半导体周报(国科龙晖整理)-0212
1、行业新闻及动态
（1）半导体设计
德州仪器近期发布了低功耗 60GHz 毫米波雷达传感器 IWRL6432 和 AWRL6432。基于雷达的传感器集成电路 (IC) 得益于其远距离探测能力、高运动灵敏度和隐私保护的特性，成为一种常用的传感技术，凭借其高精度，雷达传感器广泛的应用在在汽车和工业市场中，例如盲点检测、碰撞检测、人员存在和运动检测等应用。近年来，60GHz 和 77GHz 雷达传感器取代了 24GHz 雷达传感器，具有更高的分辨率、更高的精度和更小的外形尺寸，60GHz 和 77GHz 雷达频段还支持了多种新的应用，例如车辆中的儿童存在检测和医院中的老年人跌倒检测。
比利时微电子研究中心（IMEC）预测，芯片工艺将于2036年进入0.2nm时代。近日，IMEC提出了一条芯片工艺技术发展路径，并预计人们通过在架构、材料、晶体管的新基本结构等方面的一系列创新，2036 年芯片工艺有望演进到0.2nm。
（2）半导体制造及封测
台积电2nm厂的中部科学园区台中园区扩建二期开发计划，预估产值可达5014亿元，提供4500人就业机会，拉大与三星、英特尔等劲敌的差距，维持2024年风险试产，2025年量产规划，目前进展良好。
中芯国际2022Q4实现收入117.53亿元，同比增长14.6%，毛利率为33.1%，2023Q1指引为收入预计环比下降10%~12%，毛利率预计下降至19%~21%之间，预计2023年全年收入同比降幅为低十位数，毛利率20%左右，资本开支与2022年大致持平。
宁波众芯半导体有限公司半导体光电和功率器件IDM项目开工。宁波前湾新区发布消息显示，该项目是前湾新区引进的第一个晶圆制造类项目，总投资9.8亿，采用芯片设计、晶圆制造、封装测试为一体的IDM（垂直整合）模式，主要建设6万片，月的6英寸硅基晶圆生产线和7000万颗，月的SOT、IPM、PDFN、TO封装测试产线
堪萨斯州（Kansas）州长Laura Kelly宣布，美国最大外包半导体封装测试企业Integra Technologies，将在威奇塔（Wichita）进行该州历史上第二大私人投资。Integra方面，除了希望在未來五年內创造最少两千个工作机会，还希望建造一个100万平方英尺的总部和配有高科技机械的生产设施，外媒消息显示，Integra Technologies计划在美国的支持下在堪萨斯州建设美国最大的封装厂，它已经与州政府达成了3.04亿美元的协议。
（3）其他
美国商务部工业与安全局BIS以支持中国军事现代化为由，宣布将中国电科48所等6家中国企业列入实体清单。
拜登政府计划直接禁止对一些中国科技公司投资，预计适用于一些与芯片生产相关的投资。
三星、SK海力士高层前往美国争取《芯片与科学法案》豁免权，根据规定若三星、SK海力士获得美国政府补贴则未来10年不得在中国进行额外投资。
日本政府承担与各种半导体相关的部分资本投资换区企业10年的生产保证，动用28亿美元确保电动汽车和其他应用领域半导体的稳定供应。
据路透社报道，高通在财报电话会议上回应指出，预计其目前向中国电信巨头华为出口4G、Wi-Fi和其他芯片的许可不会受到美国商务部已停止授予出口许可的报道的影响。
1. 本周话题：半导体材料—掩膜版
掩膜版（Photomask）又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是微电子制造过程中的图形转移工具或母版，是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体。掩膜版用于下游电子元器件制造业批量生产，是下游行业生产流程衔接的关键部分，是下游产品精度和质量的决定因素之一。
掩膜版工作原理
资料来源：清溢光电招股说明书
掩膜版的功能类似于传统照相机的“底片”，其工作原理如下：根据客户所需要的图形，掩膜版厂商通过光刻制版工艺，将微米级和纳米级的精细图案刻制于掩膜版基板上，掩膜版的原材料掩膜版基板是制作微细光掩膜图形的感光空白板，再将不需要的金属层和胶层洗去，即得到掩膜版产成品。掩膜版对下游行业生产线的作用主要体现为利用掩膜版上已设计好的图案，通过透光与非透光的方式进行图像（路图形）复制，从而实现批量生产。
掩膜版分类
掩膜版主要由基板和遮光膜两个部分组成。基板分为树脂基板和玻璃基板，玻璃基板主要包括石英基板和苏打基板，根据遮光膜种类的不同，可以分为硬质遮光膜和乳胶。光掩膜按用途分类可分为四种，分别为铬版(chrome)、干版、液体凸版和菲林。其中，铬版精度最高，耐用性更好，广泛应用于平板显示、IC、印刷线路板和精细电子元器件行业；干版、液体凸版和菲林主要用于中低精度LCD行业、PCB及IC载板等行业。
掩膜版主要分类
资料来源：清溢光电官网
掩膜版生产工艺流程
掩膜版的主要生产工艺流程如下：
（1）图形设计：收到客户图形后，通过专业设计软件对客户的图形做二次编辑处理与检查。
（2）图形转换：将客户要求的版图设计数据分层，运算。再按照相应的工艺参数将文件格式转换为光刻设备专用的数据形式。
（3）图形光刻：通过光刻机进行激光光束直写完成客户图形曝光。掩膜版制造都是采用正性光刻胶，通过激光作用使需要曝光区域的光刻胶内部发生交联反应，从而产生性能改变。
（4）显影：将曝光完成后的掩膜版显影，以便进行蚀刻。在显影液的作用下，经过激光曝光区域的光刻胶会溶解，而未曝光区域则会保留并继续保护铬膜。（5）蚀刻：对铬层进行蚀刻，保留图形。在蚀刻液的作用下，没有光刻胶保护的区域会被腐蚀溶解，而有光刻胶保护的区域的铬膜则会保留。
（5）脱膜：光刻胶的保护功能已经完成，脱膜工序通过脱膜液去除多余光刻胶。（7）清洗：将掩膜版正、反面的污染物清洗干净，为缺陷检验做准备。
（8）尺寸测量：按照品质协议对掩膜版关键尺寸（CD精度）和图形位置（TP精度）进行测量，判定尺寸的准确程度。
（9）缺陷检查：对照客户技术/品质指标检测掩膜版制版过程产生的缺陷并记录坐标及相关信息。掩膜版的基本检查主要有：基板、名称、版别、图形、排列、膜层关系、伤痕、图形边缘、微小尺寸、绝对尺寸、缺陷检查等。
（10）缺陷修补：对检验发现缺陷进行修补。修补包括对丢失的细微铬膜进行LCVD沉积补正以及对多余的铬膜进行激光切除等。
（11）清洗：再次清洗为贴合掩膜版Pellicle做准备。
（12）贴膜：将Pellicle贴合在掩膜版之上，降低下游客户制造过程中灰尘造成的不良率。
（13）检查：对掩膜版作最后检测工作，以确保掩膜版符合品质指标。
（14）出货：对掩膜版进行包装，然后发货。
掩模版技术演进
乳胶超微粒干版光掩模：乳胶超微粒干版光掩模由分散在以明胶作为载体的卤化银乳剂(感光主体)，经均匀涂布在清洁平整的光掩模玻璃基板上制成。其通过曝光、显影、定影等工序后，曝光区域还原出黑色的银微粒形成遮光区，未曝光区域的卤化银被定景影液溶解释出，只留下透明的乳胶层。采用超微粒乳胶干版投片，接触式光刻的光刻精度可达到1um。干版光掩模具有敏感度高(可见光、i线、g线)、分辨率高、对比度大等特点，在当时长期被用作分立器件和中小规模集成电路掩模。在接触式光刻中，掩模版直接与光刻胶层接触以实现图形移转，图形接触式转移可保证成像过程的复制质量，避免引入放大率光学误差，在特定应用范围内具有优势，但由于是直接接触，光刻胶会污染掩模版，造成磨损累积缺陷，影响使用寿命，因此接触式光刻掩模逐渐被投影光刻掩模所替代。在投影光刻中，匀胶铬版光掩模最为常见。
匀胶铬版光掩模：匀胶铬版光掩模是在平整的光掩模基板玻璃上通过蒸发或溅射沉积上厚约0.1um的铬-氧化铬膜而形成镀铬基板，再涂敷一层光刻胶制成的匀胶铬版。它具有高敏感度、高分辨率、低缺陷密度的特点，是制作微细光掩模图形的理想感光性空白版。匀胶铬版通过光刻工艺得到所需的光掩模版。匀胶铬版的制作工艺相对复杂、技术难度大、成本高，但它具有分辨率高、缺陷低、耐磨、易清洁处理、使用寿命长的优势，适用于制作高精度、超微细图形，现已逐渐替代接触式乳胶干版掩模，成为集成电路掩模的关键材料。匀胶铬版光掩模可应用的光学范围很广，覆盖了g线、i线、KrF(248nm)以及ArF(193nm)等曝光波长。
匀胶铬版光掩模制作流程
资料来源：公开资料整理
二元掩模：像匀胶铬版光掩模这种，在刻蚀铬层后可生成简单的由黑区和白区组合的二元图像，也叫做二元掩模（BinaryIntensityMask，BIM），也称为双极型掩模。如下图所示，传统穿透式掩模，黑区完全不透光，白区完全透光，光线穿透白区作用在硅片相应位置上，使光刻胶反应产生光酸，通过后续的显影工艺将其去除或保留后形成图像。
RET技术：芯片制造厂之所以能将193nm波长光刻技术扩展到16nm/14nm，甚至10nm/7nm节点使用，除了最先进光刻机的使用以及光刻胶技术的创新外，也引入额外的技术，这些提高图案保真度、扩展器件功能、增强分辨率的技术统称RET(ResolutionEnhancementTechnology)主要包括：
·移相掩模(Phase-ShiftingMask,PSM)技术
·光学邻近效应校正(OpticalProximityCorrection，OPC)掩模制造技术
·离轴照明(Off-Axis Illumination,OAI)技术
·亚分辨率辅助图形(Sub-ResolutionAssistanceFeature,SRAF)技术
·逆向光刻(InverseLithography)掩模设计与制造技术
·双重图形化掩模(MaskforDoublePatterningTechnology)设计与制造技术
·浸没(Immersion)技术等
利用以上可使光学曝光技术的分辨能力超越光学理论的分辨率极限，达到亚波长、半波长，甚至1/4波长和1/8波长的加工分辨能力。比如采用ArF(193nm)的光源的扫描光刻机的极限为65nm的线宽，而利用浸没技术，ArF光源实际等效的波长为193nm/1.4=132nm，其最小分辨率可以达到38nm。再通过采用多重图形技术（多重曝光），可使光刻水平进一步提高，可支撑7nm节点工艺。
EUV光掩模：随着工艺节点的不断缩小，到了7nm以下，采用ArFi光刻系统需要进行四重曝光，故ArFi光刻在技术和经济成本上面临更大的挑战。随着业界内极紫外光刻技术(ExtremeUltravioletLithography,EUV)的发展，出现了适用于EUV光刻机的极紫外光掩模技术。由于极紫外光源曝光波长极短（一般为13.5nm），这样的曝光环境下物质吸收性很强，传统的穿透式光刻掩模版不能继续使用，而要改成适应反射式光学系统多层堆叠结构的反射型掩模版，在实际运用中，当以一定的角度将EUV光源照射到掩模版上，需要通过多次反射镜面照射到晶圆上，从而图案化。如下图所示，EUV光掩模的衬底材料为40到50个硅钼(MoSi)交替层，大致为250nm到350nm厚的多层堆叠结构（对极紫外光有较高的反射系数）。上面则是一个钌(Ru)的覆盖层，再往上就是基于钽的吸收层。由于13nm的极紫外光具有X射线光谱特性，可实现的反射微影过程的图形转移，传递几乎无失真，因此掩模的图形设计和相关工艺复杂程度可以得到相应降低。
在EUV掩模版生产过程中，其最大的挑战在于掩膜板上图案的定位，而由于多束技术能够支持多次重复制备(因为是多束，可以理解为每束电子束都会在掩模板上做一次图案的写入)，因此在业界普遍采用可变性光束(VariableShapeBeam,VSB)的方式来制造EUV掩模版。在7nm工艺节点，使用一个EUV掩模版即可完成(单次曝光)，与193nm技术的多重曝光相比，在OPC(光学接近度校正)方面会容易很多，但当节点来到5nm及以下时，多次曝光成为必然，EUV掩模版就需要更多的补偿修饰以得到正确的晶圆图案设计，这就需要高级OPC或者ILT技术去对掩模版进行正确的设计。此外，EUV掩膜用的计量检测系统与设备也是EUV掩模版面临的重要技术突破。
光掩膜产业链
光掩膜上游主要包括图形设计、光掩膜设备及材料行业，主要供应厂商包括日本东曹，日本信越化学、日本尼康和菲利华等；中游为掩膜版制造行业，主要企业包括日本HOYA，日本DNP，韩国LG-IT、日本SKE和清溢光电；下游主要包括IC制造、IC封装、平面显示和印制线路板等行业，广泛应用于消费电子、家电、汽车等电子产品领域，主要客户为半导体厂商英特尔、三星、台积电等以及显示屏厂商京东方、华星光电等。
掩膜版上下游产业链
资料来源：清溢光电官网、中泰证券研究所
行业现状及趋势
2022年10月7日，美国公布修订后的《出口管理条例》，加大对于半导体设备及零部件的出口供货限制，将250nm及以下制程的掩膜版纳入了限制清单；11月9日据韩媒报道，近年掩膜版供给告急，2023年行业或将再涨价最多25%；报道称，目前掩膜版供给紧张、价格攀升，如美商Photronics、日本DNP和Toppan、韩国FST以及中国台湾光罩等厂家订单积压不少。当前，半导体原材料市场仍是我国的弱项，未来，核心材料国产化替代潜力巨大。
根据SEMI的数据显示，全球掩膜版市场规模由2019年的41亿美元增长至2022年49亿美元，2019-2022年复合增速6%左右。未来全球半导体掩膜版市场将保持稳健增长的态势，预计2023年将达51亿美元。
2017-2023年全球半导体掩膜版市场规模预测趋势图
资料来源:SEMI、中商情报网
目前，由于掩膜版行业门槛较高，国内掩膜版行业主要由国外掩膜版厂商占据，美国Photronics、日本DNP以及日本Toppan三家公司占比分别为32%、27%和23%，市场份额超过80%。
全球掩膜版市场竞争格局
资料来源:中商情报网
目前，中国对掩膜版市场需求可观。根据中国掩膜版行业发展战略分析报告数据显示，2020年中国半导体掩膜版市场规模约为53亿元，预计2025年国内半导体掩膜版市场规模有望达到94亿元。
2019-2025年中国半导体掩膜版市场规模现状及预测情况
资料来源:中国掩膜版行业现状深度调研与发展战略分析报告
由于掩膜版行业技术门槛较高，全球和中国市场均形成了美日韩企业垄断的市场格局，中国大陆长期直面国外掩膜版厂商的激烈竞争。
（1）掩膜版核心生产设备和关键原材料主要依赖进口。光刻是掩膜版生产过程中的重要步骤，其所需要的主要生产设备光刻机需要向境外供应商采购，且供应商集中度较高，主要为瑞典的Mycronic、德国的海德堡仪器两家公司。基板是掩膜版所使用的主要原材料，目前国内清溢光电、路维光电所使用的石英基板及高端的苏打基板仍依赖于进口，主要进口地为日本、韩国等。
（2）行业技术壁垒高，国内掩膜版配套企业少。在掩膜版设备、材料、制造等方面，我国仍处于产业链低端位置，与国外技术差距较大。目前，在高端掩膜版产品的技术水平和综合产能上与国际厂商仍存在一定差距。如CD精度和TP精度分别为50nm和200nm，尚未达到国际主流水平，国产半导体掩膜版仍有较大的改进空间。
资料来源:清溢光电招股说明书、中泰证券研究所
（3）但相比于专利来看，2021年中国掩膜版技术专利申请数量为690项。国产掩膜版目前已突破多项关键核心技术，打破了国外厂商在上述产品和技术领域的长期垄断，掩模版国产化进程指日可待。
2014-2021年中国掩膜版相关专利申请趋势
资料来源:佰腾网、观知海内咨询整理
目前，随着半导体制程节点的升级，掩膜版在图形尺寸、精度和工艺要求等方面的要求也不断提升。
1）图形尺寸：以掩膜版最小图形尺寸为例，180nm制程节点半导体产品所对应的掩膜版最小图形尺寸约为750nm，28nm制程节点产品对应约120nm。目前境内芯片主流先进制造工艺为28nm，境外主流为7至14nm，对应掩膜版图形尺寸为60~120nm的工艺区间。
2）精度水平：半导体掩膜版IC封装和IC器件上，国际最高水平均达到CD精度10nm，TP精度20nm，国内最高水平CD精度为20nm，TP精度在IC封装和IC器件上分别为30/50nm。
3）全球晶圆厂大幅扩产，将推动半导体掩膜版需求的进一步提高。据SEMI预计2021年到2024年将有25家新建的8英寸晶圆厂投入运营，其中中国大陆14家。目前130nm以上制程占比54%，是目前主流制程；28-90nm制程占比33%，22nm以下制程占比13%，未来先进制程掩膜版占比有望持续提升，刺激对先进制程半导体掩膜版的需求。
不同制程半导体掩膜版占比
资料来源:SEMI国信证券经济研究所整理
未来可预见的期间内，半导体掩膜版市场空间将不断扩大。同时越来越多国产厂商在技术上取得突破，国内供应商有了更充足的时间追赶国际头部公司，国产替代空间巨大。
大陆光掩膜企业
清溢光电（688138）
公司简介深圳清溢光电股份有限公司，主要从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务，是国内成立最早、规模最大的掩膜版生产企业之一。公司2008年12月被认定为深圳市首批“国家高新技术企业”。公司拥有深圳市光掩膜技术研究开发中心和广东省光掩膜工程技术研究开发中心，在国内掩膜版领域，代表了中国掩膜版产业的领先技术水平。公司的主要产品为掩膜版，产品主要应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业，是下游行业产品制造过程中的关键工具。掩膜版用于下游电子元器件制造业批量生产，是下游行业生产流程衔接的关键部分，是下游产品精度和质量的决定因素之一。公司始终坚持自主研发创新，代表了国内掩膜版企业的领先技术水平。公司掩膜版产品主要有石英掩膜版、苏打掩膜版和其他掩膜版。
公司的主要核心技术来源于自主研发，相关技术在产品应用过程中不断升级和积累，并运用于公司的主要产品中。自成立以来，公司对掩膜版领域核心技术的发展持续跟踪并进行深入研究开发，目前公司在研项目有大尺寸高精度掩膜版涂胶项目、8.5代HTM工艺项目、高精度SiP系统级与晶圆级封装用掩膜版工艺项目等。通过不断加大技术研究、产品开发投入力度，对产品技术不断进行改进和创新，公司产品功能、技术水平得到了提高和完善。目前公司累计获得发明专利27个，实用新型专利23个，软件著作权37个，设计布图1个。除此之外，公司研发费用逐年上涨，相较同行，公司研发费用率较高，厚积薄发推动产品更新迭代。
菲利华（300395）
湖北菲利华石英玻璃股份有限公司现为国内外具有较大影响力和规模优势的石英材料及石英纤维制造企业，全球少数几家具有石英纤维批量生产能力的制造商；国内航空航天等国防军工领域唯一的石英纤维供应商，也是国内唯一一家通过国际三大半导体原产设备商认证的石英材料企业。公司始建于1966年，现拥有荆州、潜江、上海三个生产基地以及上海技术研究院。公司已取得ISO9001、ISO14001、ISO45001管理体系认证，是国家高新技术企业、湖北省高性能石英玻璃及石英纤维工程技术研究中心、湖北省企业技术中心、湖北省博士后产业基地。公司致力于航空航天、半导体、太阳能、光纤通讯、光学等高新技术领域的配套服务，公司主要产品包括光通讯、半导体、航空航天及其他领域用高性能石英玻璃材料、石英纤维及制品。
公司专注于石英玻璃材料、石英纤维及制品的研发生产，近五年研发支出不断增加，研发费用占营业收入比例保持在5%以上，2021年全年公司研发投入为9,488.90万元。通过持续的技术创新，公司形成了诸多具有自主知识产权的工艺技术和产品设计，截止2021年底公司共取得国家发明专利22件，实用新型专利50件，其中国际专利1件。公司是国内唯一具有军工资质的石英纤维供应商。随着国内商业航天活动的日益活跃，以及北斗导航、高分专项、民用空间基础设施等重大专项的深入推进，国内航天发射活动将保持高度活跃；同时受益于武装力量结构与规模的优化调整，以及武器装备建设投入的提高，对军用级设备材料的需要会日益增长，但是军用石英纤维技术壁垒较高，为公司在该领域的发展建立了护城河。除此之外，随着国内半导体、光纤通讯等产业的迅速发展，公司作为主要原材料供应商将会受益。在光学领域，公司是国内少数几家从事合成石英玻璃研发与制造的企业，在大规格合成石英玻璃材料制造技术及生产规模上，处于国内领先地位。公司的高端光学合成石英玻璃材料已在多个国家重点项目中使用。公司在国内独家研发生产G8.5代光掩膜基板，打破了长期以来国外垄断。2020年，上海石创在合肥设立了合肥光微光电科技有限公司，拟从事光掩膜基板精加工业务，为TFT-LCD和IC用光掩膜版的国产化提供支撑。
路维光电（已过会）
公司自成立至今，一直致力于掩膜版的研发、生产和销售，产品主要用于平板显示、半导体、触控和电路板等行业，是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本。经过多年技术积累和自主创新，公司已具有G2.5-G11全世代掩膜版生产能力，可以配套平板显示厂商所有世代产线；实现了250nm制程节点半导体掩膜版量产，并掌握了180nm/150nm节点半导体掩膜版制造核心技术，满足先进半导体芯片封装和器件等应用需求。公司在G11超高世代掩膜版、高世代高精度半色调掩膜版和光阻涂布等产品和技术方面，打破了国外厂商的长期垄断，对于推动我国平板显示行业和半导体行业关键材料的国产化进程、逐步实现进口替代具有重要意义。
自成立以来公司一直致力于掩膜版的研发，至今已突破多项关键核心技术。公司拥有国内首条G11高世代掩膜版生产线，于2019年在国内首次实现G11TFT掩膜版投产，开启我国超高世代掩膜版自主供应的新篇章。公司的“G11光掩膜版项目”于2020年8月被中国电子材料行业协会和中国光学光电子行业协会液晶分会联合授予“2019年中国新型显示行业产业链突出贡献奖”。在成都路维高世代掩膜版生产基地建成后，公司成为国内唯一一家可以全面配套不同世代面板产线（G2.5-G11）的本土掩膜版企业。此外，公司在高世代高精度半色调掩膜版领域打破国外技术垄断，实现全世代产品的量产。公司的半色调掩膜版产品荣获中国电子材料行业协会和中国光学光电子行业协会液晶分会联合授予的“2020年中国新型显示行业产业链发展贡献奖之创新突破奖”，已通过京东方和中电熊猫等客户的严格认证并实现销售。公司在掩膜版行业有着丰富的行业经验和研发实力，于2020年被广东省科技厅认定为广东省超高精度激光加工光掩膜版工程技术研究中心。多年来，公司一直致力于掩膜版的技术研发，已经形成了一支技术经验丰富的技术研发团队，技术研发人员大部分拥有多年研发工作经验和专业的技术能力。公司多次承担国家及省市政府部门的技术改造、技术攻关等科研项目，其中高世代光掩膜版产线建设项目获得国家发改委、工信部批复，纳入2017年电子信息产业技术改造专项。同时，公司的产品还取得多项行业专业奖项。公司坚持“以屏带芯”的发展战略，以公司先进的平板显示掩膜版技术为基础，持续加大研发投入，带动公司半导体掩膜版产品的技术革新与产品升级。目前公司已实现250nm制程节点半导体掩膜版量产，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、先进指纹模组封装、高精度蓝宝石衬底（PSS）等产品应用。公司通过自主研发，已掌握180nm/150nm节点半导体掩膜版制造核心技术，同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关产品，为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。
免责声明：本文章不涉及投资建议，仅供分享观点所用。
参考资料：
中泰证券：化工行业掩膜版：光刻工艺“底片”，国产替代步伐加快
国泰君安：掩膜版行业首次覆盖报告：需求复苏叠加产能扩张，掩膜版国产替代加速
