半导体周报(国科龙晖整理)-0312
1. 行业新闻及动态
（1）半导体设计
据外媒报导，苹果即将推出新款13英寸和15英寸MacBookAir，并将导入苹果自研基于台积电3nm代工的M3处理器，有望成为苹果历来性能最强的笔记本电脑，伴随今年秋季即将推出的高端iPhone。15系列也将导入台积电3nm代工的全新A17处理器，台积电先进制程接单动能强劲。
英飞凌与联电宣布，双方就车用微控制器（MCU）签订长期合作协议，此产品采用英飞凌专有的嵌入式非挥发性存储（eNVM）技术，于联电新加坡Fab 12i厂以40纳米制程技术制造。在今年，英飞凌车用微控制器的销售量已攀升至每日近百万颗，英飞凌CEO Rutger Wijburg表示，通过这项策略性的合作协议，英飞凌得以确保额外的长期产能供应，可以在快速成长的汽车市场为英飞凌的客户提供服务。
据外媒报道，英特尔相关人士透露，目前英特尔的埃米级工艺节点Intel 20A和Intel 18A已成功流片，也就是有相关设计定案，即规格、材料、性能目标等均已完工。此外，英特尔的代工服务，IFS，目前已经有43家潜在合作伙伴正测试芯片，其中至少7家来自全球TOP10的芯片客户，代工业务方面，据悉目前全球需要晶圆代工的十家最大客户中，有7家正与英特尔积极探索合作，比如，在2022年7月，英特尔和联发科宣布建立战略合作伙伴关系，未来联发科将利用英特尔代工服务(IFS)的16nm制程，Intel 16，工艺制造芯片，英特尔未来最先进的Intel 3以及Intel 20A，18A也都将会对外开放。
（2）半导体制造及封测
据台湾经济日报称，晶圆代工成熟制程杀价风暴扩大，甚至业界传出有部分晶圆厂愿意折价10%~20% 换取客户订单。报道称，由于产能利用率拉升状况不如预期，联电，力积电，世界先进等晶圆代工厂祭出“只要来投片，价格都可以谈”策略，客户若愿意多下单，价格折让幅度可达一至两成，比先前降价幅度更大。
据韩媒报道，韩国半导体晶圆制造商SK siltron Inc，将投资6.4亿美元，到2025年将其碳化硅 (SiC) 晶圆产量扩大17倍。早在2022年7月，SK Siltron就称，到2026年美国的碳化硅衬底项目投资金额合计要达到6亿美元（约41亿人民币）。
中建二局中标47.4亿元天津中芯西青代工生产线项目，二，三，四期，施工总承包，该项目位于天津市西青区，总建筑面积57万平方米，包含生产厂房，动力中心，办公楼，仓库等生产和配套设施39项，项目预计建设工期609天。根据协议，中芯国际拟在津建设12英寸晶圆代工生产线项目，投资总额为75亿美元，产品主要应用于通讯，汽车电子，消费电子，工业等领域，拟选址西青开发区赛达新兴产业园，规划建设产能为10万片，月的12英寸晶圆代工生产线，可提供28纳米—180纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。
（3）半导体设备及材料
3月10日报道，美国致力于扩大对中国出口芯片技术的新限制，消息人士指出，拜登政府已向应用材料等美企公布这项计划，预计最早会在下个月宣布新的限制措施，消息人士提到，美国将与供应关键芯片制造设备的日本和荷兰联手磋商，以目前17种制造先进半导体的设备受到出口管制来看，若是日本，荷兰加入抵制行列，那受限制的设备数量将再翻倍。
荷兰光刻机巨头阿斯麦ASML，发布声明表示，ASML预计必须申请许可证方可出口DUV设备。同时公司还表示，新的出口管制措施并不针对所有浸润式光刻系统，先进程度相对较低的浸润式光刻系统已能很好满足成熟制程为主的客户的需求。该公司主流的DUV光刻机产品共有三款设备：TWINSCAN NXT：1980Di，TWINSCAN NXT：2000i和TWINSCAN NXT：2050i，其中2000i和2050i两款是公司在声明所指的产品，ASML此前预计2023年在中国的销售额将保持在22亿欧元左右。
（4）其它
据美国半导体行业协会（SIA）统计，2022年全球半导体产业销售额为5741亿美元，与2021年的5559亿美元相比增长了3.3%。中国大陆2022年总销售金额虽然较2021年减少了6.3%，但是仍然保持全球最大的半导体单一市场，2022年总销售金额达到1803亿美元，占比约32.5%。
全球DRAM市场在经历2020和2021年增长后，因DRAM市场下行周期，地缘政治和全球通膨等导致市场需求降低影响，2022年快速下滑。调研机构Yole Intelligence表示，2022年PC DRAM模块市场规模由2021年约103亿美元，下滑为66亿美元，大幅年减36%，同期服务器DRAM模块市场则是由约330亿美元，增长为331亿美元，微幅年增0.4%。
据《彭博社》报导，英特尔已经与德国当局达成协定，在马德堡（Magdeburg）建厂，并获得68亿欧元政府补贴。目前还需要欧盟委员会批准，但知情人士透露，由于大环境严峻，英特尔去年底延后开工，现在则寻求更多补助，英特尔去年宣布在欧洲进行扩张，当时预计将斥资330亿欧元，包括在法国建立研究中心并扩大爱尔兰的现有芯片厂，其中最重要的就是马德堡的晶圆厂建设，但俄乌冲突爆发后，欧洲能源价格极不稳定，通货膨胀使建筑成本飙升。知情人士透露，英特尔最初预估德国专案将花费170亿欧元，但现在预计将花费300亿欧元，与大部分透过欧盟芯片法获得政府补助的专案一样，英特尔预计这个专案可获得约40%补贴。
根据国务院关于提请审议国务院机构改革方案的议案，组建国家数据局，负责协调推进数据基础制度建设，统筹数据资源整合共享和开发利用，统筹推进数字中国，数字经济，数字社会规划和建设等，由国家发展和改革委员会管理。
2. 本周话题：半导体材料—靶材
靶材是制备薄膜的主要材料之一，主要应用于集成电路、平板显示、太阳能电池、记录媒体、智能玻璃等，对材料纯度和稳定性要求高。溅射靶材的工作原理：溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体即为溅射靶材。靶材发展趋势是：高溅射率、晶粒晶向控制、大尺寸、高纯金属。
溅射靶材原理
资料来源：阿石创，西南证券整理
靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。（1）靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分，涉及高纯金属、晶粒取向调控。在溅射镀膜过程中，靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜；（2）背板起到主要起到固定溅射靶材的作用，涉及焊接工艺。由于高纯度金属强度较低，而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程。机台内部为高电压、高真空环境，因此，超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板需要具备良好的导电、导热性能。
镀膜的主要工艺有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。（1）PVD技术是目前主流镀膜方法，其中的溅射工艺在半导体、显示面板应用广泛。PVD技术分为真空蒸镀法、溅镀法和离子镀法。三种方法各有优劣势：真空蒸镀法对于基板材质没有限制；溅镀法薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜好；离子镀法的绕镀能力强，清洗过程简化，但在高功率下影响镀膜质量。不同方法的选择主要取决于产品用途与应用场景。（2）CVD技术主要通过化学反应生成薄膜。在高温下把含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质引入反应室，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜。
靶材产业链
靶材产业链来看，溅射靶材的生产可分为金属提纯、靶材制造、溅射镀膜、终端应用四个环节。
靶材产业链
资料来源：江丰电子招股说明书
金属提纯：上游材料端，用铝、铜、钽、钛等金属以金属提纯方式形成高纯金属，作为靶材制造的原材料。高纯度乃至超高纯度的金属材料是生产高纯金属靶材的基础，靶材杂质含量过高会直接影响沉积薄膜的性能，高纯金属提纯技术是靶材行业的核心壁垒之一，单纯的金属提纯无法满足靶材要求，而超高纯铜、超高纯铝等核心技术多掌握在霍尼韦尔、日矿、东曹等美、日企业手中，并且持有专有技术，但近年来我国部分企业在金属提纯方面已经取得了较大进步，江丰电子和阿石创在铝靶材领域、隆华科技在钼靶材和ITO靶材领域、有研新材在铜靶材均有突破。
靶材制造：靶材制造环节是将高纯金属通过加工形成溅射靶材。靶材制造环节是在溅射靶材产业链条中对生产设备及技术工艺要求最高的环节，溅射薄膜的品质对下游产品的质量具有重要影响。靶材制造环节首先需要根据下游应用领域的性能需求进行工艺设计，然后进行反复的塑性变形、热处理来控制晶粒、晶向等关键指标，再经过水切割、机械加工、金属化、超生测试、超声清洗等工序。溅射靶材制造所涉及的工序精细且繁多，工序流程管理及制造工艺水平将直接影响到溅射靶材的质量和良品率。
目前制备靶材的方法主要有铸造法和粉末冶金法。粉末冶金法主要有热等静压法、热压法、冷压-烧结法三种方法，通过将各种原料粉混合再烧结成形的方式得到靶材，该方法优点是靶材成分较为均匀、机械性能好、生产效率高、节约原材料成本，缺点是含氧量量高、密度低。熔融铸造法主要有真空感应熔炼、真空电弧熔炼、真空电子束熔炼等方法，通过机械加工将熔炼后的铸锭制备成靶材，该制造方法的优点是靶材杂质含量低、密度高、可大型化，缺点是对两种合金密度相似度要求高、较难做到成分均匀化。高纯溅射靶材制备国外厂商主要有日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等，中国厂商主要有江丰电子、有研新材（有研亿金）、阿石创等。
靶材制造工艺
资料来源：华创证券
溅射镀膜：溅射机台长期被美国、日本等跨国集团垄断。在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本跨国集团垄断，主要厂商包括美国AMAT（应用材料）、日本爱发科、日本ANELVA、美国瓦里安等。具体来看，镀膜设备大体可分成真空形成系统、发射源和沉积系统、沉积环境控制系统、监控系统、传动机构系统5部分，但目前国产供应商多集中在中低端产品，中高端市场占比极小。如发射源和沉积系统，尽管国内有能力制作热蒸发系统，但普遍使用的电子枪系统和溅射电源设备依然依赖进口，而在RF离子源方面，已有国内企业打破技术封锁成功研发出高端国产设备。
我国设备国产化情况
资料来源：东方证券研究所
终端应用：数据显示，全球靶材下游市场中，平板显示占比最高，达34%，其次是记录媒体和太阳能电池，分别达29%、21%，半导体则占10%。中国靶材应用市场中，占比较高的同样为平板显示、记录媒体，分别达49%、28%，半导体和太阳能电池则分别占9%、8%。下游应用领域市场的不断发展和扩大，将为靶材市场提供新的增长动力，推动靶材产业的发展。
2020年中国靶材应用结构
资料来源：银行证券研究所
靶材分类
铜、铝、钼、ITO是应用最广的靶材。（1）根据形状分类，主要有长靶、方靶与圆靶。（2）按化学成分分类，主要有单质金属靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材。（3）按应用领域分类，主要有半导体用靶材、平板显示用靶材、太阳能电池用靶材等。高纯溅射靶材集中应用于平板显示、信息存储、太阳能电池、芯片四个领域，合计占比达94%。芯片认证对靶材要求最为严格。（1）芯片靶材是制造集成电路的关键原材料，也是技术要求最高的靶材。从技术要求来看，半导体靶材要求超高纯度金属、高精密尺寸、高集成度等，往往选取高纯铜、高纯铝、高纯钛、高纯钽、铜锰合金等，集成电路芯片通常要求铝靶纯度在5N5以上。（2）平板显示靶材的原材料有高纯度铝、铜、钼等，还有掺锡氧化铟（ITO），主要用于高清电视、笔记本电脑等。平板显示靶材技术要求高，它要求材料高纯度、面积大、均匀性好。平板显示靶材通常要求铝靶纯度在5N以上。（3）信息存储靶材具备高存储密度、高传输速度等特性。（4）工具改性靶材的原材料有纯金属铬、铬铝合金等，主要用工具、模具等表面强化，性能要求较高、使用寿命延长。
靶材分类方法
资料来源：《湖南有色金属》，西南证券整理
靶材按应用领域分类
数据来源：西南证券整理
半导体靶材
半导体芯片的制作分为芯片设计、晶圆制造、芯片封装和芯片测试四大环节，其中，在晶圆制造和芯片封装这两个环节中都需要用到金属溅射靶材。靶材在晶圆制造环节主要被用作金属溅镀，常采用PVD工艺进行镀膜，通常使用纯度在5N5及以上的铜靶、铝靶、钽靶、钛靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封装环节常用作贴片焊线的镀膜，常采用高纯及超高纯金属铜靶、铝靶、钽靶等。
半导体芯片用金属溅射靶材的作用，就是给芯片上制作传递信息的金属导线。具体工艺过程为，在完成溅射工艺后，使各种靶材表面的原子一层一层地沉积在半导体芯片的表面上，然后再通过的特殊加工工艺，将沉积在芯片表面的金属薄膜刻蚀成纳米级别的金属线，将芯片内部数以亿计的微型晶体管相互连接起来，从而起到传递信号的作用。
半导体制环节靶材使用
资料来源：东方证券研究所
半导体靶材市场在半导体晶圆制造材料市场中占比约2.6%，在封装材料市场中占比约2.7%。据SEMI统计，2011-2015年，在晶圆制造材料中，溅射靶材约占晶圆制造材料市场的2.6%。在封装测试材料中，溅射靶材约占封装测试材料市场的2.7%。全球半导体靶材市场规模与全球半导体材料市场规模变化趋势相近。
行业壁垒
技术壁垒：高纯溅射靶材属于技术密集型产业，对生产技术、机器设备、工艺流程和工作环境都提出了非常严格的要求。长期以来，以美国、日本为代表的溅射靶材生产商在掌握核心技术以后，执行非常严格的保密和专利授权措施，这对新进入行业的企业设定了较高的技术门槛，尤其对于新产品开发来说，不仅开发周期较长，而且技术要求高，这就为溅射靶材生产企业的研发能力、技术水平和生产工艺提出了更高的标准。
资金壁垒：高纯溅射靶材研发及生产的特点为投入高、周期长。产品从研究开发、性能检测到最终产品的销售，需要投入大量的资金和时间，建造现代化的生产厂房和试验室，引进先进的研发生产设备和精密的检验测量仪器。随着靶材下游应用领域的技术迭代速度加快，尤其是终端电子消费品的市场竞争加剧，生产技术标准日趋严格，高纯溅射靶材生产企业在产品研发、生产等方面需持续投入资金保持市场竞争力，因而资金门槛亦持续提升。
客户认证壁垒：高纯溅射靶材技术含量高，其产品质量、性能指标直接决定了终端产品的品质和稳定性，属于客户的关键材料。下游客户对溅射靶材供应商的认证过程主要包括供应商初评、产品报价、样品检测、小批量试用、稳定性检测、批量生产等阶段，过程较为苛刻。供应商从新产品开发到实现批量供货的周期较长。同时新进入者需在技术水平、产品质量、后续服务和供应价格等方面显著超过原有供应商，才有获取业务合作机会的可能性。以半导体靶材为例，客户认证周期一般需要2-3年，且采取供应商份额制，新进入行业的企业面临着较高的客户认证壁垒。显示面板行业客户认证周期也高达1-2年。
行业现状
根据wind及SEMI数据显示，2011-2020年，全球半导体晶圆制造材料销售额年均复合增长率为4.1%，封装材料销售额年均复合增长率为-1.6%，2020年，因5G普及、新冠肺炎疫情推升宅经济需求，全球半导体需求攀高，全球半导体材料销售额年增4.9%至553亿美元，其中晶圆制造材料占比63%，销售额为349亿美元；半导体封装材料204亿美元。若2020-2025年全球半导体晶圆制造材料销售额CAGR与ICInsights预测全球晶圆制造市场规模CAGR基本保持一致，为11.6%，预计2025年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到604亿美元，同时若21-25年全球半导体封测材料销售额CAGR与Frost&Sullivan预测全球封测行业市场规模CAGR保持一致，为4.0%，封装材料销售额将达到248亿美元。
假设2016-2025年溅射靶材占晶圆制造材料销售额的比例维持在2.6%。在封装测试材料中，溅射靶材占封装测试材料的比例维持在2.7%。预计2025年全球半导体靶材市场规模将达到22.4亿美元。
全球半导体靶材市场规模
资料来源：东方证券研究所
在政府政策的支持和我国相对巨大的成本及市场优势下，半导体从正加速向中国大陆转移，一方面包括台积电、联电等在内的多家晶圆代工企业将在大陆投放产线，另一方面大陆晶圆代工厂包括中芯国际、华力微电子等也有多条产线投产。随着半导体晶圆产能陆续向中国转移，国内半导体制造行业的体量将迅速扩张，靶材行业也步入了快速发展期，据MIR睿工业数据显示，2020年我国半导体靶材市场规模约29.86亿元（折合4.33亿美元），2013-2020年CAGR约16.15%。
据ICInsights的预测，到2025年中国大陆半导体芯片市场规模将达到2230亿美元，2020-2025年间的年复合增长率将达9.2%。若半导体材料增速与大陆生产半导体芯片市场规模增速持平，且2021-2025年靶材在半导体材料销售额中的占比与2020年持平，维持在4.5%。预计2025年我国半导体靶材市场规模将达到43亿元（折合6.7亿美元）。
中国半导体靶材市场规模
资料来源：东方证券研究所
靶材应用性较强，溅射靶材行业在全球范围内呈现明显的区域集聚特征，国外知名靶材公司在靶材研发生产方面已有几十年的积淀，在靶材市场占据绝对的优势。根据智研咨询数据，目前全球溅射靶材市场主要有四家企业：JX日矿金属、霍尼韦尔、东曹和普莱克斯，合计垄断了全球80%的市场份额。尤其是溅射靶材中最高端的晶圆制造靶材市场基本被这四家公司所垄断，合计约占全球晶圆制造靶材市场份额的90%，其中JX日矿金属规模最大，占全球晶圆制造靶材市场份额比例为30%。从靶材种类角度看，JX日矿金属是铜靶的主要供应商；攀时与世泰科为钼靶的主要供应商，住友化学，爱发科为铝靶的主要供应商；三井、JX日矿金属和优美科则是ITO靶材主要供应商。作为半导体、显示面板等的核心关键材料，国内需求占比超30%，而国内领先企业的靶材业务总营收在30-40亿元范围，占国内总需求10%左右，国产替代的必要性显著。
全球靶材呈现垄断格局
资料来源：智研咨询，西南证券整理
溅射靶材产业链呈金字塔型分布，逐步向国内转移。（1）高纯金属供给以及高纯溅射靶材制造环节技术门槛高、设备投资大，具有规模化生产能力的企业数量少，主要分布在美国、日本等国家和地区。中国虽然拥有生产溅射靶材所需的各种基础矿源，但金属提纯技术有限，提纯出来的金属材料绝大部分达不到高纯溅射靶材的生产要求，长期以来，中国厂商主要通过从国外进口获得高纯金属供给。（2）尽管在溅射镀膜环节具有规模化生产能力的企业数量相对较多，但质量参差不齐，美国、欧洲、日本、韩国等知名企业居于技术领先地位，品牌知名度高、市场影响力大，通常会将产业链扩展至下游应用领域，利用技术先导优势和高端品牌迅速占领终端消费市场，如IBM、飞利浦、东芝、三星等。（3）终端应用环节是整个产业链中规模最大的领域，其产品的开发与生产分散在各个行业领域，同时，此环节具有突出的劳动密集性特点，参与企业数量最多，并逐渐将生产工厂向人力成本低的国家和地区转移。（4）在靶材产业链的区域分布上，美国、日本跨国集团产业链完整，囊括各个环节，在掌握先进技术以后实施垄断和封锁，主导着技术革新和产业发展；韩国、新加坡及中国台湾地区在磁记录及光学薄膜领域有所特长。（5）从全球终端制造来看来看，芯片及液晶面板行业制造向中国大陆转移趋势愈演愈烈，中国正在迎来这一领域的投资高峰。为此高端溅射靶材的应用市场需求正在快速增长。
海外主要靶材商简介
资料来源：公司官网，西南证券整理
在政策引导和支持下，我国半导体用铜、铝、钛等靶材已实现定点突破，江丰电子（铝靶、钛靶、钽靶）、有研新材（铜靶、钴靶）是国内半导体用溅射靶材的龙头企业。截至22年4月，江丰电子拥有半导体或平板显示用高纯铝靶材36920块、高纯钛靶材11895块、高纯铜靶材1000块、高纯钨靶材500块、高纯钴靶材1000块，高纯钽靶材4614块。2021年12月公司向特定对象发行股票拟募集资金总额不超过16.52亿元，用于建设宁波江丰电子年产5.2万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目、浙江海宁年产1.8万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目。项目建成后预计将新增7万块半导体靶材产能。有研新材拥有约2万吨半导体产能。公司年产30吨集成电路用超高纯铜新材料项目也正稳步推进，此外2022年3月公司也发布了有研亿金靶材扩产项目公告，拟投资6.46亿元新建山东德州新建生产基地和改扩建昌平基地项目，预计将在2025年底前达产，项目达产后公司产能将扩充73000块/年
大陆相关企业
有研新材
有研新材是有色金属新材料行业骨干企业，公司原名有研半导体材料股份有限公司，是由北京有色金属研究总院独家发起，以募集方式设立的股份有限公司，主要从事稀土材料、微光电子用薄膜材料、生物医用材料、稀有金属及贵金属、红外光学及光电材料等新材料的研发与生产。子公司有研亿金为国内靶材龙头，具备从超高纯原材料到溅射靶材、蒸发膜材垂直一体化研发/生产能力的产业化平台。产品涵盖高纯铜、钛、钴、铝、镍、金、银、铂、钌及其合金等电子信息行业用全系列高纯金属材料、溅射靶材和蒸发膜材，广泛应用于半导体分离器件和集成电路等领域。
2020年，有研亿金实现十余款12英寸高纯金属溅射靶材产品的关键技术突破，多款产品通过中芯国际、长江存储以及新加披、韩国等国内外高端集成电路厂商验证，并批量供货；公司大尺寸靶材占比持续增加，8-12英寸靶材占比达到靶材整体销量的三分之二。2021年公司持续推广12英寸高端靶材产品，产品类型成功转型升级并形成快速增长，8-12英寸产品销售数量占比快速增长。
2021年山东高纯材料基地全面达产，为实现铜系列靶材、钴靶材等垂直一体化打下坚实基础。公司铜系列高端靶材产品全面实现技术突破，12英寸高纯铜及铜合金靶材、高纯镍铂靶材和高纯钴靶材的多款产品，通过多家集成电路高端客户认证，开始批量供货，铜系列靶材、钴靶材占比逐步上升。
江丰电子
江丰电子于2005年成立并成功研制出第一块中国制造的靶材，专注于从事高纯溅射靶材的研发、生产和销售业务。2017年公司于科创板挂牌上市。公司主导并联合国内设备厂家研制了靶材生产、检测的关键设备，实现了生产线的国产化。公司的超高纯金属溅射靶材产品已应用于世界著名半导体厂商的最先端制造工艺，在16纳米技术节点实现批量供货，成功打破美、日垄断，同时还满足了国内厂商28纳米技术节点的量产需求。公司已经成为中芯国际、台积电、格罗方德、意法半导体、东芝（通过综合商社实现销售）、海力士、京东方、SunPower等国内外知名厂商的高纯溅射靶材供应商，业务范围涉及半导体芯片、平板显示器和太阳能电池等。
公司自2005年成立以来一直从事高纯溅射靶材的研发生产和销售。公司主要产品包括铝靶、钽靶、钛靶及半导体零部件等，2021年公司实现营收15.93亿元，其中钽靶、铝靶、钛靶营收分别为5.17亿元、2.76亿元、2.13亿元，占比分别为32.5%、17.4%、13.4%。公司业务遍布全球，产品远销海外，2021年，公司产品在国内和海外营收占比分别为43.4%和56.6%。
阿石创
国内PVD镀膜材料领域的龙头。阿石创成立于2002年，总部位于福建福州。公司从事PVD镀膜材料的研发、生产与销售，自主研发200多款高端镀膜材料，主要产品包括ITO、钼、铜、铝、硅、钛、钽及各类合金与稀有金属靶材。公司为国内PVD镀膜材料行业设备齐全、技术先进、产品多元化的龙头企业之一。公司产品下游覆盖光学、光伏、半导体、平板显示等多个领域，客户包括京东方、华星光电、水晶光电、舜宇光学、群创光电等一线龙头企业。
公司在钙钛矿介孔层、致密层靶材环节已有成熟产品。ITO靶材被列为35项“卡脖子”技术之一，技术门槛极高，国内市场长期为日韩企业所垄断。公司对于ITO靶材研发布局多年，2017年ITO靶材量产线投产。光伏异质结领域，公司积极推动ITO靶材的扩产与验证。钙钛矿电池领域，在基础的介孔层、致密层用靶材环节，如TiO2等，公司已有成熟产品。
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参考资料：
东方证券：有色、钢铁行业新材料系列报告③：国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲；
银河证券：电子行业深度报告：景气度持续向上，半导体国产替代加速进行；
华创证券：半导体材料行业深度研究报告：半导体材料景气持续，国产替代正当时；
