半导体周报(国科龙晖整理)-0709

一、行业动态及新闻：

（1）半导体设计：

中科院计算所的处理器芯片全国重点实验室及其合作单位，用AI技术设计出了世界上首个无人工干预、全自动生成的CPU芯片——启蒙1号。这颗完全由AI设计的32位RISC-V CPU，相比GPT-4目前所能设计的电路规模大4000倍，并可运行Linux操作系统，且性能堪比Intel 486。

 

三星2nm，走向背面供电。据外媒报道，Cadence Design Systems 的工具已通过 Samsung Ondry 2nm 工艺的数字、定制模拟和背面布线认证。数字和定制模拟设计流程经过了 SF2 2nm 和 SF3 3nm 工艺认证，而完整的背面布线解决方案则为移动、汽车、人工智能和超大规模应用提供了下一代高性能芯片。

 

(2) 半导体制造及封测：

三星宣布，将于2025年推出全球首款使用全环绕栅极晶体管(GAA)制程3D先进封装，提供客户从代工生产到先进封装完整解决方案;据韩国媒体BusinessKorea报导，近日三星代工业务总裁崔世英讲述三星晶圆代工蓝图，计划2025年将GAA制程芯片扩展到3D封装因制程微缩对降低成本和缩小芯片面积有其限制，因此三星多样化后段先进技术。

晶圆代工厂力积电与日本SBI控股株式会社（SBI）今（5）日达成协议，拟合作在日本境内筹设12吋晶圆代工厂，结合当地产、官资源，共同参与日本强化半导体供应链的发展计画。力积电董事长黄崇仁表示，力积电是唯一具备记忆体与逻辑技术能力的专业晶圆代工公司，将以自行开发之22/28奈米以上制程及晶圆堆叠（Wafer on Wafer)技术，以满足未来AI边缘运算所产生的多重应用。

 

据外媒报道，美国芯片制造商博通CEO Charlie Kawwas表示，该公司将投资欧盟资助的一项在西班牙发展半导体产业的计划。西班牙经济部在一份电子邮件声明中指出，博通将参与的项目可能价值10亿美元，该项目将包括建设欧洲独有的大型后端半导体设施，不过地点尚未选定。

 

《科创板日报》8日讯，近日，浙江润优新材料科技有限公司年产4万吨高纯石英制品及半导体硅基新材料项目开工。该项目总投资42亿元，建设工期为2023-2026年，2023年计划投资4亿元。项目建成后将形成年产4万吨高纯石英制品及半导体硅基新材料生产能力。

 

据韩媒报道，三星计划投资1万亿韩元（约合7.6亿美元）扩产HBM，目标明年底之前将HBM产能提高一倍，公司已下达主要设备订单。另外，三星已收到AMD与英伟达的HBM订单。本次三星将在天安工厂展开扩产，该厂主要负责半导体封装等后道工艺。

（3）半导体设备：

据外媒报道，6月30日，荷兰正式宣布针对先进半导体设备出口的新规，要求相关企业在出口先进产品前必须获得许可证，新规将于9月1日生效。虽然荷兰政府并未点名，但舆论焦点立即锁定荷兰光刻机生产企业阿斯麦。阿斯麦公司回应称，并非所有DUV光刻机出口都需要获得许可，根据新出口管制条例规定，只有最先进的DUV光刻机出口需要获得许可。

 

7月6日，日本半导体制造装置协会（SEAJ）发布预测称，2023年度日本生产的半导体设备销售额将比上年度下滑23％，降至3.0201万亿日元。2023年1月时，该协会曾表示销售额将同比减少5％，但由于半导体需求低迷状态长期持续，此次大幅下调了预期。

（4）其他：

商务部网站7月3日消息，商务部、海关总署发布《关于对、锗相关物项实施出口管制的公告》，为维护国家安全和利益，经国务院批准，决定对家、锗相关物项实施出口管制。

 

《科创板日报》6日讯，瀚博半导体在2023世界人工智能大会上正式发布第二代GPU SG 100，并推出南禺系列GPU加速卡 VG1600、VG1800、VG14以及LLM大模型AI加速卡VA1L、AIGC大模型一体机、VA12高性能生成式AI加速卡等6款新品。其中，瀚博SG100芯片采用7nm先进制程，集成高性能渲染、低延时AI和强视频处理能力。

本周话题——显示面板之LED/MINI LED

一、介绍：

Mini LED，次毫米发光二极管，也为缩小版 LED，一般指尺寸在 50-200 微米间的 LED 芯片，尺寸介于传统 LED和 Micro 之间。

 

资料来源：TrendForce、国泰君安证券研究 

LED 作为公认的第三代革命性的发光产品，由于在能耗和使用寿命上突出的优势，已实现对传统光源的全面替代，显示是 LED 的重要应用方向。当下主流的显示方式有两种：背光和直显；光源主要有四种技术路线：传统 LED、Mini LED、OLED 和 Micro LED；背光领域主要是传统 LED和 Mini，直显则主要是 Mini、OLED 和 Micro。更轻薄化、更高对比度、更高能效是显示技术演进的大趋势，长期看，Micro 相对拥有不可比拟的显示效果，但短期看，Mini 在显示上的更大范围的渗透和替代，则是更易实现和确定性更高的趋势。

Mini LED是小间距LED的延伸，在直接显示领域，Mini LED作为小间距显示屏的升级，提升了可靠性和像素密度，可以用于RGB显示。在背光领域，Mini LED背光技术在亮度、对比度、色彩还原等方面优于普通LED做背光的显示屏，与OLED直接竞争。

 

 

资料来源：亿渡数据

LED发光原理：

LED可以直接把电转化为光。LED主要部件是半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，里面主要是电子。这两种半导体连接起来，它们之间就形成一个“P-N结”

                       LED的P-N结

p 区带有过量的正电荷 (通常称为空穴)，n 区带有过量的负电荷(通常称为电子)，当正向导通的电压加在这个半导体材料的 p-n 结上时，电子就会从 n 向 p 移动，在 p 和 n 的交界处电子和空穴发生复合，复合过程中能量就会以光的形式从 LED 发射出来。

                           LED发光原理

资料来源：互联网公开资料整理

MINI LED优势：

（一）、对比传统LED

1.直下式布局，光源均匀性更具优势。TV 端，当下主流屏幕仍然采用 TFT-LCD 的结构，LED 用做背光源，由于传统 LED 的尺寸限制， 介于面板厚度的考量，多采用侧入式的光源结构，LED 以灯条的形式布局在面板的上下或两侧，属于点光源，需要经过导光板进行扩散形成底部的面光源，而 Mini LED 有尺寸上的优势，可直接采用直下式布局，本身就是面光源，因此在光源的均匀性上较传统 LED侧入式布局更具优势；

 

MINI LED直下式布局和传统LED侧入式区别

 

资料来源：互联网公开资料整理

2.更多分区，控制更精准，画面对比度更高。对侧入式背光来说，因为对光源进行扩散的导光板为一体化，灰阶由液晶的遮挡与否来实现，对区域差异化和个性化的明暗控制相对不够。Mini 直下式的背光板可以集成数千颗到上万颗不等的灯珠，若采用传统 LED，集成数量多则数百颗。背光板上 LED 灯珠数量越多，可以实现更多区域划分，可根据画面需求实现更加精准的背光区域亮暗控制，画面呈现更加细腻。Mini 直下式背光的对比度可高达 10000000:1；

3.局部调光，散热更优，寿命更长。Local Dimming 技术叠加足够多的分区数量，区域的控制可更为灵活，尤其是当画面需显示黑色时，对应区域可直接关停，因此 Mini LED 背光的光电转化效率更优，按需运作模式下，单颗 LED 的散热节奏能更好调节，因此总体散热性会更好，器件的寿命也能得到有效的延长；

（二）、对比OLED

1.无机发光对比有机发光，Mini LED 使用寿命更长。LED 是化合物半导体内部在电场作用下的电致发光，而 OLED 则是用空穴和电子复合的能量去激发有机材料而发光，有机材料分子被激发的电子在回迁的过程中释放能量而呈现不同的光。对于 OLED 来讲，尤其是蓝光，因为波长短，能量高，电子在回迁过程中容易造成有机材料的化学键断裂，蓝光材料衰变，容易出现“烧屏”现象，因此OLED 在使用寿命上要显著短于 LED；

2.亮度表现，Mini LED 优于 OLED。OLED 屏幕为了保持有机发光材料的活性、延缓亮度衰减问题以延长使用寿命，亮度峰值受到压制，一般屏幕的亮度峰值均低于 1000nit，而 Mini LED 屏幕的峰值亮度则均在 1000nit 以上，Mini LED 在亮度上的表现更好。亮度问题也限制了OLED的应用范围，一般更适用于暗室以及小尺寸屏幕。

 

OLED屏幕亮度衰减

 

资料来源：中国产业网、国泰君安证券研究 

3.Mini LED 无屏闪。OLED 的亮度调节采用脉冲 PWM 模式，利用人眼的视觉暂留现象，通过控制灯珠的开关时间比率来调节整体的亮度，在低亮度时，人眼可能就会识别到闪烁的存在，观看时间越长，则越易出现视觉疲惫。而 Mini LED 目前主流仍延用 LCD 的背光模式，通过电压控制液晶分子来实现亮度的调节，不存在屏闪的现象。

4.MINI LED成本较 OLED 低 20%以上。制造上看，Mini LED 可延用原有产业链，生产工艺更加成熟， OLED 则在生产端的良率仍需进一步提升，从终端产品的价格来看，OLED 的成本较 Mini LED 高出20%以上，因此在基本持平的显示效果下，Mini LED 终端产品在价格上更具竞争力。

 

（三）、对比Micro LED

1.巨量转移技术难度大。Micro LED 直显的集成数量大，对于中小尺寸来说，在保证良率以及显示效果的同时，实现超百万级 Micro LED 到基板的高效率转移是目前最大的技术难点，目前尚未进入量产阶段，因此，在短期内对 Mini LED 的大范围推广更具现实意义；

2.Micro LED 成本过高。从生产端看，Micro LED 的生产近似于硅芯片的生产，尺寸的缩小，从芯片的生产开始就需要更先进制程的设备，产线需要重新配置，并且除了巨量转移，在技术尚未稳定，良率不高的情况下，对于巨量芯片的检测和修复也会产生大量的成本，当下 Micro LED 较 OLED 成本更高，而对于 Mini LED，生产上尚可延用原有产线，并且背光技术成熟，量产实现难度更小，Min LED 在成本端具有优势；

 

资料来源：Led Inside

 

二、产业链:

LED产业链分为上游外延片生长及LED芯片制造、中游LED封装和下游LED产品应用。

LED产业链上游是LED外延芯片行业。衬底及外延片生产的技术含量最高，投资也大，属于技术和资金密集行业；芯片制造是将单晶片经过光刻、腐蚀等程序切割出LED芯片，制造过程也较为复杂。经过几年激烈的竞争，LED芯片行业集中度逐渐提高，三安、华灿、澳洋、兆驰国内前四大厂商的市占率合计超过60%。

LED产业链中游是LED封装行业。封装主要是指用环氧树脂或有机硅等材料把LED芯片与支架包封起来的过程。目前国内封装行业的主要厂商有木林森、鸿利智汇、国星光电等。

LED产业链下游是LED应用行业。LED应用是将封装好的芯片进行测试、分选，通过插件、装配等工序形成最终产品，应用于照明、显示、背光等领域。

 

LED产业链结构图

资料来源：国联证券研究所

(一)、芯片

LED芯片制备包括衬底、外延和芯片加工三大环节。

               LED芯片结构图

资料来源：互联网公开资料整理

1、 衬底。GaN 基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好，其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中;最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。流程包括蓝宝石晶体生长、切片、抛光等。

2、外延。外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。在蓝宝石衬底上生长不同特性的GaN外延层，形成PN结。这是LED芯片最核心的环节。

一个LED完整发光结构通常包含70-80层不同掺杂浓度、薄层厚度的沉积层，各沉积层均会影响最终产品的发光特性，因此外延生长环节是LED芯片生产的重要步骤。MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)即金属有机化合物化学气相沉积工艺，是LED外延片生产的主流工艺，通过MOCVD设备实现。

MOCVD 的制程因不同用途而有所差异，制程设备也有不司的构造和形态，整套系统大致可分为以下三部分:

进料区可控制反应物的浓度。气体反应物可用高压气体钢瓶质量流量控制器 (Mass Flow Controller，MFC) 来精确控制流量。而固态或液态原料则需采用蒸发器来使进料蒸发或升华，再以氢气 (H  ) 或气 (Ar) 等惰性气体作为载体而将原反应物吸入反应室中。

反应室控制化学反应的温度与压力。在反应室里，反应物吸收系统供给的能量，突破反应活化能的障碍而开始进行反应。根据操作压力的不同，化学反应可分为: 常压化学气相沉积 (APCVD)，低压化学气相沉积 (LPCVD)，超低压化学气相沉积 (SLPCVD)。根据加热方式不同，化学反应可分为热墙式和冷墙式。热墙式是由反应室外围直接加热，并以高温作为能量来源。冷墙式的操作方式包括等离子辅助 MOCVD、电子回旋共振式电浆辅助、高频MOCVD 及 Photo-MOCVD。

废气处理系统通常由多种装置组成，包括淋洗塔，酸性、碱性、毒性气体收集装置，集尘装置，以及排气淡化装置。废气处理系统用来吸收制程中的废气，使其符合排放标准的要求，不会对人体产生伤害。

3、芯片加工：在外延片上通过光刻、刻蚀、溅射、蒸镀等工艺形成最终的芯片结构。具体包括： 刻蚀。通过ICP刻蚀，将N型GaN台面暴露出来，形成PN结台阶。溅射。在P台面上溅射蒸镀一层电流扩展层，实现更好的导电性（N-GaN导电性良好，无需此步骤）。 蒸镀。LED芯片需要使用金属作为电极与焊接介质，通常通过蒸镀工艺形成金属电极。光刻：上述步骤均需要光刻来实现图形化，使LED的不同层有序沉积或暴露。测试分选：LED芯片制备完成后，需要对其进行检测分选，以保证进入下一步骤的良率。

与传统LED相比，Mini LED芯片制造流程基本一致。然而，更小的芯片尺寸和点间距，对芯片制造和封装提出了更高的要求。Mini LED制造流程难度提升主要在外延和检测分选两个步骤，对相关设备提出了更高的要求。

 

Mini LED工艺对外延和检测分选设备形成新需求

 

资料来源：LED Inside，《Mini LED商用显示屏通用技术规范》，CNKI，公开信息整理，平安证券研究所

 

LED芯片生产全流程

 

资料来源：互联网公开资料整理

（二）、封装：

根据封装结构的集成度，LED封装路线可分为SMD、COB与 IMD(n合一)三类。

1、SMD：将支架、晶片、引线、环氧树脂等材料封装成不同规格的灯珠，再用高速贴片机以高温回流焊将灯珠焊接在电路板上，制成不同间距的显示单元。工艺流程为固晶机固晶、焊线、封胶、烘烤、切割、分 BIN、包装。

SMD 产品占据小间距市场的 90%，COB 仅占 10%。（1）COB 直通良率一直比较低（30%以下），而在 P1.2 以上 LED 显示屏制造中，SMD 良率在 90%以上，这就导致 SDM 实际制造成本低于COB。 （2）SMD 产线固定资产庞大，且不能兼容 COB。封装企业如果采用 COB 路线，需要新购买设备，导致原有固定资产损失，折旧增加。

2、COB：将 LED 晶片直接绑定在带驱动电路的 PCB 板上，再用封装胶对LED 晶片进行包封，将中游封装和下游显示应用融合在了一起。工艺流程为固晶机固晶、回流焊焊接、点胶机底部填充、固化、包装。

COB封装优势：（1）COB 死灯率低。SMD 在回流焊工艺中由于材料膨胀系数不同，导致高温损伤，死灯率较高。COB 没有回流焊环节，避免了这个问题，COB 显示产品死灯率通常只有 SMD 的 1/10，售后维护成本低。 

（2）COB有更好的稳定性和可靠性。SMD封装器件与PCB 板之间的焊脚裸露，防护性较差；而COB 方案是在将 LED 晶片贴装在 PCB 电路板后，再以光学树脂覆盖固定形成保护外壳，具有更高的稳定性、可靠性和适应性。

(3)成本优势。COB 方案的工艺环节更少，耗材用量也较少，整体降本空间更大。尤其随着像素密度增加，SMD 贴片难度快速增加，成本大幅增长，COB 的成本优势将凸显。

3、IMD：方案通常被视为SMD与COB的折中，将多颗芯片（通常为4-9颗）封装在单个结构中，然后再组装到基板上。材料与工艺与SMD类似，具备SMD光色一致性的优点，同时在可靠性和贴片效率方面比SMD高，与COB相比低。IMD防磕碰、防水汽能力不足；显示颗粒感强；产品间距无法灵活调整。IMD产业链成熟，可优先实现产业化。

 

SMD和COB封装示意图

 

资料来源：希达电子， CNKI，平安证券研究所

 

根据芯片封装方向，LED封装路线又可分为正装与倒装方案。

正装方案使用水平或垂直结构芯片，芯片通过焊线与PCB基板相连；倒装方案使用倒装芯片，无需引线焊接，金属电极通过回流焊与基板相连。

倒装方式具有多项优势：1）出光面无遮挡，提升了光效；2）电极与基板接触面积大，改善了焊线虚焊、断线不良问题，可靠性更强；3）芯片热量直接通过焊点传导到基板，易于散热，提高器件寿命及色彩稳定性。

 

不同封装工艺技术比较

 

资料来源：亿渡数据

Mini LED时代，芯片微缩化增加了封装难度，促成了不同封装技术的开发，SMD、IMD、COB、COG(Chip On Glass)等路线百花齐放。倒装COB有望成为Mini LED主流的封装方式。

l SMD：设备与工艺高度成熟，但可靠性和稳定性有缺陷；难以应对P1.0以下需求。

l IMD：材料与工艺与SMD类似，具备SMD光色一致性的优点，同时可靠性和贴片效率较SMD有所提高。产业链成熟，可优先实现产业化。 l COB：包括正装和倒装COB。可靠性和稳定性强，更容易实现小间距显示。随着产业链生态的逐步成熟，倒装COB有望成为Mini LED主流的封装方式。

l COG：精度高、稳定性好，被视为Micro LED (<P0.3)的未来，然而目前技术仍存在一定瓶颈。

固晶机是LED封装的重要设备。在 LED封装流程中，固晶机用于将晶片从晶片盘吸取后贴装到 PCB（印刷线路板）或支架的指定区域，并进行缺陷检测。常见的 Pick & Place模式固晶机工作原理为：①对晶片和PCB/支架板进行图像识别、定位及图像处理。②通过银胶拾取装置对支架板的给定位置进行点胶处理。③ 利用晶片吸取装置将晶片准确放置于点胶处固定。

 

三、行业现状

根据 CSAResearch 报告，2021 年中国 LED 产业总产值约为 7773 亿元，增速约 10.8%，其中，上游外延片及芯片规模为 305 亿元，中游封装规模为 916 亿元，下游应用规模为 6552 亿元。因此上、中、下游的占比分别为 4%、12%和 84%。

2012-21 年中国 LED 产业各环节规模（亿元）

资料来源：CSA Research，国联证券研究所

LED 显示屏产业产值变化

资料来源：行家说 research，国联证券研究所

2021年以来，我国mini LED背光模组在大尺寸模组领域得到迅速发展，市场规模持续高增，2021年中国mini LED大尺寸背光模组的市场规模为131亿元左右，同比增长了773%，中尺寸背光模组市场规模为56.8亿元，较2020年增长了193%，预计到2023年我国mini LED大尺寸背光模组的市场规模将达到520亿元左右，中尺寸背光模组市场规模达到190亿元左右。Mini LED背光技术的快速发展，将会持续带动传统LCD显示技术的进步，推动我国显示面板行业稳步发展。

资料来源：亿渡数据

 

LED芯片

中国大陆承接全球LED产业链转移，成外延片主要供应国。2020年中国大陆LED芯片厂商GaN-LED外延片产量达3097万片/年（4寸片），占全球供应量的76.7%，同比+1.4pcts，且这一比例仍保持上升趋势。2021年中国LED芯片产值约为218.4亿元，预计到2026年中国LED芯片产值将达到278.74亿元。

LED芯片市场行业集中度提升，头部效应明显。从产能来看，根据CSA Research数据，2019年全球芯片厂商的CR10为82%，2020年这一比率上升至84%。在中国市场，三安光电、华灿光电、乾照光电、聚灿光电、蔚蓝锂芯五家企业按收入统计的市占率2019年合计达68.97%，2020年合计达80.43%。

资料来源：亿渡数据

LED芯片市场被掌握核心技术、拥有较多自主知识产权和知名品牌、竞争力强、产业布局合理的龙头企业所占领。按照产能计算，2020年中国LED芯片竞争格局中（按销售总收入计算），三安光电占比37.66%，位居首位；华灿光电占比11.78%。三安光电、华灿光电等龙头企业凭借渠道和规模优势持续扩大市场份额，二三线芯片厂商生存空间受到严重挤压

 

LED封测

中国已成为世界最大的LED封装生产基地，封装产值占全球比例超过50%。中国凭借着高性价比劳动力、封装技术提升、LED产业优惠政策，吸引了大量外资企业来华设厂，承接了全球LED封装产业转移。2021年中国LED封装市场规模为946.41亿元、预计到2026年中国封装产值将达到1207.89亿元。

资料来源：亿渡数据

Mini LED具有厚度薄、尺寸小、色域宽等优势，是未来显示技术的趋势。目前，三星、LG、小米、TCL、创维等五大电视品牌纷纷推出Mini LED背光电视，全球发布的Mini LED背光电视已超过20款。其它头部厂商正在加速布局Mini LED领域，2020年4月三星已斥资400亿韩元在越南建造50余条Mini LED背光电视产线。在头部厂商的示范效应下，Mini LED将率先在高端市场渗透，并逐渐向中低端市场蔓延。LED应用市场扩张对LED芯片行业拉动作用明显，行业内主要企业的销售收入均实现了不同程度的增长。同时，终端厂商为抢占市场先机与保障原材料供应，也纷纷通过多种方式布局Mini LED业务。

资料来源：亿渡数据整理

 

竞争格局

LED显示屏行业被切割成原材料、芯片、封装、PCB等多个环节，而大多数企业一般只参与其中一个环节，所以很少有企业有以全局化的眼光来审视整个行业，这便造成我国LED显示屏行业企业数量众多、分布广、品牌规模小且较为分散的行业格局。

全球范围内各大企业市场占有率来看，LED显示屏市场份额排名前十的企业中，除了达科电子和三星电子以外，其余均系中国大陆企业，其中，中国企业利亚德和洲明科技以11.42%和10.86%的市场占有率位于前列。可以看出在全球范围内，LED显示屏行业竞争格局中，我国大陆企业占据了LED显示屏市场的主导地位。

LED显示屏行业的竞争格局将由原来单纯的企业与企业之间的“点式竞争”，逐渐转化为产业链与产业链、价值链与价值链之间的“链条式”乃至“网络式”的竞争。同时，随着我国LED行业头部企业的业务拓展延伸，行业市场集中度的提升，我国LED行业整体的全局化转型升级，我国LED屏大企在世界范围内的市场份额也将进一步提高，行业的国际竞争力也将进一步加强。

Mini LED技术普及率低，各终端应用领域参与者主要为细分领域龙头。因技术普及率低，目前Mini LED未大规模应用，产业链尚未完全整合，各国对Mini LED的技术布局较为均衡，竞争格局不明朗。

四、大陆相关企业

LED芯片：

三安光电

三安光电股份有限公司成立于2000年11月,于2008年7月在上海证券交易所挂牌上市。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售。公司凭借强大的企业实力,继2014年扩大LED外延芯片研发与制造产业化规模、同时投资集成电路产业,建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目之后,2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区,斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。2022年项目建成后,三安光电将实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。

 

华灿光电

华灿光电股份有限公司成立于2005年,是我国领先的半导体技术型企业。目前有张家港、义乌、玉溪三大生产基地。历经十几年的发展,华灿光电已成为国内第二大LED芯片供应商,国内第一大显示屏用LED芯片供应商。2015年收购云南蓝晶, 整合LED上游产业资源。云南蓝晶为从事LED上游产品生产、加工和销售的高新技术企业, 是国内唯一一家集自主掌握长晶技术、自主设计建造晶体炉、生长晶体、研磨抛、清洗封装为一体的蓝宝石衬底及相关材料生产企业, 产品覆盖蓝宝石衬底材料完整的价值链。在LED芯片领域, 蓝宝石领域,以及先进半导体和器件领域,华灿光电将发挥既有半导体技术优势,致力于实现“成为全球领先的半导体平台型企业”的发展愿景。

 

LED封测

新益昌

深圳新益昌科技股份有限公司,主要从事LED、电容器、半导体、锂电池等行业智能制造装备的研发、生产和销售,为客户实现智能制造提供先进、稳定的装备及解决方案。经过多年的发展和积累,公司已经成为国内LED封装、电容器老化测试智能制造装备领域的领先企业,同时凭借深厚的研发实力和持续的技术创新能力,成功进入了半导体封装设备和锂电池设备领域。

公司是国产LED固晶机龙头，Mini LED固晶机有望成为国内厂商首选，分享市场爆发红利。公司是国内 LED 固晶机龙头企业，LED 固晶机全球市占率28%，国内市占率60%，国内市场认可度高。Mini LED 固晶机竞争对手包括ASMPT 和 K&S，公司具有价格和服务优势，有望成为国内厂商首选，分享Mini LED 爆发红利。目前公司Mini LED固晶机在手订单充足，业绩增长动力强。

免责声明：本文章不涉及投资建议，仅供分享观点所用。

 

资料来源：

国联证券：电子行业报告——2023 年有望开启 LED 行业繁荣的起点

平安证券：Mini LED爆发在即，设备先行机遇何在？

亿渡数据：2022年中国Mini LED行业研究报告

国泰君安证券：Mini LED 显示新趋势，成长空间大，国内布局领先

安信证券：Micro LED 巨量转移技术持续进展，Mini LED 应用方兴未艾