半导体周报(国科龙晖整理)-0618

一、行业动态及新闻：

（1）半导体设计：

英特尔在6月16日宣布发布其最新的量子研究芯片 Tunnel Falls，这是一种 12 量子比特的硅芯片，并将该芯片提供给量子研究社区。Tunnel Falls 是英特尔迄今为止最先进的硅自旋量子比特芯片，新芯片的发布是英特尔构建全栈商用量子计算系统长期战略的下一步。

 

据华尔街见闻报道，AMD在“AMD数据中心与人工智能技术首映会”上宣布，即将推出迄今为止最先进的人工智能GPU MI300X芯片。该芯片可以加快ChatGPT和其他聊天机器人使用的生成式人工智能的处理速度，并可以使用高达192GB的内存。MI300X的HBM密度高达英伟达AI芯片H100的2.4倍，HBM带宽高达H100的1.6倍，单个MI300X可以运行一个参数多达800亿的模型。

 

(2) 半导体制造及封测：

台积电 (TSMC) 开设了其 Advanced Backend Fab 6——这是一个主要的封装和测试工厂，用于实现 3DFabric 集成，这是代工厂的小芯片和多芯片组件组装方法。该晶圆厂准备量产 TSMC-SoIC（集成芯片系统）工艺技术，并将支持其他先进封装和硅堆叠技术，如 InFO 和 CoWoS。

 

英特尔表示，将投资至多 46 亿美元在波兰弗罗茨瓦夫附近新建一个半导体组装和测试工厂，作为其数十亿美元投资计划的一部分周五表示，欧洲将建设芯片产能。

 

据Techsugar报道，德州仪器（TI）宣布将在马来西亚吉隆坡和马六甲新建两座组装和测试工厂，预计到2030年满足TI大约90%的组装和测试需求。

 

据TEL报道，东京电子（TEL）宣布已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术，可用于制造 400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片。TEL 表示，该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中，并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。

 

（3）半导体设备：

外媒报道，ASML 首席商务官 (CBO) Christophe Fouquet 在比利时 imec 的年度盛会 ITF World 2023 上发表演讲并强调需要2030年代开发NA=0.75的超高NA EUV曝光技术的必要性。ASML 计划在 2023 年底前出货首个商用High NA（NA=0.55）EUV 曝光系统（用于原型制作），并于 2025 年开始出货量产设备。因此，从 2025 年左右开始，客户将能够从使用 NA=0.33 的传统 EUV 光刻工具的多重图案化切换到使用High NA EUV 光刻工具的单一图案化，从而降低工艺成本并提高产量。

 

（4）其他：

据外媒6月14日消息，SK海力士收到NVIDIA要求提供HBM3E样品的请求，正在准备出货。SK海力士目前正在开发该产品，目标是明年上半年量产。SK 海力士目前领先于三星电子，引领 HBM 市场。根据市场研究公司TrendForce 的数据，截至去年，SK 海力士在 HBM 的全球市场份额为 50%，而三星电子则保持 40%。

 

美光在6月16日宣布，计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾 43 亿元人民币。公司已决定收购力成半导体（西安）有限公司（力成西安）的封装设备，还计划在美光西安工厂加建新厂房，并引进全新且高性能的封装和测试设备，以期更好地满足中国客户的需求。

 

据彭博社报道，5月份数据发布显示，中国台湾地区对美国的芯片出口同比增长了9%，已连续26个月增长，无视全球半导体市场低迷的态势。但是向中国大陆及香港地区的芯片出口额下降了14.3%，总体来看，5月中国台湾芯片整体出口下滑了8%。

 

二、本周话题——半导体材料之IC载板封装方式

        IC 载板按主流封装方式可分为WB / FC × BGA / CSP 等四类，FC-BGA 技术要 求最高。

         WB/FC 是裸芯片与载板的连接方式。WB 技术（引线键合技术）：使用金、银、铜等金属或合金丝，通过加热、压力、超声波能量使金属丝与基板和芯片焊盘紧密焊接实现互连。是目前主流技术，发展成熟、成本较低、可靠性高，适合多芯片堆叠，广泛应用于闪存芯片封装。焊盘以周边阵列形式分布在芯片表面，单个I/O可达1000个，最小焊盘节距40 mm以下，引线直径约为0.6 mil(15 mm)甚至更细。

WB技术示意图

资料来源：互联网公开资料整理

         FC 技术（倒装芯片技术）：首先在芯片表面制造金属凸点，然后把芯片有凸点表面翻转并通过回流、热压等方式使其与基板上对应焊盘键合。相对于传统的引线键合在以芯片组装的电子产品，倒装芯片焊接技术键合引线短、凸点直接与印刷线路板或其它基板焊接、引线电感小、信号间串扰小、信号传输延时短、电性能好，是互连中延时最短、寄生效应最小的一种互连方法。可实现最高的安装密度、最高数和较低的成本等优点，更适合于高频、高速的电子产品应用，是目前研究和发展最为活跃的裸芯片焊接技术之一，常用的工艺为：冶金键合和粘结剂粘接。

FC技术示意图

资料来源：互联网公开资料整理

       按照封装方式分类，IC 载板分为 BGA 封装基板、CSP 封装基板、FC 封装基板、MCM 封装基板。

 

按照材料划分封装基板种类

 

资料来源：电子发烧友、光大证券研究所

       A．BGA封装基板：BGA（Ball Grid Array，球栅阵列封装）是在晶片底部以阵列的方式布置许多锡球，以锡球阵列替代传统金属导线架作为接脚。目前主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下，内存容量提高两到三倍。 BGA的封装类型很多，根据焊料球的排布方式可分为：周边型、交错型和全阵列型。

资料来源：互联网公开资料整理

 

根据基板的不同主要分为：PBGA（Plastic BGA，塑封BGA）、CBGA（Ceramic BGA,，陶瓷BGA）、FCBGA（Filpchip BGA，倒装BGA）、TBGA（Tape BGA，载带BGA）。

         a．PBGA:  PBGA是常用的BGA封装形式，采用塑料材料和塑料工艺制作。其采用的基板类型为PCB基板材料（BT树脂/玻璃层压板），裸芯片经过粘接和WB技术连接到基板顶部及引脚框架后，采用注塑成型（环氧膜塑混合物）方法实现整体塑模。焊球材料为低熔点共晶焊料合金63Sn37Pb，直径约为1mm，间距范围1.27-2.54mm，焊球与封装体底部的连接不需要另外使用焊料。组装时焊球熔融，与PCB表面焊板接合在一起，呈现桶状。

 

PBGA示意图

资料来源：互联网公开资料整理      

特点：1.制作成本低，性价比高。

2.焊球参与再流焊点形成，共面度要求宽松。

3.与环氧树脂基板热匹配性好，装配至PCB时质量高，性能好。

4.对潮气敏感，PoPCorn effect 严重，可靠性存在隐患，且封装高度之QFP高也是一技术挑战。（PoPCorn effect: 爆米花效应特指因封装产生裂纹而导致芯片报废的现象。湿敏器件在受潮了之后，经过高温热处理（回流焊、波峰焊等），导致器件的内部潮气气化进而导致的器件膨胀，撑开塑封胶体或者基板。在冷却的过程中，由于器件部件内部材料热胀冷缩速率的不一样，进而造成了内部材料的裂纹等现象。）

         b．CBGA: CBGA是将裸芯片安装在陶瓷多层基板载体顶部表面形成的，金属盖板用密封焊料焊接在基板上，用以保护芯片、引线及焊盘，连接好的封装体经过气密性处理，可提高其可靠性和物理保护性能。CBGA采用的是多层陶瓷布线基板，焊球材料为高熔点90Pb10Sn共晶焊料，焊球和封装体的连接使用低温共晶焊料63Sn37Pb，采用封盖+玻璃气封，属于气密封装范畴。

 

CBGA示意图

资料来源：互联网公开资料整理

特点：1.对湿气不敏感，可靠性好，电、热性能优良。2. 与陶瓷基板CTE匹配性好。3.连接芯片和元件可返修性较好。4. 裸芯片采用FCB技术，互连密度更高。5.封装成本较高。6. 与环氧树脂等基板CTE匹配性差。

         c．FCBGA：FCBGA是目前图形加速芯片主要的封装格式，这种封装利用熔融凸块的表面张力来支撑芯片的重量及控制凸块的高度。这种封装使用小球代替原先采用的针来连接处理器。一共需要使用479个球，且直径均为0.78毫米，能提供短的对外连接距离。FCBGA通过FCB技术与基板实现互连，与PBGA的区别就在于裸芯片面朝下。

 

FCBGA示意图

资料来源：互联网公开资料整理

特点：1.优异的电性效能，同时可以减少组件互连间的损耗及电感，降低电磁干扰的问题，并承受较高的频率。

2.提高I/O的密度，提高使用效率，有效缩小基板面积缩小30%至60%。

3.散热性好，可提高芯片在高速运行时的稳定性。

       

        d．TBGA：TBGA又称阵列载带自动键合，其采用的基板类型是PI多层布线基板，焊料球材料为高熔点焊料合金，焊接时采用低熔点焊料合金。

TBGA示意图

资料来源：互联网公开资料整理

特点：1.与环氧树脂PCB基板热匹配性好。

2. 薄型BGA封装形式，有利于芯片薄型化。

3.相比于CBGA，成本较低。

4. 对热度和湿度，较为敏感。5.芯片轻且小，相比其他BGA类型，自校准偏差大。

       B．CSP封装载板：所谓芯片尺寸封装就是CSP (Chip Size Package或Chip Scale Package) 。LSI芯片封装面积小于或等于LSI芯片面积的120%的产品称之为CSP。CSP技术的出现确保VLSI在高性能、高可靠性的前提下实现芯片的最小尺寸封装(接近裸芯片的尺寸)，而相对成本却更低。

CSP特点：

1、封装尺寸小。CSP是目前体积最小的VLSI封装之一。一般，CSP封装面积不到0．5 mm，而间距是QFP的1／10，BGA的1／3～l／10。

2 、可容纳引脚的数最多。在各种相同尺寸的芯片封装中，CSP可容纳的引脚数最多，适宜进行多引脚数封装，甚至可以应用在I／0数超过2000的高性能芯片上。

3 、电性能优良。CSP的内部布线长度(仅为0．8～1．O mm)比QFP或BGA的布线长度短得多，寄生引线电容、引线电阻及引线电感均很小，从而使信号传输延迟大为缩短。CSP的存取时间比QFP或BGA短1／5～1／6左右，同时CSP的抗噪能力强，开关噪声只有DIP(双列直插式封装)的1／2。这些主要电学性能指标已经接近裸芯片的水平，在时钟频率己超过双G的高速通信领域，LSI芯片的CSP将是十分理想的选择。

4、散热性能优良。CSP封装通过焊球与PCB连接，由于接触面积大，所以芯片在运行时所产生的热量可以很容易地传导到PCB上并散发出去；而传统的TSOP(薄型小外形封装)方式中，芯片是通过引脚焊在PCB上，焊点和PCB板的接触面积小，使芯片向PCB板散热相对困难。

5、封装内无需填料。大多数CSP封装中凸点和热塑性粘合剂的弹性很好，不会因晶片与基底热膨胀系数不同而造成应力，因此也就不必在底部填料，省去了填料时间和填料费用。

6、制造工艺、设备的兼容性好CSP与现有的SMT工艺和基础设备的兼容性好，而且它的引脚间距完全符合当前使用的SMT标准(0．5～1 mm)，无需对PCB进行专门设计，而且组装容易。

CSP封装分为下列主要类别：

(1) 柔性基板封装CSP。柔性基板封装CSP是利用TAB技术研制开发出来的一种窄间距的BGA，因此也可以称之为FPBGA。主要由IC芯片、载带(柔性体)、粘接层、凸点(铜／镍) 等构成。载带是用聚酰亚胺和制箔组成。采用共晶焊料(63%Sn一37%Pb) 作外部互连电极材料。其主要特点是结构简单，可靠性高，安装方便，可利用传统的TAB机进行焊接。

(2) 刚性基板CSP。刚性基板CSP是一种陶瓷基板超薄型封装，因此又可称之为陶瓷基板薄形封装CSTP（Ceramic Substrate Thin Package) 。它主要由芯片、氧化铝 (Al2O3) 基板、铜(Au)凸点和树脂构成。通过倒装焊、树脂填充和打印3个步骤完成。它的封装效率(芯片与基板面积之比)可达到75％，是相同尺寸的TQFP的2．5倍。

(3) 引线框架式CSP。引线框架式CSP是一种芯片上引线的封装形式，因此也被称之为LOC (Lead On Chip) 形CSP。通常情况下分为Tape-LOC型和MF-LOC型（Mul-ti-frame-LOC) 两种形式。这两种形式的LOC形CSP都是将LSI芯片安装在引线框架上，芯片面朝下，芯片下面的引线框架仍然作为外引脚暴露在封装结构的外面。因此，不需要制作工艺复杂的焊料凸点，可实现芯片与外部的互连，并且其内部布线很短，仅为0.1 mm左右。

(4) 焊区阵列CSP。焊区阵列CSP是一种新型封装形式，也被称之为LGA (Land Grid Array) 型CSP，主要由LSI芯片、陶瓷载体、填充用环氧树脂和导电粘结剂等组成。这种封装的制作工艺是先用金丝打球法在芯片的焊接区上形成Au凸点，然后在倒装焊时，在基板的焊区上印制导电胶，之后对事先做好的凸点加压，同时固化导电胶，这就完成了芯片与基板的连接。导电胶由Pd-Ag与特殊的环氧树脂组成，固化后保持一定弹性，因此，即使承受一定的应力，也不易受损。

(5) 微小模塑型CSP。微小模塑型CSP主要由IC芯片、模塑的树脂和凸点等构成。芯片上的焊区通过在芯片上的金属布线与凸点实现互连，整个芯片浇铸在树脂上，只留下外部触点。这种结构可实现很高的引脚数，有利于提高芯片的电学性能、减少封装尺寸、提高可靠性，完全可以满足储存器、高频器件和逻辑器件的高I／O数需求。同时由于它无引线框架和焊丝等，体积特别小，提高了封装效率。

       C．FC 封装基板：传统WB工艺，通过金属线键合与基板连接的芯片，电气面朝上，而倒装芯片的电气面朝下，芯片送入贴片时，先将芯片翻转以进行贴装，也由于这一翻转过程，而被称为 “倒装芯片” 。

       与常规的引线键合相比，FC封装最主要的优点为：

1.  拥有最高密度的I/O数；

2.  由于采用了凸点(Bump)结构，互连长度大大缩短，互连线电阻、电感更小，封装的电性能得到极大地改善；

3.芯片中产生的热量可通过焊锡凸点 (Bump)直接传输到封装衬底，通常在芯片衬底都装有散热器，故芯片温度会更低；

4.减少封装尺寸与重量。

       D．MCM 封装基板：多芯片组件MCM（Multi-Chip Module）。多芯片组件是在高密度多层互连基板上，采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件 (IC裸芯片及片式元器件) 组装起来，形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品(包括组件、部件、子系统、系统) 。

 

MCM封装基板示意图

资料来源：互联网公开资料整理

MCM组件的组成

资料来源：互联网公开资料整理

           MCM分类：根据多层互连基板的结构和工艺技术的不同，MCM大体上可分为三类：①层压介质MCM (MCM-L: Laminate) ；②陶瓷或玻璃瓷MCM (MCM-C: Ceramics) ；③硅或介质材料上的淀积布线MCM (MCM-D: Deposition) 。

（1）MCM-L（Multi-Chip Module-Laminate）：MCM-L称之为L型（即叠层型）多芯片组件。MCM-L结构通常是为适应MCM的尺寸要求而将有几层压印制线路板按比例缩小的一种结构，该基板制造技术主要来自于印制板工业。

          常用的有机层压材料有FR-4、BT树脂、聚酰亚胺等。导体一般为铜，在制造工艺上和印制板是相似的。有机层压材料的主要缺点是走线密度低、导热性差以及比硅高的热膨胀系数。新开发出的一些新材料包括改性聚酰亚胺、芳族聚酰胺、含氟聚合物等可以缓解这些问题，这些材料的介电常数和热膨胀系数特性可以进行人为控制。在MCM-L结构中更薄介电层的使用，可以控制特性阻抗和得到更高的线密度。MCM-L是几种基板技术中制造费用最低的，在一些低端产品中得以广泛应用。

 

MCM-L示意图

资料来源：互联网公开资料整理

（2）MCM-C（Multi-Chip Module-Ceramic）。MCM-C称之为C型（厚膜陶瓷型）多芯片组件。这类MCM的基板为共烧结(coflred)陶瓷，有两种类型：HTCC (高温共烧结陶瓷)和LTCC (低温共烧结陶瓷)，通常情况下，难熔金属W、Mo、Mn等在HTCC工艺下制成导电图形形成多层陶瓷基板，而贵金属金、银、铜等一般在LTCC工艺下制成导电图形来形成多层陶瓷基板。主要用于军事、航天、超级计算机和医用电子领域。

         与MCM-L相比，MCM-C的成本要高得多。随着陶瓷共烧技术的不断进步，成本亦在不断下降。MCM-C的另一个优点是可进行多层布线，在MCM-C方面一直处于领先地位的IBM公司的陶瓷基板的布线可达78层，这是MCM-L和MCM-D所远远不能比拟的。目前，MCM-C正逐渐进人商用领域，其制作成本也越来越低。

MCM-C 封装模块

MCM-C LTCC封装基板

（3 ）MCM-D（Multi-Chip Module-Deposited Thin Film）。MCM-D 称之为D型（沉积薄膜型）多芯片组件，MCM-D由导体(典型的有Cu和A1) 和介电层(典型的有聚酰亚胺)在基板衬底(一般由陶瓷、硅或金属构成) 上依次沉积而构成的。半导体工艺提供了更细的导线和更高的线密度。对于同等互联密度，MCM-D所需要的布线层数远远小于MCM-C，甚至可以超过一个数量级。然而用于制造MCM-D基板的半导体材料及工艺成本较高。

        MCM-D具有组装密度高、布线密度高、封装效率高和更好的传输特性。按照其适用基体的材料不同又分为：MCM- C/D 陶瓷基体薄膜多层布线 MCM；MCM-L/D有机介质基体薄膜多层布线MCM；MCM-Si 硅基体薄膜多层布线MCM。

1）MCM-C/D 称为混合型多芯片组件，是MCM-C和MCM-D两种工艺技术的结合，因而兼有两种工艺的优点。它在共烧陶瓷多层基板上，采用薄膜工艺制作高密度的薄膜多层布线，从而形成薄膜与厚膜或陶瓷一体化的混合多层互连基板。这种类型基板兼有共烧陶瓷多层基板与薄膜多层布线的优点。

        MCM-C/D是目前应用中最为高级的多芯片组件类型。它可充分发挥共烧陶瓷多层布线和薄膜多层布线各自的优点，从而进一步提高了组装密度。其另一个优点是信号线可以嵌入到低介电常数的沉积层中以减少信号传输干扰，而电地层则可以放在高介电常数的陶瓷层中，随着高介电常数陶瓷材料的开发，可能会使基板具有更多的解耦能力而可以使在与电路板的二级组装中无须安装外部滤波电容。

资料来源：互联网公开资料整理

2）MCM-L/D 是MCM-L和MCM-D两种工艺技术的结合，它采用在标准的低成本多层PCB板上制作薄膜多层布线的混合多层布线基板。

3）MCM-Si 直接采用半导体制造技术，利用和传统的芯片制造相似的工艺处理方式，用硅作为基板衬底 (substrate base)，AI或Cu作导体，二氧化硅作为无机介电层，通过真空沉积技术进行几微米宽的金属导线和二氧化硅介电层的依次沉积。

        MCM-Si可以提供最高的信号互联密度以及优越的和硅片(die)的热膨胀系数相匹配的能力，所采用的设备和工艺也是半导体制造行业所采用的。当MCM-Si用铝作为导体时，由于铝的高阻抗，因此这种基板不太适用于高频的应用。此外，和MCM-D一样设备费用高，对于小批量MCM制造，最终的模块费用会很高。

资料来源：互联网公开资料整理

         MCM封装基板材料的选择至关重要，所选择的材料不仅要有良好的电性能、热性能、机械和化学性能，且能装配到系统中实现最佳成本效能方式。MCM-L和MCM-C分别是PCB技术和陶瓷封装技术的延申，且两者均采用厚膜布线，成本低，基板和封装可一体化。但线宽和间距的细微差别均使工作速度受限。MCM-D和MCM-Si是采用薄膜布线技术，集成度高，速度快，是发展高速MCM的重点。而MCM-C/D与MCM-L/D则集中了厚膜技术和薄膜技术的优点，性能价格更优，而且基板和封装也可实现一体化。

 

行业现状

         2021年，全球IC封装基板行业整体规模达141.98亿美元、同比增长39.4%，为印制电路板行业中增速最快的细分子行业。其中，中国市场IC封装基板行业（含外资厂商在国内工厂）整体规模为23.17亿美元、同比增长56.4%，仍维持快速增长的发展态势。

        2022年，PCB市场增长几乎完全由封装基板驱动，封装基板市场增长约23%（市场规模约174亿美元），先进的FCBGA基板和其他产品推动市场持续增长，SiP和模块基板的应用领域进一步扩展；HDI增长约2%；多层板市场下降约4%。 根据Prismark预测，2021至2026年全球PCB行业的复合增长率为4.8%，其中封装基板仍将呈现优于行业的增长表现，2021-2026年的复合增长率预计为8.6%。预计至2026年，全球IC封装基板行业规模将达到214.35亿；其中，中国市场规模预计为40.19亿美元，复合增速为11.6%，领跑其他地区。

           下游各类终端应用及所适配的封装工艺的交替驱动着 IC 载板的增长：2005-2010：PC 及服务器芯片快速增长，所使用 FC-BGA 载板成为主要增长驱动，期间市场规模增速 10.2%，出货量增速 20.2%。

2010-2015：智能手机兴起，移动端芯片需求高涨，FC-CSP 封装基板小尺寸特征契合移动端“轻薄短小”需求快速增长，FC-BGA 封装基板下滑。由于移动终端市场竞争激烈、尺寸小等因素导致载板单价更低，因此虽然出货量有所增长，价值量却有所回落，期间市场规模增速-3.1%，出货量增速 4.3%。2015-2020：PC 复苏、服务器需求上行，市场拐点到来，FC-BGA 及模组载板增长加速，载板市场由过剩转为短缺，期间规模增速 8%，出货量增速 6.1%。2020-2026：2021 年 IC 载板市场规模达到 142 亿美元，同比增加 40 亿美元，增速 39%，出货量 0.78 亿片，增速 13%。FC-BGA 载板与新兴的 AiP/SiP 等模组载板成为主要增长动力，复合增速超 10%，手机市场的放缓减弱了对 FCCSP载板的需求。预计载板市场规模增速 13.2%，出货量增速 7.9%。

·IC 载板市场规模（十亿美元）及出货量（百万颗）

 

资料来源：prismark，财通证券研究所

           全球 IC 载板市场集中，中国台湾、日本、韩国是主要玩家，内资厂商占比仅 5.3%。据 Prismark 统计，从厂商来看，全球封装基板 CR10=80%、CR3=36%，前三大厂商为中国台湾欣兴、日本揖斐电、韩国三星电机，市占率分别 15%、11%、10%。从产地来看，封装基本的主要生产地为中国台湾、日本、韩国，分别为 31%、20%、28%，中国大陆产值为 16%，但包括了外资在大陆所设产能。内资厂主要包括深南、兴森、越亚、生益科技等，2020 年全球占比仅 5.3%。

 

2016和2020IC载板市场份额比较

 

资料来源：prismark，NTI，财通证券研究所

资料来源：集微咨询，choice，财通证券研究所

 

大陆相关企业

深南电路

          深南电路属于电子电路行业，主要有三大产品：印制电路线、封装基板、电子装联。深南电路股份有限公司成立于 1984 年，于 2017 年在深交所主板上市，已成为中国印制电路板行业的领先企业、中国封装基板领域的先行者、电子装联特色企业。从 1993-1994 年完成向通信领域的转型以来，公司历经三大发展阶段。第一阶段为 1995-2007 年，公司加大 PCB 领域自主研发能力，启动刚挠结合板、厚铜板等研发项目，成为国内首家制作通信背板的 PCB 企业。第二阶段为 2008-2016年，公司拓展了电子装联和封装基板业务，形成“3-In-One“业务模式，刚挠结合板等多项项目实现投产和量产。第三阶段为 2017-至今，公司成功上市，研发和生成能力进一步加强，最高加工层数突破 120 层。

           2022 年印制电路板业务实现营收 88.25 亿元，营收占比 65.45%。 封装基板业务 FC-CSP、FC-BGA 技术能力持续突破，工厂建设顺利推进，营收占 比有所提高。2022 年封装基板业务实现营收 25.20 亿元，营收占比 18.69%。电子 装联业务营收稳步增长，供应链管理能力进一步提升。2022 年电子装联业务实现 主营业务收入 17.44 亿元，营收占比 12.94%。

       2022 年，公司整体毛利率为 25.52%，较上期增长 1.81pcts；净利率 11.72%，同期增长 1.1pcts。2022 年公司研发投入 8.20 亿元，同比增长 4.75%，占营业总收入的 5.86%。公司长期坚持技术领先战略，不断提升研发和创新能力。2022 年公司新增授权专利 141 项，新申请 PCT 专利 8 项，多项产品、技术达到国内、国际领先水平，获得各类科技奖励。

 

 

 

免责声明：本文章不涉及投资建议，仅供分享观点所用。

 

参考资料：

光大证券：国产替代加速推进，兴森深南快速成长――半导体行业深度报告七之 IC 载板篇

信达证券：供需失衡加速国产替代， IC 载板风鹏正举财通证券：IC 载板行业深度分析报告

财通证券：IC 载板龙头 助力国产先进封装及高算力芯片腾飞

财通证券：AI 助力服务器 PCB 弹性释放 IC 载板国产空间广阔