半导体周报(国科龙晖整理)-0723

一、行业动态及新闻

（1）半导体设计：

据外媒报道，7月19日，三星电子宣布，已完成业界首款GDDR7 DRAM 的开发。年内该款产品将首先搭载于主要客户的下一代系统上验证，从而带动未来显卡市场的增长，并进一步巩固其在该领域的技术地位。据官网介绍，三星电子GDDR7可达到每秒1.5太字节 (TBps)的带宽，是GDDR6 1.1TBps的1.4倍，并且每个数据I/ (输入/输出) 口速率可达32Gbps。

 

财联社7月23日电，日本国内企业和东京工业大学等组成的研究团队研发出支撑人工智能(AI)运转的新半导体运算线路，能效比是现已投入使用技术的5倍以上，以解决AI耗电量较大的问题。研究团队找出可以让用于图像识别的计算量减少六成的方法，减少向记忆装置传送数据的次数，研发出专门用于AI处理的独特运算线路。在新的运算线路中，每1瓦功率在1秒内的计算次数可达15万亿次，相当于现已投入使用技术的5倍以上。研究团队表示，如果将其应用于工业机器人、监控摄像机和无人机等，则可以让AI在图像识别等方面高效发挥作用。

 

（2）半导体制造及封测：

据Hi Investment&Securities报道，Samsung Foundry在3nm工艺上的良率达到了60%，高于台积电（55%）。三星目前在4nm工艺方面良率为75%，和台积电（80%）存在差距，不过通过发力3nm，有望在未来超过台积电。由于台积电的大部分订单都被苹果预订，英伟达、高通等公司都对三星的第二代3nm（SF3）工艺感兴趣。

 

《科创板日报》19日讯，Knometa机构估计，到2022年底，有167家半导体晶圆厂加工直径为300mm、用于制造集成电路的晶圆，包括CMOS图像传感器和非集成电路产品，如电源分立器件。到2023年底，将增加到180家。新的13家300mm晶圆厂将于2023年投产，用于生产功率晶体管、先进逻辑和提供代工服务。其中有5家专注于生产非集成电路产品，其中3家位于中国，2家位于日本。

 

（3）半导体设备：

据外媒报道，7月23日，日本将先进的半导体制造设备列入其出口管制清单，此举使东京与美国旨在防止芯片技术落入中国手中的措施保持一致。清单中新增了二十三项，包括形成电路图案和测试芯片所需的设备。行业观察人士表示，这将使中国更难进口高科技芯片制造工具。

据集微网报道，半导体设备厂商的订单量正在减少，这可能会限制下半年的增长。随着台积电4月下调全年营收预估，以及其他主要芯片制造商调整生产扩张步伐和资本支出，半导体制造设备和材料供应商开始受到市场放缓的影响。

 

（4）其他：

7月21日公布的官方数据显示，由于全球芯片市场尚未回暖，2023年7月前20天，南韩出口额较2022年同期下滑15.2%，维持两位数负成长。韩联社报导，根据南韩关税厅(Korea Customs Service)7月21日公布，2023年7月1日至20日，南韩出口总额为312亿美元，较2022年同期的368亿美元减少15.2%。进口额也下滑28%至326亿美元，造成贸易逆差13.6亿美元。依产品类别区分，作为南韩出口主力的半导体芯片，7月前20天出口额锐减35.4%至43亿美元。半导体产业是南韩的经济命脉，过去占该国总出口比重两成。

 

据台媒报道，由于全球需求放缓，中国台湾 6 月份集成电路芯片出口连续第六个月下降。中国台湾方面的数据显示，出口额同比下降 20.8%，至四个月低点 126 亿美元。该岛是苹果公司和英伟达公司的首选芯片制造商台积电以及一些规模较小但重要的芯片行业参与者的所在地。年度跌幅为 2009 年 3 月以来最大跌幅，去年 6 月的高基数在一定程度上放大了跌幅。

 

Yole Intelligence预计2023年半导体设备行业总收入将下降8.3%，收入将从2022年度额1010亿美元减少到930亿美元，2023 年第一季度半导体设备市场已经相较上一季度下降7%，而在2023年第二季度还将面临11%的下降。

 

《科创板日报》18日讯，陶氏化学美国一工厂日前传出爆炸起火事件，该厂生产半导体关键耗材，主要供成熟制程晶圆制造使用。联电、世界先进、力积电等晶圆代工成熟制程相关厂商密切关注后续发展，目前均评估不影响生产。

 

二、本周话题——半导体材料之光刻胶

光刻胶是半导体制造关键材料。光刻是精细线路图形加工中最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸。通常半导体芯片在制造过程中需要进行 10-50 道光刻过程，占芯片制造时间的 40-50%，占制造成本的30%。光刻胶是光刻工艺中最重要的耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能以及器件可靠性直接相关。根据 SEMI 数据，2021 年 光刻胶在全球晶圆制造材料市场中占比 6.1%。

 

半导体晶圆制造材料工序流程

 

资料来源：SEMI，头豹研究院，ICAC，华创证券

光刻过程可大致分为涂胶、曝光、显影、刻蚀、清洗等步骤:(1)涂胶:将已沉积在晶圆表面需要被刻蚀的晶圆面朝上放置于图片，涂抹上光刻胶，然后通过高速旋转将光刻胶均 匀涂抹于晶圆表面，其中光阻层的厚度与转速成负相关。(2)曝光+显影:紫外光通过光罩照射至光刻胶表面，被照射的地方化学性质发生改变，进而在显影液的作用下被清除，从而暴露出下层需要被刻蚀的材料。(3)刻蚀:将处理好的晶圆片放置刻蚀液中，刻蚀液通常是可以和被刻蚀材料反映且不和光刻胶反映的液体，因此被光刻胶遮盖住的部分不受影响。(4) 清洗:光刻胶本身是有机物，因此最后可利用相似相容原理，通过物理+化学方法去除多余 的光刻胶。

 

正性胶与负性胶

根据曝光后光刻胶薄膜化学性质变化不同所导致的去留情况，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在紫外/极紫外光照射下，曝光区域光刻胶中的高分子链发生 降解、官能团脱保护、重排、分子内脱水等化学反应，导致其在显影液中溶解度增加，在基板上获得与掩膜版相同的图案。反之，负性光刻胶的高分子链在曝光区域光刻胶中因发生交 联而不溶，未曝光区域在显影液中溶解，从而获得与掩膜版图形相反的图案。在实际生产中，由于负性光刻胶在显影时易发生变形及膨胀，通常情况下分辨率只能达到 2 微米，因此正性光刻胶的应用更为广泛。

 

资料来源：容大感光招股说明书,太平洋证券研究院

波长分类

根据曝光波长的不同，目前市场上应用较多的光刻胶可分为 G 线、I 线、KrF、ArF 和 EUV5 种类型。光刻胶波长越短，加工分辨率越高。为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶波长也在不断缩短。g/i 线光刻胶诞生于 20 世纪 80 年代，当时主流制程工艺 在 0.8-1.2μm，适用于波长 436nm 的光刻光源。到了90年代，制程进步到 0.35-0.5μm，对应波长更短的365nm 光源。当制程发展到 0.35μm 以下时，g/i 线光刻胶已经无法满足制程工艺的需求，于是出现了适用于 248 纳米波长光源的 KrF 光刻胶，和193纳米波长光源的 ArF 光刻胶，两者均是深紫外光刻胶。EUV(极紫外光)是目前最先进的光刻胶技术，适用波长为13.5nm 的紫外光，可用于 7nm 以下的先进制程，目前仅有 ASML集团掌握EUV光刻胶所对应的光刻机技术。

用于 I 线(365nm)和 G 线(436nm)的光刻胶主要成分是聚合物树脂、光敏化合物 (PAC)和溶剂。溶剂含量变化可以改变光刻胶粘度，从而在合理的转速范围内得到刻蚀所 需的厚度;PAC 是重氮萘醌酯化合物，主要用于线性酚醛树脂体系光刻胶中，如 g 线/i 线光 刻胶，决定光刻胶的光敏程度，在光子的作用下，PAC 分解，进而激发光化学反应。目前绝 大多数的 I/G 线胶都是以酚醛树脂和二氮醌(DNQ)为主要成分的“novolac/DNQ”胶，其中 DNQ 占总质量的 20%-50%。

常用于 KrF(248nm)的光刻胶是tBOC 胶，所使用的聚合物树脂为 PBOSCT。根据化学放大原理，受到光照后，光致酸产生剂释放 H+，在后续 PEB 过程中酸导致悬挂基团脱落并生成一个新亲水酸分子。PBOSCT 光敏感度比 novolac/DNQ 胶提升两 个数量级，且具备正/负胶选择能力，因此被广泛应用于 130-180nm 分辨率的光刻工艺。

ArF 光刻胶以 PMMA 为树脂材料，浸没式 ArF 胶进一步增加隔水涂层等改进性能。由于芳香结构的PBOCST 对 193nm 光吸收较强，因此 ArF 胶多采用基本对 193nm 光透明无吸收的聚甲基丙烯酸甲酯 PMMA 为树脂材料。而用于浸没式 ArF 光刻胶在此基础上又进行多次改进，如引入隔水涂层来减少 H2O 对光刻工艺的影响，采用大分子疏水性 PAG 降低酸(H+) 向水体系的扩散等，采用多重曝光技术最高可满足7nm 节点需求。

极紫外 EUV 光刻可实现线宽减小，对光刻胶材料要求更苛刻，目前以金属基光刻胶为主流。EUV 波长 13.5nm，仅为 ArF 胶的不到 1/10，因此可实现的关键线宽大幅缩小。当前 EUV 光刻胶主要包括聚合物基光刻胶、有机分子玻璃光刻胶、金属基光刻胶等，其中金属基 光刻胶由于具有尺寸小、EUV 吸收率高等显著优势，研究进度较快。

 

半导体光刻胶种类与应用

 

资料来源：势银《光刻胶产业研究报告》，太平洋证券研究院

高阶制程的芯片并不只采用单一品种光刻胶作为主要材料;在晶圆上通常需要涂多层光刻胶来完成芯片的电路设计，在部分区域的制程要求相对较低，为降低成本，晶圆厂只会在最重要的区域使用高端光刻胶如 EUV 或 ArF/ArFi 产品，其余部分则采用技术性能要求相对较低的 g/i 线、KrF 光刻胶。2021 年以 28nm 制程为例，全球 28nm 光刻胶产品中，适配 250-130nm 制程的 KrF 光刻胶占比达到了31%。

 

2021年全球28nm制程所用光刻胶结构

 

资料来源：芯谋研究，华创证券

ArF(i)、KrF 光刻胶占据主要市场。根据 TECHCET 数据，2020 年全球半导体光刻胶市 场中占比最大的为 ArFi，达40%，其次为 KrF 占比 33%，I/G 线、ArF(干式)分别占比 17%、10%。国内方面，根据 SIA 数据，2020 年我国半导体光刻胶市场中 ArF 占比 40%， KrF 占比 39%。

 

产业链及核心技术壁垒

光刻胶产业链上游为原树脂、单体、感光剂、溶剂等光刻胶原材料;中游为基于配方的光刻胶生产合成，下游主要为各芯片应用环节。由于光刻胶本身就是一种配方型的经验学科，又高度影响光刻环节的精度和良率，因此在光刻胶产业链的三个环节都存在较高壁垒。

（一）、上游:核心原材料仍依赖进口。光刻胶由树脂、光致产酸剂、溶剂和添加剂等混合而成。

1、树脂是光刻胶最核心的部分，是光刻胶的骨架。光刻胶树脂是一种惰性聚合物，可以将光刻胶中的不同材料聚合在一起，同时在光照下会与光敏材料发生反应，使光刻胶在显影液中的溶解度发生变化。光刻胶树脂决定曝光后光刻胶的基本性能，如能达到的线宽、胶膜厚度、耐刻蚀性、附着力等。

2、光敏材料是光刻胶成分中的光敏感化合物，是光刻胶的重要组成部分。半导体光刻胶用光敏材料主要分为 PAG(光致产酸剂，简称光酸，Photo-Acid Generator)和 PAC(感光化合物，Photo-Active Compound)。PAG 在吸收光之后产生酸，因此被称为“光酸”;在曝光后烘烤(PEB)过程中，这些酸会作为催化剂使树脂上悬挂的酸不稳定基团脱落，从而改变树脂的碱溶解性;PAG主要运用于在化学放大型体光刻胶中，包括 KrF、ArF、EUV 光刻胶。PAC 是重氮萘醌酯化合物，在光作用下从溶解抑制剂转变为溶解促进剂，主要用于线性酚醛树脂体系光刻胶中，如 g 线/i 线光刻胶。

3、溶剂主要用于将光刻胶的各组分分散其中，使光刻胶具备良好的流动性，目前半导体光刻胶所用的溶剂主要是 PGEMA(丙二醇甲醚醋酸酯，即 PMA)。添加剂包括 活性剂、稳定剂等，用于控制和调节光刻胶的性能。

 

光刻胶构成

 

资料来源：Trend Bank《光刻胶产业研究报告》，强力新材可转债说明书，华创证券

不同波长的半导体光刻胶组分存在较大差异。波长越短的光刻胶树脂含量越低，溶剂的含量越高。G/I 线光刻胶中树脂的含量通常在 10-20%，KrF 光刻胶中为 7-10%，ArF、 EUV 光刻胶中树脂含量通常在 5%以下。

 

不同半导体光刻胶组分含量

 

资料来源：TrendBank《光刻胶产业研究报告》，华创证券

（二）、中游制造存工艺、设备壁垒，下游客户导入意愿较低及验证周期长。

1、配方壁垒:配方是光刻胶的核心技术。各厂商的配方难以通过分析市场上的成品来获得。为实现与已有供应商产品的性能和参数的完全匹配，光刻胶厂商首先需要对成百上千个树脂、光酸和添加剂进行排列组合，其次还要不断对各成分的比例进行调整，以实现和现有产品关键参数的完全匹配，这需要足够的研发资源、经验积累。

2、配套光刻机:光刻胶需要通过相应的光刻机进行测试和调整，目前国际光刻机龙头厂商所在地区对我国实施技术封锁，国产光刻机产品较少，且技术水准与海外龙头有较大差距，可供光刻胶厂商测试的资源较少。此外光刻机的购置和测试成本高昂，资金投入要求极高。

3、量产稳定性:光刻胶的稳定性对下游晶圆厂极为重要。从实验室产品到量产，每批次光刻胶产品间金属离子含量、分子量分布等都必须实现稳定一致。这其中的难点，一是原材料的稳定供应，尤其是对于KrF、ArF 等高端品种，其所需的单体、树脂种类较多，并且在国际市场中仅能购买到基础款，因此能否稳定获取质量合格的光刻胶树脂具 有较大难度。二是在放大量产过程中金属离子的控制，由于存在环境控制效果不一样、 树脂后处理产品量不同、配胶时混合速度不一样且均匀度也不一样等问题，需要更高水平的提纯技术和经验。

 

光刻胶生产过程图

 

资料来源：容大感光招股说明书，华创证券

4、下游客户认证壁垒:由于光刻胶的品质会直接影响芯片性能、良率等，试错成本高， 客户验证需要经过 PRS(基础工艺考核)、STR(小批量试产)、MSTR(中批量试产)、 RELEASE(量产)四个阶段，验证周期在两年以上;此外光刻胶厂商的原材料供应商 也必须得到下游晶圆厂的认可，因此下游晶圆厂与光刻胶供应厂商的粘性较强，光刻胶产品替代验证的时间成本极高。

 

应用领域

光刻胶主要应用于半导体、显示面板与印制电路板领域。

1、印制电路板(PCB)是电子产品的基本组成部分之一， PCB的加工制作过程中需要将电路图象转至衬底板上， PCB光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶、光成像、阻焊油墨等。根据新思界产业研究中心发布的《2022-2026年PCB光刻胶行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，在全球PCB光刻胶市 场中，中国份额占比达到94%左右。在中国PCB光刻胶市场中，国产PCB光刻胶份额占比达到63%。干膜光刻胶技术壁垒相对较高，国内以进口为主。

 

PCB光刻胶类别

 

资料来源：TrendBank，太平洋证券研究院

2、显示面板(LCD)光刻胶可分为TFT正性光刻胶、触控 用光刻胶、彩色光刻胶和黑色光刻胶等，彩色光刻胶 、黑色光刻胶主要用于制备彩色滤光片，触摸屏用光刻胶主要用于在玻璃基板上沉积 ITO制作触摸电极， TFT-LCD正性光刻胶主要用于微细图形加工。彩色和黑色光刻胶市场国产化率较低，触控屏光刻胶逐步实现国产化替代。触控屏光刻胶国产化率在30%-40%左右;彩色和黑 色光刻胶行业壁垒较高，国产化率仅为6.36%、13.08%左右。

全球各类面板光刻胶规模占比

 

 

资料来源:富士经济,太平洋证券研究院
面板光刻胶类别

资料来源:势银,太平洋证券研究院

3、半导体集成电路制造行业;主要使用g线光刻胶、i线 光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。在大规模集成电 路的制造过程中，一般要对硅片进行超过十次光刻。 在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘、 涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节 ，将光罩(掩膜版)上的图形转移到硅片上。

 

行业现状

全球电子产业制造东移，光刻胶作为关键耗材需求景气。在世界电子产业分工协作的大背景下，我国大陆凭借劳动力成本和终端市场需求等优势逐渐成为全球最大的电子信息产品制造基地，半导体、PCB、面板产能增长迅速，由此带来上游材料光刻胶市场需求同步快速增加。根据 Research And Markets 和 Cision 预测数据，2020-2026 年，全球光刻胶市场规模将从 87 亿美元增长至 120 亿美元以 上，复合增长率约 6%，中国大陆光刻胶市场规模将从 84 亿元增长至 140 亿元以上。复合增长率约 10%，增速更快。

 

全球&中国大陆光刻胶市场规模

 

资料来源：Research And Markets、Cision、中商产业研究院、德邦研究所

2021 年全球半导体光刻胶市场约为 24.71 亿美元，中国大陆市场约 4.93 亿美元。下游数据中心服务器及新能源汽车等行业的快速扩张驱动全球晶圆代工厂积极扩产，从而为上游半导体光刻胶提供了持久的增长动力。SEMI 数据显示，2021 年全球半导体光刻胶市场约为 24.71 亿美元，同比增速达 19.49%，中国大陆市场保持最快增速，达 4.93 亿美元，同比增长 43.69%。受益于半导体行业技术进步带来的 KrF 胶和 ArF 胶单价值量和总需求快速提升，预测 2022 年全球半导体光刻胶市场将以9%的增速增长，达 26.93 亿美元，而光刻胶国 内半导体光刻胶市场有望以高于全球的增速持续增长。

 

全球半导体光刻胶市场规模及增速

 

国内半导体光刻胶市场规模及预测

资料来源：SEMI，浙商证券

 

KrF 胶及 ArF 胶(含 ArFi 胶)凭借较高单价占据80%以上市场份额。TECHCET 数据 显示，2020 年 ArF 和 ArFi(ArF 浸没式光刻胶)市场规模共计 9 亿美元，占据约 48%的全球半导体光刻胶市场份额，位列第一，KrF 光刻胶市占率 34%，排名第二，G/I 线胶以 16% 的市占率位列第三。

 

资料来源：中商情报网，浙商证券研究所

 

工艺节点进步和存储技术升级，光刻层数提升，单位面积光刻胶价值量增长。随着先进制程技术成熟及市场份额占比提升，配套使用的光刻胶也由 G/I 线光刻胶进步到价值含量更高的 KrF 和 ArF（ArFi）光刻胶，28nm 及以下先进制程通常使用 KrF 胶及 ArF 浸没式光刻胶，光刻工艺层数相较成熟节点也存在显著提高，根据 SEMI 数据，单位面积光刻胶价值含量由 2015 年的约 0.120 美元/平方英寸上涨至 2021 年的 0.174 美元/平方英寸，CAGR 6.4%。

 

 

资料来源：SEMI，浙商证券研究所

下游需求旺盛驱动半导体硅晶圆市场快速增长。5G、物联网、新能源汽车、人工智能 等新兴领域的高速成长贡献半导体市场新的需求增长点。据 SEMI 统计，2022 年全球硅晶圆出货面积达 147.13 亿平方英寸，同比增长 3.9%，销售额达 138 亿美元，同比增长 9.5%，双双创历史新高。下游晶圆市场快速增长驱动下，半导体材料市场同步保持高速增长。根据 SEMI 数据，2022 年全球半导体材料市场规模达 727 亿美元，同比增长 8.9%， 其中晶圆制造材料市场达 447 亿美元，同比增长 10.5%。

大硅片占比提高&制程节点升级，驱动单位面积晶圆所需光刻胶价值量提升。根据 SEMI 数据，2000 年以来在摩尔定律推动下，12 英寸硅片出货面积持续提升，2021 年市场份额已大幅提高至 68.47%，成为半导体硅片市场的主流产品，预计到 2022 年市场份额将接近 70%。12 英寸芯片所用制程通常在 130nm 以下，且在持续向先进制程转移。 另外根据 SUMCO 统计，逻辑芯片中 28nm 以下先进制程占比由 2012 年的不足 10%提高 至 2021 年的 60%以上。随着大硅片趋势&制程结构升级，高端光刻胶的需求将会进一步提升，带动单位面积晶圆消耗的光刻胶价值量不断上升。

 

竞争格局

日美厂商垄断半导体光刻胶市场。根据富士经济数据，2020 年全球 KrF 光刻胶市场中， 东京应化、信越化学、美国陶氏化学、JSR 分别占据了 31.4%、21.9%、10.9%、21%的市场份额，CR4 达 85%;ArF 光刻胶市场则基本由日本厂商占据，前四大厂商 JSR、信 越化学、住友化学、东京应化分别占比 25%、21.8%、16.8%、15.8%，CR4 达 80%。 EUV 光刻胶市场主要由东京应化占据一半份额，其余市场由信越化学、JSR 等占据。

2020年全球G/I线光刻胶市场格局    2020年全球KrF光刻胶市场格局

2020年全球ArF光刻胶市场格局      2020年全球EUV光刻胶市场格局

资料来源：富士经济，东京应化公告，转引自前瞻产业研究院，华创证券

国内半导体光刻胶国产化率极低，供应不稳定性催化半导体光刻胶自主可控需求。目前 国内实现产业化的光刻胶生产企业主要集中于 PCB 及面板领域，半导体领域特别是高端品种仍需进口。根据前瞻产业研究院数据，目前从事半导体用光刻胶研发和产业化的企业则多以 i 线、g 线光刻胶生产为主，2021 年国内 G 线、I 线光刻胶国产化率已达10%， KrF 以上的高端光刻胶品种基本处于研发状态，国产化率仅为 1%。2021 年初，日本光 刻胶龙头信越化学工厂遭遇地震产能受限，对国内部分晶圆厂限供/断供 KrF 光刻胶，即 便其他国外厂商补充了部分产能，但仍存在较大缺口。

 

国内光刻胶行业国产化及进口替代情况

 

资料来源：前瞻产业研究院、转引自 2021 年晶瑞电材可转债募集说明书，华创证券

目前国内半导体光刻胶进展较快的公司包括彤程新材、华懋科技、晶瑞电材、上海新阳等。分产品看:g/i 线光刻胶:国内北京科华、徐州博康、苏州瑞红已实现大规模量产， 已导入国内头部半导体企业，市场份额逐渐提升。KrF 光刻胶:北京科华和徐州博康进展较快，2022 年已有多个品种实现销售;此外苏州瑞红及上海新阳也实现了量产突破。 ArF 光刻胶:南大光电推出国内通过客户验证的第一只国产 ArF 光刻胶，并实现少量销售，华懋科技、上海新阳也有相关产品进行测试导入。EUV 光刻胶:当前国内并无EUV 光刻机，各厂商 EUV 光刻胶尚处于理论研究阶段。

 

大陆相关企业

彤程新材

全球最大轮胎用特种材料供应商，半导体&面板光刻胶协同发展。公司业务涵盖电子材 料、汽车/轮胎用特种材料和全生物降解材料三大领域。公司是全球最大的轮胎橡胶用 特种酚醛树脂供应商，多年发展与国内外轮胎企业建立了长期稳定的业务合作。国内半导体光刻胶龙头生产商，产品性能领先实现业绩高增。公司半导体光刻胶产品种类已涵盖国内 14nm 以上大部分工艺需求:公司 G 线光刻胶产品在国内占据较大市场份 额，I 线光刻胶产品已接近国际先进水平;公司是国内唯一可大量供货 KrF 光刻胶的生 产商，KrF 产品在 Poly、AA、Metal、TM/TV、Thick、Implant、Contact Hole 等工艺的 市占率持续攀升，且 DKN 系列 KrF 负性光刻胶取得量产突破，产品性能达到或超过国 外同类产品。2022 年公司半导体光刻胶业务实现营业收入 1.77 亿元，同比增长 53.48%; 半导体用 G/I 线光刻胶产品较上年同期增长 45.45%;KrF 光刻胶产品较上年同期增长 321.85%。公司生产的 I 线光刻胶和 KrF 光刻胶是国内 8-12 寸集成电路产线主要的本土 供应商，随着半导体光刻胶国产替代加速，公司光刻胶业务有望迎来快速增

晶瑞电材

公司光刻胶产品由子公司苏州瑞红生产，苏州瑞红自 1993 年开始规模化生产光刻胶，是国内少有的既有规模又有利润的成熟光刻胶企业，其产品主要应用于半导体及显示面板领域，部分产品已占据国内主要市场份额:公司紫外负型光刻胶和宽谱正胶及部分 G 线等高端产品已规模供应市场 数十年;i 线光刻胶已向国内中芯国际、合肥长鑫等知名大尺寸半导体厂商供货，为我 国供应半导体光刻胶出货量最大的本土企业之一;KrF 高端光刻胶部分品种已量产;同 时已启动 ArF 高端光刻胶研发工作。近年来公司持续加大尖端光刻胶研发投入，斥资数 亿购入 2 台 ArF、KrF 光刻机及相关配套设备，牵头发起相关品种技术攻关及产业化项 目;随着产品序列逐步完善，公司光刻胶业务前景可期。

 

免责声明：本文不涉及投资建议，仅供分享观点所用。

 

参考资料：

华创证券：光刻胶:半导体国产替代核心材料，国内厂家有望迎来发展新阶段

浙商证券：光刻胶:半导体产业核心卡脖子环节，国内厂商蓄势待发

德邦证券：国产光刻胶:破晓而生，踏浪前行

太平洋证券：电子化学品系列报告之一:光刻胶国产替代迎来良机