实现年产能翻番，300mm SOI 晶圆将达到约 200 万片/年。
台积电11月营收同比激增50.2%。全球最大的芯片代工企业台积电周五公布了11月营收报告，受益于主要客户的持续拉动效应，11月合并营收约为新台币2227.1亿元(约合72.7亿美元)，较上月新增了5.9%，较去年同期新增了50.2%，创单月营收新高。
韩国媒体报道，一家韩国公司开发出一种新材料，有望显著提高荷兰半导体设备企业ASML的极紫外光微影曝光设备 (EUV) 的良率。
机构称三星电子晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元，首次超过NAND闪存业务。外媒最新根据研究机构和证券公司分析师的报告称，三星电子晶圆代工业务的营收，在今年三季度达到了55.84亿美元，高于NAND闪存43亿美元的销售额。
12英寸硅片制造商奕斯伟材料完成近40亿元人民币C轮融资。近日国内12英寸硅片制造商西安奕斯伟材料科技有限公司完成近40亿元人民币C轮融资，创下了中国半导体硅片行业最大单笔私募融资记录。奕斯伟材料一期项目于2020年7月投产，目前月产能达30万片，产能规模国内第一。二期项目已启动建设，满产后总产能将达100万片/月，出货量有望跻身世界前六。
总投资40亿元，浙江丽水中欣晶圆12英寸硅片外延项目正式竣工投运。丽水中欣晶圆外延项目是丽水培育半导体全链条产业的龙头项目。项目总投资40亿元，将在丽水经开区首期建设年产120万片8英寸的生产线（以特殊需求外延片为主）、240万片12英寸外延片生产线，未来可扩产至年产240万片8英寸外延片、360万片12英寸外延片生产线。全部达产后年产值将在50亿元左右。
韩国晶圆代工厂产能利用率大跌，部分公司仅剩50%。据韩国媒体 The Elec 报道，韩国晶圆代工厂产能利用率下降幅度超乎预期，除了专注先进制程的三星，其余大厂产能利用率今年第四季皆大幅下跌，甚至有悲观预测，部分公司产能利用率仅 50%~60%。
半导体产业分析师 Dylan Patel发布了一条推特称意法半导体未来将进军10nm工艺。意法半导体将每月生产5万片晶圆18nm FD-SOI，后续将转向下一个节点，采用10nm工艺。该意法半导体晶圆厂将与GlobalFoundries合作生产。
（3）半导体设备及材料
支持存储与逻辑芯片制造，盛美上海进军PECVD设备市场。盛美上海作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先设备供应商，近日宣布推出拥有自主知识产权的Ultra PmaxTM等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，拓展了一个重要的全新产品分类。盛美上海预计将在几周内向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备。
传日本和荷兰同意加入美国行列，限制对中国先进设备出口。据彭博社报道，知情人士透露，日本和荷兰已原则上同意加入美国的行列，加强对向中国出口先进芯片制造设备的限制。新的限制措施可能会在未来几周内宣布。日本和荷兰将至少采取美国10月份推出的部分措施，以限制先进半导体制造设备的销售。
扩产20%，ASML今年将生产超50台EUV。ASML近日在“2022半导体EUV生态系统全球大会”上指出，预计今年EUV生产台数将超过50台。2019年ASML的EUV设备生产台数为22台，如今已增加到2021年的42台。ASML表示有信心今年将超过50台，明年生产台数将进一步增加。
（4）其它
据路透社报道，据三位消息人士透露，中国正在为国内的半导体行业制定超过1万亿元人民币（1430亿美元）的支持计划。中国政府计划在五年内推出其最大的财政激励计划，主要是补贴和税收抵免，大部分财政援助将用于补贴中国的半导体制造厂或晶圆厂购买半导体设备，以支持国内的半导体生产和研发。
中共中央、国务院印发《扩大内需战略规划纲要（2022－2035年）》。其中要求“加快发展新产业新产品”。提出“推动人工智能、先进通信、集成电路、新型显示、先进计算等技术创新和应用”等内容。
2.本周话题：半导体薄膜沉积设备
芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的3D结构，薄膜沉积是芯片前道制造的核心工艺之一。从芯片截取横截面来看，芯片是由一层层纳米级元件堆叠而成，所有有源电路元件（例如晶体管、存储单元等）集中在芯片底部，另外的部分由上层的铝、铜互连形成的金属层及各层金属之间的绝缘介质层组成。芯片前道制造工艺包括氧化扩散、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、离子注入、刻蚀、清洗、检测等，薄膜沉积是其中的核心工艺之一，作用是在晶圆表面通过物理、化学方法交替堆叠SiO2、SiN等绝缘介质薄膜和Al、Cu等金属导电膜等，在这些薄膜上可以进行掩膜版图形转移（光刻）、刻蚀等工艺，最终形成各层电路结构。由于制造工艺中需要薄膜沉积技术在晶圆上重复堆叠薄膜，因此薄膜沉积技术可视为前道制造中的“加法工艺”。
芯片剖面图
资料来源：拓荆科技IPO路演材料
薄膜沉积是决定薄膜性能的关键，相关工艺和设备壁垒很高。芯片制造的关键在于将电路图形转移到薄膜上这一过程，薄膜的性能除了与沉积材料有关，最主要受到薄膜沉积工艺的影响。薄膜沉积工艺、设备壁垒很高，主要来自：第一，芯片由不同模块工艺集成，薄膜沉积是大多数模块工艺的关键步骤，薄膜本身在不同模块，器件中的性能要求繁多且差异化明显；第二，薄膜沉积工艺需要满足不同薄膜性能要求，新材料出现或器件结构的改变要求不断研发新的工艺或设备；第三，更严格的热预算要求更低温的生长工艺，薄膜性能不断提升要求设备具备更好集成度，另外，沉积过程还要考虑沉积速率、环境污染等指标。
常见的薄膜主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类，特点在于沉积材料与不同场景下应用的复杂多样，并且材料的进步伴随制程等的演变，推动薄膜沉积工艺、设备不断研发。半导体薄膜：应用范围有限，主要用于制备源、漏极的沟道区、单晶外延层和MOS栅极等。介质薄膜：应用范围最广泛，主要用于前段的浅槽隔离、栅氧化层、侧墙、阻挡层、金属层前介质层，后段的金属层间介质层、刻蚀停止层、阻挡层、抗反射层、钝化层等，也可以用于硬掩膜。介质薄膜是一类具备绝缘性质的。薄膜，主要用来掩蔽芯片任何器件、金属间杂质相互扩散，因此应用范围最为广泛。介质薄膜沉积主要需要考虑薄膜厚度、台阶覆盖率、致密性等。最常见的介质薄膜包括氧化硅、氮化硅、低/高介电常数材料等。金属及金属化合物薄膜：金属薄膜主要用于金属栅极、金属层、焊盘，金属化合物薄膜主要用于阻挡层、硬掩膜等。金属薄膜包括Al、Cu等，具备良好导电性，用于制作电极、导线、超导器件等，关键在于保证沉积速率同时沉积的金属薄膜满足较好的导电性；金属化合物薄膜包括TaN、TiN等。
常见薄膜分类
资料来源：《半导体薄膜技术基础》、《半导体制造技术》，招商证券整理
芯片工艺分为前道制造和后道封装两个部分，其中前道制造工艺又分为前、中、后三段工艺，前段和后段工艺分别形成晶体管等器件和金属布线，中段工艺用于将二者连接。
前段工艺（Frontendofline，FEOL）：形成芯片底层晶体管等有源MOS器件的过程，主要包括浅槽隔离、源漏极、栅极、侧墙等。在其中，薄膜沉积的主要壁垒在于实现浅槽隔离中薄膜的填充和栅氧化层的厚度减薄等。
中段工艺：包括金属前电介质层（PMD）、阻挡层、接触孔等。中段工艺主要作用是连接前段器件与后段第一层金属，主要壁垒在于对接触孔钨栓塞的刻蚀和沉积。
半导体制造前段及中段工艺剖面图
资料来源：MicroFabrication
后段工艺（Backendofline，BEOL）：主要壁垒在于保证层间介质、钝化层等薄膜的致密性、均匀性等。后段工艺指形成能将电信号传输到芯片各个器件的互联线，包括金属间介质层沉积、金属线条形成、引出焊盘等工艺。
半导体制造后段工艺剖面图
资料来源：《半导体制造技术》，招商证券整理
典型逻辑芯片中各层电路工艺需要的薄膜材料及工艺
资料来源：《集成电路产业全书》、《半导体薄膜技术基础》，招商证券整理
评价薄膜性能指标包括均匀度、厚度、台阶覆盖率、成膜速率等，同时还要考虑反射率、颗粒情况等。
1）良好的台阶覆盖能力。台阶覆盖能力指在硅片表面各个方向上厚度一致，实际工艺中，容易在尖角处以及沿着垂直侧壁到底部的方向出现厚度不均的情况，造成台阶底部断裂；
2）填充高深宽比间隙的能力。深宽比被定义为间隙的深度和宽度的比值，典型的高深宽比是金属层之间介质中的通孔，难于形成厚度均匀的膜，并且容易产生夹断和空洞，降低芯片可靠性和良率；
3）良好的厚度均匀性。要求硅片表面各处薄膜厚度一致，材料的电阻会随薄膜厚度的变化而变化，但是膜层越薄，膜本身机械强度降低等；
4）高纯度和高密度。需要避免沾污物和颗粒，要求洁净的薄膜沉积过程和高纯度的材料；膜密度表示膜层中针孔和空洞的密度，反映薄膜致密性；
5）高度的结构完整性和低的膜应力。沉积中要控制晶粒的尺寸，同时确保沉积的薄膜较薄，防止薄膜间的应力导致硅片衬底变形、开裂、分层等；
6）对衬底材料或者下层薄膜保持良好的粘附性。粘附性为了避免薄膜分层和开裂，防止因开裂导致杂质的进入。粘附性主要由表面洁净程度、薄膜及合金的材料等决定。
判断薄膜工艺/设备性能的主要指标
资料来源：《集成电路产业全书》，招商证券整理
薄膜沉积设备分类
薄膜的制备需要不同技术原理，因此导致薄膜沉积设备也需要不同技术原理，物理/化学等不同沉积方法相互补充。
1）物理方法：指利用热蒸发或受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等物理过程，实现物质原子从源物质到衬底材料表面的物质转移。物理方法包括物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）、旋涂、电镀（Electrondeposition/Electroplating，ECD/ECP）等，其中PVD又分为真空蒸镀、溅射两大方法；
2）化学方法：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽，以合理的气流引入工艺腔室，在衬底表面发生化学反应并在衬底表面上沉积薄膜。化学方法包括化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition，CVD）和外延（Epitaxy，EPI）等，CVD按照反应条件（压强、温度、反应源等）不同又可分为常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）、等离子增强CVD（PECVD）、次常压CVD（SACVD）、高密度等离子体CVD（HDP-CVD）、流体CVD（FCVD）、原子层沉积（ALD）、外延等。物理和化学方法相互补充，物理方法主要用于沉积金属导线及金属化合物薄膜等，而一般的物理方法无法实现绝缘材料的转移，需要化学方法通过不同气体间的反应来沉积，另外部分化学方法也可以用来沉积金属薄膜。
薄膜沉积分类
资料来源：微导纳米招股书
主流的薄膜沉积工艺根据工作原理不同可分为化学式真空镀膜（CVD）、物理式真空镀膜（PVD）和原子层沉积（ALD）。PVD主要用来沉积金属及金属化合物薄膜，最主要用于金属互连籽晶层、阻挡层、硬掩膜、焊盘等。CVD最常用于沉积绝缘介质薄膜，用于前段的栅氧化层、侧墙、阻挡层、PMD等领域和后段的IMD、Barc、阻挡层、钝化层等领域，另外CVD也可以制备金属薄膜（如W等）。ALD采用单原子层逐层生长，既可用于低k介质也可用于金属栅极/高k金属化合物薄膜沉积。ALD设备具备优秀的多面体表面成膜能力，以真正的纳米尺度精确控制薄膜厚度，可以满足更加复杂的先进制程集成电路制造工序的镀膜需求，现广泛应用于3DNAND工艺、逻辑芯片制造领域。但ALD沉积速率较慢，无法实现半导体领域大规模薄膜沉积，因此目前无法在成熟制程领域替代LPCVD/PECVD等方法。传统CVD工艺中，化学气体不断通入真空室内，因此沉积过程是连续的，而在ALD工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，并非一个连续的过程。ALD将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次/层为一个原子层，镀膜10次/层约为1nm，因此ALD的缺点在于沉积速率较慢，不适合大规模生产，在45nm以上等成熟制程中相较LPCVD/PECVD工艺仍不具备成本或者沉积速率优势。
薄膜沉积主要设备类型
资料来源：招股书、观研报告网、天风证券研究所
市场规模
全球资本支出中大约80%用于晶圆制造设备，根据SEMI数据，2021年全球半导体设备销售额大约1026亿美元，其中前道制造设备占比约80%，薄膜沉积设备占前道晶圆制造设备总投资的25%，据此测算2021年全球半导体薄膜沉积设备市场空间超200亿美元，同时MaximizeMarket预计到2025年全球市场空间有望达340亿美元。根据MaximizeMarket数据，2021年大陆薄膜沉积设备市场占比大约25%，市场空间超45亿美元。
全球薄膜沉积设备占比
资料来源：Gartner，SEMI，招商证券
CVD方法覆盖前段和后段工艺的大部分薄膜，是应用最广泛的薄膜沉积技术，CVD占整体市场大约75%，其中PECVD/ALD/LPCVD分别占整体市场33%/11%/11%；PVD最主要用于沉积金属薄膜，而金属薄膜用于后段工艺中的金属层和前段的金属栅极，应用场景相较CVD有限，PVD占整体市场比例大约19%；SACVD及其他设备最主要用于填孔，典型应用场景是浅槽隔离等，应用更为有限，占整体市场约6%。
下游晶圆产线扩产直接带动半导体设备需求。设备销售额和半导体资本支出强相关，每一轮下游晶圆厂扩产都会拉动设备销售额增长，2021年，全球半导体设备销售额为1026亿美元，同比增长44%，增速创近十年新高。据Skvortsova统计，2022年全球有75个新建晶圆厂项目，其中62个计划于2023年建成，单2022年就有28个新晶圆厂开工建设，包括12寸晶圆厂23个和8寸晶圆厂5个，预计设备导入将集中于2022-2023年。产能端：根据Skvortsova数据，2021年全球12寸晶圆产能增长10%，预计2022年将继续增长11%，2023年增长8%，2024年增长9%。2021年8寸产能增长6%，预计2022年将增长5%，2023年增长3%，2024年增长2%。另预计2022年内存容量将增长7%，2023年增长3%，2024年增长5%。持续的产能扩建，将极大拉动对上游设备和材料的需求，为国内设备材企业快速发展奠定基础。
受益于逻辑、存储、功率以及第三代半导体的大力扩产，中国大陆晶圆产能快速增长，半导体设备需求高增。逻辑端：中芯国际2022年资本开支将达到50亿美元，将扩产13-15万片/月8寸等效晶圆；华虹预计增加3万片/月12寸产能，2022年后半年将陆续进入设备招标期。存储端：长江存储和长鑫存储二期设备招标均已逐步进入高峰期，由于属于IDM类型企业，对国产设备接受程度更高，国产设备产线替代率业更高。第三代半导体：国内第三代半导体产线建设如火如荼，后续将有加速趋势。国产半导体设备已完成从0到1的产线验证阶段，后续将充分受益于国内设备需求释放，迎来从1到10的放量增长。
中国大陆12寸晶圆扩产情况（部分）
资料来源：各公司公告，西部证券研发中心
根据MaximizeMarketResearch数据统计，2017-2020年全球半导体薄膜沉积设备市场规模分别为125/145/155/172亿美元，年复合增长率为11.2%。另据SEMI产业数据，初步推算2021年薄膜设备市场份额为220亿美元，预计2022年将达230亿美元。
全球薄膜沉积设备市场规模及预测（单位：亿美元）
资料来源：SEMI，西部证券研发中心
近年来主要有四大因素推动薄膜市场扩容：1）晶圆厂扩产带来设备需求增长；2）先进逻辑制程芯片的沉积工序增多，多重曝光技术拉动薄膜设备需求, 目前基于EUV的7/5nm已成台积电营收主力，预计22年将投产3nm工艺；DRAM方面，据产业链消息，目前三星、SK海力士以及美光处于从1Y制程向1Z制程转换阶段，未来基于EUV的导入，制程将进一步延申至10nm；3）FLASH存储芯片级3DNAND成为主流，堆叠层数增加导致薄膜沉积工序增加；4）芯片结构复杂化，由此导致各设备份额的变化。
从整体市场格局来看，全球薄膜沉积设备处于高度垄断格局。从各细分市场来看，在CVD设备市场中，应用材料全球占比约30%，加上泛林半导体的21%和TEL的19%，三大厂商占据了全球70%的市场份额。在ALD设备市场中，ALD设备龙头TEL和ASM分别占据了31%和29%的市场份额，剩下40%的份额由其他厂商占据。在PVD设备市场中，应用材料则基本垄断了PVD市场，占85%的比重，处于绝对龙头地位。
薄膜沉积设备结构
资料来源：Gartner，西部证券研发中心
目前国内涉足薄膜沉积设备领域的公司包括拓荆科技、北方华创、中微公司以及盛美股份，从国内市场看，中国薄膜沉积设备龙头有北方华创和沈阳拓荆。其中，北方华创产品线覆盖CVD、PVD和ALD三类，沈阳拓荆主攻CVD和ALD，目前技术储备均达到28/14nm节点。但从国内设备存量市场来看，我国薄膜沉积设备国产化率仅为2%，98%的设备来源于进口。为加速薄膜沉积设备国产化脚步，近年来北方华创和沈阳拓荆两家公司不断加大研发力度，也分别在技术储备以及客户认证方面取得了良好进展。1）2020年4月7日，北方华创宣布，其THEORISSN302D型12英寸氮化硅沉积设备进入国内集成电路制造龙头企业。该设备的交付，意味着国产立式LPCVD设备在先进集成电路制造领域的应用拓展上实现重大进展。2）经过多年研发投入，拓荆科技成功产业化PECVD设备，系国内唯一产业化应用PECVD设备的企业，主导薄膜设备国产化，覆盖16种以上不同类型的工艺。
中国大陆薄膜沉积设备厂商产品对比
资料来源：各公司公告，西部证券研发中心
薄膜沉积设备国产企业
拓荆科技
拓荆科技是国内唯一产业化应用集成电路PECVD设备的厂商。公司该系列设备最大优势是在满足工艺需求前提下拥有较低的客户综合使用成本，目前适用于180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM、64/128层FLASH制造等领域，可沉积SiO2、SiN、SiON、BPSG等多种材料。其中，公司12英寸PECVD设备PF-300T和8英寸PECVD设备PF-200T均已实现产业化应用。2020年公司生产PECVD设备50台，销售31台；2021Q1PECVD设备量产和销量分别为14台、4台，为公司主要销售产品。
拓荆科技ALD设备成膜反应时间短，反应气体使用量少，可精准控制薄膜颗粒数及均厚度。目前，公司12英寸PEALD设备FT-300T已实现产业化应用，可沉积SiO2和SiN材料薄膜，广泛应用于国内55-14nm逻辑芯片制造、55-40nmBSI工艺的晶圆制造、2.5D、3DTSV等先进封装领域。2020年公司ALD设备产量1台。同时，公司正在研发12英寸ThermalALD设备来满足28nm以下芯片制造所需，并可沉积Al2O3、AlN等多种金属化合物材料。
公司亦是国内唯一一家实现SACVD设备产业化应用的厂商。该系列设备沟槽填充能力卓越，填充速率快，大幅度提高了使用效率。公司拥有12英寸SACVD设备SA-300T和8英寸SACVD设备SA-200T两大设备，可沉积BPSG、SAF等介质薄膜材料，主要适用于STI、ILD工艺的晶圆制造。公司2020年量产SACVD设备3台，销售1台；2021Q1设备产量为2台。
北方华创
北方华创由七星电子和北方微电子战略重组而成，持续走在国内集成电路装备及精密电子元器件产业的前沿。公司电子工艺装备主要包括半导体装备、真空装备和锂电装备，广泛应用于集成电路、半导体照明、功率器件、微机电系统、先进封装、新能源光伏等领域。
北方华创在PVD设备领域实力雄厚。公司拥有eVictorAX30Alpad、exiTinH630TiN等13款具有自主知识产权的PVD设备产品，支持90nm-14nm多个制程制造，主要应用于集成电路、先进封装、LED等领域，2012年至今已实现超过200台设备销售。exiTin系列TiN金属硬掩膜机台成为28nm工艺后段金属布线硬掩膜标准制程机台，并进入国际供应链体系，实现稳定量产。同时，公司已在溅射源设计、等离子产生与控制、颗粒控制、腔室设计与仿真模拟等关键技术上具备核心技术优势。
在CVD方面，公司在PECVD、APCVD、LPCVD、ALD等设备均有布局。其中，卧式PECVD是北方华创自主研发的重要技术之一，已成功进入海外市场并在光伏领域应用广泛。公司研发的介质膜沉积PECVD设备在LED领域也受到了各大厂商的青睐。ALD产品方面，公司目前拥有热原子层沉积(ThermalALD)设备、等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备两大系列产品，并陆续突破了前驱物输运系统控制、均匀稳定的反应室热场及流场控制、等离子产生与控制、脉冲射频的快速调频匹配等多项关键技术。目前，公司ALD设备已实现部分客户的设备销售。
中微公司
公司聚焦MOCVD设备，LED领域优势显著。在薄膜沉积设备领域，公司主要聚焦MOCVD设备（金属有机物化学气相沉积），可以应用于LED和GaN、SiC等功率器件外延片的生产制造。公司目前拥有四大MOCVD设备产品，其中，PrismoD-Blue和PrismoA7设备用于主流LED生产线，可支持生产大批量LED外延片，具备高产能，高良率，低成本投入等优势，打破了德国Aixtron和美国Veeco在中国MOCVD市场的垄断地位。根据Aixtron和Gartner数据，中微2020年在全球MOCVD市场份额为16%，仅次于Aixtron和Veeco。
MiniLEDMOCVD设备已获国内领先客户订单。中微具有自主知识产权的PrismoUniMaxMOCVD设备可配置多达4个反应腔,可同时加工108片4英寸或40片6英寸高性能氮化镓基蓝绿光MiniLED外延晶片，通过石墨盘的调整，可扩展至同时加工164片4英寸或72片6英寸外延晶片，其工艺能力还可延展到生长8英寸外延晶片。每个反应腔都可以独立控制，这一创新设计具备卓越的生产灵活性。中微PrismoUniMaxMOCVD设备配置了新颖的局部温度补偿加热系统，专为高性能miniLED量产而设计，具备优异的产出波长均匀性及产出稳定性。此外，PrismoUniMaxMOCVD设备配置了785mm大直径石墨托盘，极大地提高了设备产能，并有效地降低了miniLED外延片的生产成本。目前该设备已收到来自国内领先客户的订单，同时，公司正在与更多客户合作进行设备评估。PrismoUniMax设备的性能、复杂性提高很多，提供更多的价值给用户，毛利率有明显增长。
免责声明：本文章不涉及投资建议，仅供分享观点所用。
参考资料：
招商证券：半导体行业深度专题之十二—薄膜沉积设备篇
天风证券：拓荆科技（688072）-薄膜沉积设备拨云见日，国产化先行者如日方升
西部证券：拓荆科技（688072.SH）首次覆盖-国产薄膜沉积设备破局者，上市开启新征程
浙商证券：拓荆科技(688072)-薄膜沉积设备龙头，引领国产替代大潮崛起
