半导体周报(国科龙晖整理)-0129

1. 行业新闻及动态

（1）半导体设计

纳芯微推出全新高精度、低功耗的远程数字温度传感器NST141x系列。该系列产品包含NST1412和NST1413两个产品型号，适用于笔记本电脑、服务器等应用中的板级测温，满足各类通信、计算以及仪器仪表中多点位、高性能的温度监测需求。

美光宣布推出新一代DDR5内存模块，覆盖DDR5-5200/5600，拥有最大48GB容量版本。根据TrendForce报告，2023年第一季度对PC的需求将很低，而DDR5SDRAM的价格将在2023年第一季度下降18-23%，预计新的内存模块将相对便宜。

大立科技获320万元科研项目启动资金，全部用于“某部2022年电子元器件研制”项目费用化的科研支出。项目研制内容为非制冷红外焦平面探测器领域氧化钒技术路线相关产品并实现产业化，非晶硅和氧化钒双技术路线并行发展。

车企加速压铸汽车芯片。继华润微后吉利联手积塔布局功率半导体，近日吉利科技宣布与积塔半导体签订战略合作协议，双方将围绕车规级芯片研发、制造、市场应用、人才培养等领域开展全面合作，共同致力于车规级芯片产业的协同发展，推动半导体关键技术的突破。

BAW滤波器厂商Akoustis收购半导体后端供应链服务商GDSI。Akoustis对GDSI的收购践行了将其XBAW滤波器封装重新带回美国的战略，并支持其基于“芯片和科学法案”（CHIPSandScienceAct）申请资金。

（2）半导体制造及封测

华虹半导体有限公司、华虹宏力、国家集成电路产业基金II及无锡市实体于2023年1月18日订立合营协议。透过合营公司成立合营企业并以现金方式分别向合营公司投资8.8亿美元、11.7亿美元、11.65亿美元及8.04亿美元（约271.52亿元人民币），除此之外，合营公司还将以债务融资方式筹资26.8亿美元（约180.02亿元人民币），这笔高达452.54亿元人民币的巨额资金将用来扩充晶圆制造产能，包括采用65，55nm至40nm工艺的12英寸(300mm)晶圆制造产线。

英特尔日本负责人表示，随着Alder和RaptorLake的7nm节点问世，MeteorLake的4nm晶圆已经量产。Intel4工艺将带来20%的每瓦性能提升，并采用EUV光刻技术以获得更好的良率和密度，英特尔还准备在2023年底推出其3nm等效工艺节点，第5代XeonEmeraldRapids-SP将采用Intel3工艺制造。

模拟芯片厂商ADI斥资10亿美元，拟对美国俄勒冈州比弗顿附近的半导体工厂进行升级，目标产能翻倍。公司正在进行大量投资对现有制造空间进行现代化改造，重新装配设备以提高生产率，并通过增加25000平方英尺的额外洁净室空间来扩展整体基础设施。

江苏又一GaN工厂建成。中铁建工集团发布消息称，1月10日，由他们承建的“中国电科射频集成电路产业化项目”已经建成完工。该项目主要面向新一代基础设施建设布局射频集成电路设计制造、封测等全产业链的关键环节，建成后该产业园区将形成年均5亿只射频集成电路，6万片4～6英寸氮化镓射频功率器件，1000万只射频模块的设计、生产、测试能力。

三星位于美国得克萨斯州的半导体工厂有望年内竣工。该先进芯片工厂为三星于2021年11月敲定，旨在为下一代创新和技术提供动力，推进先进逻辑半导体解决方案，价值170亿美元。

日本晶圆切割机大厂DISCO拟扩产4成。为支撑旺盛需求，公司计划将切割，研磨芯片、电子零件材料的制造设备产能提高约4成，考虑在2025年度于日本长野县兴建新工厂，最快将在2023年度内于现有的茅野工厂附近取得设厂用地，总投资额预估达400亿日圆。

（3）半导体设备及材料

英飞凌科技与ResonacCorporation（前身为昭和电工）签署了一项新的多年供应和合作协议，以补充和扩大2021年的公告。根据协议，Resonac将为英飞凌提供用于生产SiC器件的SiC材料，覆盖未来十年预测需求的两位数份额。

（4）其它

智路建广联合体在完成600亿元对紫光集团的重整后，正在评估削减债务的办法，包括出售工业地产以及将紫光展锐等3家快速成长的业务部门予以上市。紫光集团高层主管讨论了三家子公司的IPO事宜，为智能手机和无人机开发5G芯片的紫光展锐、云计算部门紫光云等都在考虑之列。

拜登政府周二对澳门实施全面的新出口管制。该管制此前曾对向中国大陆出口的先进芯片和芯片制造设备实施，并指出这些技术有可能从该地区转移至中国大陆其他地方，如今这项管控措施也涵盖澳门行政特区。

受地缘因素及疫情影响，苹果制造商正在强化其供应链弹性，而印度、越南以及巴西最有希望成为苹果的下一个制造中心。根据DigiTimesResearch的最新预测，到2027年印度预计将占苹果iPhone全球产能的50%。

苹果公司的14家中国供应商已经获得印度政府的初步许可，可以在当地开展业务，其中包括立讯精密和舜宇光学科技旗下的子公司，印度方面后续可能仍会要求这些公司寻找当地的合资伙伴，以符合相关运营要求。

2. 本周话题：半导体先进封装

设计、制造和封装是集成电路产业发展的三大支柱；封装是芯片实用化的起点，是沟通芯片内部世界与外部系统的桥梁。集成电路沿着两条技术路线发展，一条是持续摩尔定律，向小型化方向发展，即通过微缩互补金属氧化物半导体（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,CMOS）器件的晶体管栅极尺寸增加芯片晶体管数量，从而提升芯片的性能。到目前为止，工艺制程已发展至5nm节点，主要产品为图像处理器（GPU）和中央处理器（CPU），全世界只有中国台湾积体电路制造股份有限公司（简称台积电）、美国英特尔和韩国三星等公司具备10nm及以下节点的制造能力。另一条是超越摩尔定律，向多样化方向发展，即采用先进的封装技术将处理、模拟/射频（RadioFrequency,RF）、光电、能源、传感、生物等集成在一个系统内，进行系统级封（SysteminPackage,SiP），实现系统性能的提升。相比常规封装，先进封装具有小型化、轻薄化、高密度、低功耗和功能融合等优点，不仅可以提升性能、拓展功能、优化形态，相比系统级芯片（SystemonChip,SoC），还可以降低成本。

 

集成电路发展路线图

 

资料来源：半导体材料与工艺公众号

封装技术的发展史是芯片性能不断提高、系统不断小型化的历史，大致分为4个阶段：第1阶段（1970年前），直插型封装，以双列直插封装（DualIn-linePackage,DIP）为主；第2阶段（1970—1990年），以表面贴装技术衍生出的小外形封（SmallOutlinePackage,SOP）、J型引脚小外形封装（SmallOutlineJ-leaded,SOJ）、无引脚芯片载体（LeadlessChipCarrier,LCC）、扁平方形封（QuadFlatPackage,QFP）4大封装技术和针栅阵列（PinGridArray,PGA）技术为主；第3阶段（1990—2000年），球栅阵列（BallGridArray,BGA）、芯片尺寸封装（ChipScalePackage,CSP）、倒装芯片（Flip-Chip,FC）封装等先进封装技术开始兴起；第4阶段（2000年至今），从二维封装向三维封装发展，出现了晶圆级封装（WaferLevelPackage,WLP）、系统级封装、扇出型（Fan-Out,FO）封装、2.5D/3D封装、嵌入式多芯片互连桥接（EmbeddedMulti-dieInterconnectBridge,EMIB）等先进封装技术。

先进封装的划分点在于工艺以及封装技术的先进性，一般而言，内部封装为引线框架(WB)的封装不被归类为先进封装，而内部采用倒装(FC)、晶圆级(WL)等先进技术的封装则可以称为先进封装，先进封装以内部连接有无载体(基板)可一分为二进行划分：

1)有载体(基板型)：内部封装需要依靠基板、引线框架或中介层(Interposer)，主要内部互连为倒装封装(FC)，可以分为单芯片或者多芯片封装，多芯片封装会在中介层(或基板)之上有多个芯片并排或者堆叠，形成2.5D/3D结构，基板之下的外部封装包括BGA/LGA、CSP等，封装由内外部封装结合而成，目前业界最具代表性且最广为使用的组合包括FCBGA(倒装BGA)、EmbeddedSiP、2.5D/3DIntegration。

2)无载体(晶圆级)：不需要基板、引线框架或中介层(Interposer)，因此无内外部封装之分，以晶圆级封装为代表，运用重布线层(RDL)与凸块(Bumping)等作为I/O绕线手段，再使用倒放的方式与PCB板直接连接，封装厚度比有载体变得更薄。晶圆级封装分为扇入型(Fan-in)跟扇出型(Fan-out)，而扇出型又可以延伸出3DFO封装，晶圆级封装为目前封装技术中最先进的技术类别。先进封装以缩小尺寸、系统性集成、提高I/O数量、提高散热性能为发展主轴，可以包括单芯片和多芯片，倒装封装以及晶圆级封装被广为使用，再搭配互连技术(TSV,Bump等)的技术能力提升，推动封装的进步，内外部封装可以搭配组合成不同的高性能封装产品

 

先进封装分类及结构图

 

资料来源：Yole，中信证券研究部

先进封装可以由单芯片、多芯片、晶圆级、基板级组合而成，晶圆级和基板级的不同源自于制程上的差异，晶圆级封装用到芯片制造的工艺，需要淀积、光刻、去胶、刻蚀等流程，相较于基板级封装，晶圆级封装能够有更小的封装体积，因此多用在小型移动设备，而基板级多用在高引脚且无体积限制的产品。一般而言，多芯片封装都在封装内部自成一个子系统，因此多芯片又可以被归类为SiP(SysteminPackage,系统级封装)，SiP封装关注在封装内的系统实现，不管先进性与否，只要是能自成系统的都可以称为SiP，而先进封装领域的SiP包括2.5D/3DFO、Embedded。2.5D/3DIntegration以及技术比较先进的异质异构封装(比如苹果手表S系列芯片)等。

 

先进封装应用

 

资料来源：wikichip，英伟达官网，苹果官网，日月光官网，集微网，中信证券研究部

单芯片基板型

FCBGA为FC与BGA合成，多用在高引脚数量和高性能ASIC(专用集成电路)。FCBGA顾名思义就是FC倒装技术与BGA技术结合的产物。这种封装使用焊球作为底部引脚来连接基板与PCB的同时，芯片通过FC技术与基板实现互连。该技术主要特点表现在以下三个方面：（1）优异的电性效能，同时可以减少组件互连间的损耗及电感，降低电磁干扰的问题，并承受较高的频率；（2）提高I/O的密度，提高使用效率，有效缩小基板面积缩小30%至60%，I/O可以支持600-1200个以上；（3）散热性好，可提高芯片在高速运行时的稳定性。FCBGA大量应用在高引脚数量和高性能ASIC，大尺寸FCBGA能提供满足互联网、工作站处理器和高带宽系统通讯设备需求的封装解决方案，目前FCBGA

常见应用包括CPU、图形加速芯片、服务器等，其改良版FCLGA可以支持数千个I/O，最典型的应用就是英特尔CPU封装。

多芯片基板型

EmbeddedSiP封装是将Die嵌入在基板内，不同于常见的形式是放在基板之上，嵌入式的好处在于芯片之间连接距离变近，能够降低功耗损失，此外这种封装方式耐热性能也较好，电源管理能力出众，因此被大量应用在电源管理芯片、传感器、影像模组、微控制器等需要低功耗及高温

环境运作的产品。

2.5D/3DIntegration为SiP封装与PoP(PackageonPackage)概念结合。2.5D及3D结构的内部封装用到倒装芯片技术以及TSV技术等进行互连，TSV为解决基板布线密度不足的技术，使用垂直互连通孔和高密度金属布线的TSV转接板（SiliconInterposer），通过转接板上的TSV结构、微凸点(Bump)等，实现高密度的互连，I/O数可以达上千个以上。2.5D封装主要的概念是将处理器、存储器或是其他的芯片，并列排在硅中介板上，先经由微凸块连结，让硅中介板之内金属线可连接不同芯片的电信号；接着透过硅穿孔来连结下方的金属凸块，再经由载板连结外部金属球，实现芯片、芯片与基板之间更紧密的互连。3DIC封装是在芯片制作CMOS结构，直接使用硅穿孔来连结上下不同芯片的电子信号，不使用中介层，将存储器或其他芯片垂直堆叠在其他芯片上面。2.5/3DIntegration大量运用在高性能、高集成的产品上，包括GPU、GPU、服务器、FPGA、HPC、存储器(HBM)、AI等多种高端应用领域。

单芯片晶圆型

晶圆级封装分为扇入型(Fan-in)跟扇出型(Fan-out)，扇入的原理就是在原芯片尺寸内部将所需要的 I/O 口排列完成，封装尺寸基本等于芯片尺寸，I/O 数量一般小于 400，大量运用在小型便携产品，应用包括电源管理、高端射频芯片，FPGA 等。而当芯片的尺寸不足以放下所有 I/O 接口的时候，就需要扇出型封装，在芯片范围外利用 RDL 做连接，以获取更多的引脚数，在环氧树脂（EMC）中嵌入每个裸片时，每个裸片间的空隙有一个额外的 I/O 连接点，这样 I/O 数会更高，使互连密度最大化，属于人为扩大芯片的封装尺寸。扇出型封装多运用在高速，低功耗和高频率的小型移动设备。

 

晶圆级封装结构图(Fan-in 及 Fan-out)

 

资料来源：Ansforce 网站《FIWLP and FOWLP Packing》（作者 Michael, Hightech），中信证券研究部

多芯片晶圆型

2.5D/3D Fan-out 由扇出型晶圆级封装发展而来，归属扇出型封装一类，其 I/O 数可高达数千个，是目前最先进的封装技术，被大量运用在应用在移动设备终端，包括用于 CPU、GPU、电源管理芯片、射频收发器芯片、基带处理器、高端网络系统等多种高端应用领域，晶圆代工厂进入 2.5D/3D Fan-out且引领整个行业。

SiP 封装

系统级封装(SiP, System in-a-package)为 MCM 封装的演进，相较于 MCM 主要为芯片组成，SiP 可以由无源器件、光电组件等不同功能的电子组件组进行排列组装，形成一个系统或者子系统，关注系统在封装内的实现。上述多芯片的封装皆可属于 SiP 封装，此外有些 SiP 封装因为工艺较先进，虽只是将有源和无源器件集成，但可以被归为先进封装，如苹果手表 S系列芯片。SiP 封装概念很广，只要是系统级封装都可以称之，包含 2D-3D 结构，现在被大量应用在穿戴式装置（如智能手表、蓝牙耳机等）、5G 毫米波（mmWave）天线封装模组（AiP）等应用。

SiP 封装、晶圆级封装和 2.5D/3D 封装为未来三大重点发展方向。因应市场上的应用，目前先进封装以 SiP 封装、晶圆级封装、2.5D/3D 封装三大类为主要发展方向，分别是集 成化、微型化、立体化的代表。各大厂商皆投入大量资源布局相关领域，为封装大量微型化、异质化、集成化、立体化、低功耗需求提供解决方案。

Chiplet（芯粒）

Chiplet 技术是一种通过总线和先进封装技术实现异质集成的封装形式。SoC(系统级单芯片)是将多个负责不同类型计算任务的计算单元，通过光刻的形式制作到同一块晶圆上。与SoC相反，Chiplet是将一块原本复杂的SoC芯片，从设计时就先按照不同的计算单元或功能单元对其进行分解，然后每个单元选择最适合的半导体制程工艺进行分别制造，再通过先进封装技术将各个单元彼此互联，最终集成封装为一个系统级芯片组。设计一个SoC系统级芯片，传统方法是从不同的IP 供应商购买一些IP，软核、固核或硬核，结合自研的模块，集成为一个SoC，然后在某个芯片工艺节点上完成芯片设计和生产的完整流程。 有了Chiplet概念以后，对于某些IP，就不需要自己做设计和生产了，而只需要买别人实现好的硅片，然后在一个封装里集成起来。Chiplet的设计理念，有助于:1.降低单片晶圆集成工艺良率风险，达到成本可控，有设计弹性，可实现芯片定制化;2.Chiplet 将大尺寸的多核心的设计，分散到较小的小芯片，更能满足现今高效能运算处理器的需求;3.弹性的设计方式不仅提升灵活性，且可实现包括模块组装、芯片网络、异构系统与元件集成四个方面的功能。

 

Chiplet技术

 

资料来源：elecfans，剑桥咨询，中航证券研究所

Chiplet包含异构集成与异质集成。异构集成:将多个不同工艺节点单独制造的芯片封装到一个封装内部，可以对采用不同工艺、不同功能不同制造商制造的组件进行封装。例如将不同厂商的7nm、10nm、28nm、45nm的小芯片通过异构集成技术封装在一起；异质集成:将不同材料的半导体器件集成到一个封装内，可产生尺寸小、经济性好、灵活性高、系统性能更佳的产品。如将Si、GaN、SiC、InP生产加工的芯片通过异质集成技术封装到一起，形成不同材料的半导体在同一款封装内协同工作的场景。

 

异构集成与异质集成

 

资料来源：CEIA电子制造

Chiplet对先进封装提出更高要求。在芯片小型化的设计过程中，需要添加更多 I/O 来与其他芯片接口，裸片尺寸有必要保持较大且留有空白空间，导致部分芯片无法拆分，芯片尺寸小型化的上限被pad（硅片的管脚）限制。并且，单个硅片上的布线密度和信号传输质量远高于Chiplet之间，要实现Chiplet的信号传输，就要求发展出高密度、大带宽布线的“先进封装技术”。

封装技术目前主要由TSMC、ASE、Intel等公司来主导，主要是2.5D和3D封装。2.5D封装技术已非常成熟，广泛应用于FPGA、CPU、GPU等芯片，2.5D封装也成为了Chipet架构产品主要的封装解决方案。3D封装能够帮助实现3D IC，即芯粒间的堆叠和高密度互联，可以提供更为灵活的设计选择。但3D封装的技术难度更高，目前主要有英特尔和台积电掌握3D封装技术并商用。

近年来，先进封装技术的内驱力已从高端智能手机领域演变为高性能计算和人工智能等领域，涉及高性能处理器、存储器、人工智能训练和推理等。当前，除了传统委外封测代工厂（OSAT）和科研机构做封装外，晶圆代工厂（Foundry）、整合元器件制造商（IDM）、无厂半导体公司（Fabless）、原始设备制造商（OEM）都在大力发展先进封装或相关关键技术。目前台积电已成为先进封装技术创新的引领者之一，相继推出了基板上晶圆上的芯片（ChiponWaferonSubstrate,CoWoS）封装、整合扇出型（IntegratedFan-Out,InFO）封装、系统整合芯片（SystemonIntegratedChips,SoIC）等；英特尔推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等先进封装技术，力图通过2.5D、3D和埋入式3种异质集成形式实现互连带宽倍增与功耗减半的目标；三星电子推出了扇出型面板级封装（Fan-OutPanelLevelPackage,FOPLP）技术，在大面积的扇出型封装上进一步降低封装体的剖面高度、增强互连带宽、压缩单位面积成本，取得性价比的优势。

市场规模

根据 Yole 数据，全球封装市场规模稳步增长，2020 年全球市场规模 660 亿美元，2025 年将提升到 850 亿美元左右，对应 CAGR 达 5.2%。中国作为全球最大的芯片消费国，市场对于封测的需求也日益增加，据中国半导体行业协会，2020/2021 年市场规模分别为 2510/2763 亿元，2013-2021 年 CAGR 为 12.2%；据前瞻产业研究员预测，2026 年有望提升至 4419 亿元，2021-2026 年 CAGR 约 9.9%，增速远快于全球，原因一是中国半导体市场需求蓬勃，二是受益于国产替代的加速进行，三是国内封测厂积极扩厂使封装量产能力增加，而刺激国内封测收入激增。

在封测市场中，先进封装又为主要成长动能，市场规模每年都在快速增长，根据 Yole 的数据，2016-2021年全球先进封装市场 CAGR 达 7.9%，2021 年市场规模为 321 亿美元，Yole 预计在 2027年达到 572 亿美元的规模，对应 2021-2027 年 CAGR 高达 10.1%，高于传统封装市场增速。此外，Yole 预计到 2026 年，先进封装市场将会追赶上传统封装的规模，占整体规模比例的 50%，先进封装的市场应用规模不断扩大。

 

先进封装市场规模

 

资料来源：Yole（含预测），中信证券研究部

由于厂商需要长期的大额资本开支，全球委外封装业务(OSAT)有较为集中的特性。大量中小型封测厂商被并购，行业集中度提升。近几年行业发生最大的一起并购案，是全球最大的封测厂日月光收购的全球第四大封测厂的矽品，并购金额高达 40 亿美元。在行业龙头割据下，封测产业从地理位置上也呈现高度集中的态势，2020 年中国台湾、中国大陆、美国市占率分别为 52%/21%/15%，合计占据 88%的市场份额。

2021年，全球前十大委外封测厂(OSAT)分别为日月光（含矽品)、安靠科技、长电科技、力成科技、通富微电、华天科技、智路封测、京元电子、南茂、颀邦，前八大厂商合计占据全球 77.5%的市场份额。从产品结构来看，日月光、长电科技更多的是高端数字 IC 的封测，包含手机芯片/处理器/CPU/射频芯片等，安靠则多是汽车电子/射频等产品封装测试，三家企业为全球前三大封测厂，也是先进封装发展最为突出的封测厂，通富微电主力营收大多来自CPU/GPU/服务器和网通设备相关封装测试，而力成科技则是更多都来自全球存储器巨头的存储器封测订单，华天科技则是以功率、射频封装、CIS 为主，各封装厂均有自己主要的封测领域。

 

全球委外封测厂商营收 Top 10

 

资料来源：ChipInsights，中信证券研究部

各大晶圆代工厂为了增加市场竞争力，早已开始布局先进封装，以晶圆代工大厂台积电为例，其在 2015 年推出的 InFO 封装技术独揽苹果 A10 处理器订单，带动了业界对扇出型堆叠技术的热潮，之后也陆续推出 CoWoS-L、SoIC 等封装技术，三星推出了以3D-TSV技术为核心的X-Cube等一系列先进封装技术，Intel推出混合键合(Hybrid bonding)概念等。传统封测厂包括日月光、长电等头部玩家，也都在积极备战，其所跨足的 2.5D/3D立体结构封装，在晶圆代工厂都能找到相对应的产品。因为立体结构的封装技术中涉及前道工序的延续，晶圆代工厂出于其对前段制程的了解，于整体布线的架构掌握性更高，因此在密度高的封装上，比传统封测厂优势更大。而传统封装厂善于后道封装，有异质异构的集成优势，因此在多功能性基板整合组件方面（比如 SiP 封装）占据主要市场份额。

 

全球先进封装主要厂商

 

资料来源：各公司公告，中信证券研究部

大陆先进封装企业

长电科技

国内第一大和全球第三大的封测厂，2021 年公司先进封装产品销量占比 44%，营收占比超 60%，公司预计营收占比将持续提升。公司先进封装技术包括 FC、TSV、SiP、2.5D/3D、晶圆级等产 品，为国内先进封装最突出的厂商，产品聚焦 5G 通信类、高性能计算、消费类、物联网、汽车电子和工业等重要领域。长电科技在 SiP 方面大力布局，旗下多个厂均有相关业务，2.5D/3D 封装亦为世界一流的水准，产品覆盖与日月光旗鼓相当。2022 年公司推动技术开发 5 年规划，面向 5G/6G 射频高密度，超大规模高密度 QFN 封装，2.5D/3D chiplet,高密度多叠加存储技术等先进技术开展前瞻性研发，公司计划 2022 年 Capex 为 60 亿元，其中 70%投资先进封装，并重点聚焦 5G、汽车电子、大数据存储等热门封装领域。此外，长电科技与中芯国际合作紧密，中芯国际为长电科技股东之一，在需要前道工艺辅助的2.5D/3D 封装技术，双方有望在半导体产品的制造和封测环节协同合作，增强长电科技较其他 OSAT 厂的差异化竞争优势，进而提升其市场地位，我们持续看好长电科技在国内先进封测的领先优势。

 

长电科技先进封装产品图

 

资料来源：长电科技官网

通富微电

通富微电是国内第二大和全球第五大的封测厂，公司的六大生产基地有四个面向先进封装，目前先进封装营收占比已超 70%。通富微电的封装主要应用于 CPU/GPU，2015 年并购 AMD 苏州和滨城封测厂获得高脚数 FC(倒装)技术，包括 FCBGA、FCPGA、FCLGA、MCM，目前公司已具备 Chiplet 封装的大规模生产能力，并能够支持 7/14/16 纳米节点，正向 5nm 进阶，已实现 5nm 产品的工艺能力和认证。此外 SiP 方面公司也有布局，2018 年，SiP NB-IoT 制造的产品成功招标进入中国电信等运营商模组解决方案，公司 2.5D 封装以扇出晶圆级封装及倒装芯片为主，国产化 CPU 已具备初段自主可控能力，通富微电 CPU/GPU 专用封测能力行业领先，有望优先受益。

 

通富微电先进封装产品图

 

资料来源：通富微电官网，中信证券研究部

华天科技

华天科技为国内第三大，全球第六大的封测厂，公司技术包括 DIP、SOT、QFP、QFN、BGA/LGA、FC、SiP、Fan-Out 等低到高端系列。公司目前由传统封装贡献大半营收，同时积极向先进封装拓展。产线布局来看，旗下华天西安厂区以 SiP 封装为主轴，华天昆山及华天南京聚焦其他先进封装，包括 2.5D/3D 封装、晶圆级封装等。产能来看，华天科技 2021 年晶圆级电路封装产量 143.51 万片，发展空间仍大。公司于 2021 年 1 月非公开发行募集资金，计划投入50 亿元进行产能扩充及研发测试，大部分的资金将布局先进封装，其中 11.5 亿元用于高密度 SiP 产能扩产，达产后年产量 15 亿只，另有 9.8 亿元加码 TSV/FC 技术产业化，规划年产能为晶圆级封测产品 33.60 万片、FC 产品 4.8 亿只。公司以 2.5D TSV 技术封装的CIS 为突破口进军先进封装，以定增募投项目加速产能提升，未来有望持续完善技术及产品布局。

 

华天科技先进封装产品图

 

资料来源：华天科技官网，中信证券研究部

免责声明：本文章不涉及投资建议，仅供分享观点所用。

参考资料：

中信证券：电子行业半导体先进封装专题：超越摩尔定律，先进封装大有可为；

中航证券：半导体行业深度：后摩尔时代新星，Chiplet与先进封装风云际会；

中泰证券；机械行业先进封装工艺与设备研究：先进封装大势所趋，国产设备空间广阔；

公众号：半导体材料与工艺：先进封装技术的发展与机遇；