半导体周报(国科龙晖整理)-0827
一、行业动态及新闻：
1、半导体设计：
财联社8月24日电，《自然》23日发表的研究报道了一种能效为传统数字计算机芯片14倍的人工智能（AI）模拟芯片。这一由IBM研究实验室开发的芯片在语音识别上的效率超过了通用处理器。该技术或能突破当前AI开发中因算力性能不足和效率不高而遇到的瓶颈。
2、半导体制造及封测：
《科创板日报》23日讯，据韩国经济日报报道，业内消息人士透露，三星电子准备向AMD提供高带宽内存（HBM）芯片和一站式封装服务。报道称，三星第四代HBM芯片“HBM3”和封装服务最近通过了AMD的质量测试，AMD计划将这些芯片和服务用于其Instinct MI300X加速器。Instinct MI300X结合了CPU、GPU及HBM3，预计今年第四季度发布。
《科创板日报》22日讯，业内人士21日透露，三星电子正在将日本东京电子（TEL）的设备引入其平泽工厂的NAND产线。该设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。三星电子已将其引入P3 NAND生产线，并进行量产测试。韩媒指出，如果三星使用该设备量产，最有可能用于P4厂；P4 NAND生产线主要生产下一代NAND闪存V9和V10。
《科创板日报》24日讯，韩国显示及半导体设备厂商APS正在审查一项开发基于硅衬底的FMM计划。FMM用于OLED面板的生产。APS目前正在开发一种采用激光图案制作的FMM，希望将其用于硅基OLED（OLEDoS）的生产。
财联社8月26日电，无锡高新区、韩国纳科新公司、市产业集团8月25日签约合作，总投资2亿美元的半导体高端检测量测装备生产研发基地项目落地。该项目将专注半导体晶圆和半导体硅片高端检测、量测装备的研发、生产及销售，并计划设立技术研发中心。
3、半导体设备：
据英国《金融时报》网站报道，在美国盟友实施出口限制之前，中国的半导体设备进口量激增，创下新的纪录。中国海关数据显示，今年6月和7月，中国的芯片生产机器或装置进口总额接近50亿美元，比去年同期的29亿美元增长了70%。报道称，大部分设备进口自荷兰和日本。这两个国家之前同意与美国合作减缓中国技术进步，它们现在都对芯片制造设备实施了出口限制。
4、其他：
《科创板日报》25日讯，据报道，今年上半年，消费电子低迷，LCD厂商普遍亏损，OLED行业杀价竞争，台湾地区驱动芯片设计厂商承压前行，营收和净利润普遍下滑。而且下半年市场行情同样不容乐观，为了降低生产成本，提高市场竞争力，台湾地区驱动芯片设计厂商有可能将更多的订单转至大陆地区，加速大陆55nm、40nm、28nm HV晶圆代工产能提升，扩大大陆90nm HV晶圆代工优势。
《科创板日报》23日讯，在全球半导体产业2023年缩减投资的背景下，三星电子逆势扩大设备和研发投入，在上半年进行了有史以来最大的设备投资。根据三星电子财报，2023上半年进行的设备投资达到25.2593万亿韩元，同比增长约24.7%，其中用于半导体领域的投资占比92%。三星电子上半年的研发费用也达到13.0777万亿韩元，同比增长13.1%。业内人士认为，三星电子大举投资半导体设备，是为了缩小与其他芯片制造商的差距；除此之外，三星未来还计划开展大型并购活动。
《科创板日报》25日讯，SK海力士正在内部招聘“后处理”（封装）人员，以扩大生产规模。半导体行业消息人士24日透露，SK海力士的晶圆级封装（WLP）部门最近决定重新分配和加强封装技术人员,该部门负责下一代封装技术的开发和大规模生产。人员的增加是为了应对人工智能投资激增所带来的对HBM快速增长的需求。
《科创板日报》25日讯，供应链传出，联电近日扩充硅中介层两倍产能，月产能将由目前的3 kwpm（千片/每月）扩增至10kwpm，明年产能有望与台积电齐平，大幅缓解CoWoS制程供不应求的压力。据悉，英伟达非台积电CoWoS供应链主要包括联电、安靠，及日月光旗下的矽品精密。其中，CoWoS中前段CoW部分的硅中介层主要由联电供货。
二、本周话题——半导体制造之光刻设备（二）
光刻核心系统
光刻机是最复杂的工业产品之一，其本体由照明、投影物镜、工件台、掩模台、对准与测量、掩模传输、晶圆传输等主要系统组成。此外，还有环境与电气系统、光刻计算（OPC）与掩膜优化（SMO）软件、显影涂胶设备提供支持。主要性能指标有分辨率、套刻精度和产率。在芯片制作中，光刻机会投射光束，穿过印有图案的光掩膜版及光学镜片，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上。通过蚀刻曝光或未受曝光的部分来形成沟槽，再进行沉积、蚀刻等工艺形成线路。
光刻机的结构
资料来源：ASML，财通证券研究所
随着集成电路的发展，光刻机各个系统不断优化升级，双工件台技术与浸液技术相继被采用，采用全反射式光学系统的极紫外光刻机已经用于量产。为了满足不断提升的性能指标要求，光刻机的各个组成系统不断突破光学、精密机械、材料等领域的技术瓶颈，实现了多项高精尖技术的融合。
资料来源：《Photolithography technology in electronic fabrication》，中泰证券研究所
光刻机的三大核心系统分别为：光源系统、光学镜头、双工作台系统。
（一）、光源系统：
光源是光刻机核心系统之一，光刻机的工艺能力首先取决于其光源的波长。光源分为汞灯产生的紫外光、深紫外光、极紫外光，目前光源波长已发展到13.5nm：为了追求更小的芯片制程，需要光源波长不断变短，最早光刻机的光源采用高压汞灯产生的紫外光源，高压汞灯可产生436nm（g-line）、365nm（ i-line ）波长紫外光。随后，业界选用了准分子激光器产生的深紫外光源，深紫外光激光（DUV laser）可达KrF（248nm）、ArF（193nm）、 F2（157nm） 。制程突破7nm以下时，需要极紫外光激光（EUV laser），可达13.5nm极短波长的光源，该光源无法从激光器中产生，须由高能激光轰击金属锡激发的等离子体而产生。
光源波长发展历程
资料来源：头豹研究院，ASML，中泰证券研究所
光源：
1）高压汞灯：一种气体放电电光源，汞蒸气被能量激发，汞原子最外层电子受到激发从而跃迁，落回后放出光子。放电管内充有启动用的氩气和放电用的汞。
高压汞灯结构示意图
i 线（365nm 波长）及以上波长光刻机使用的光源是高压汞灯。高压汞灯能提供254～579nm波长的光。使用滤波器可以选择性的使用 i 线（365nm）、H 线（405nm） 或 G 线（436nm）为光刻机提供照明光源。
高压汞灯光刻光源系统结构图
资料来源：紫外 LED 光刻光源系统的研究与设计，中泰证券研究所
2）深紫外光光源：一般采用准分子激光器作为光源。准分子激光光源工作介质一般为稀有气体及卤素气体，并充入惰性气体作为缓冲剂，工作气体受到放电激励，在激发态形成短暂存在的“准分子”，准分子受激辐射跃迁，形成紫外激光输出。准分子激光器常在输出能量、波长、线宽、稳定性等方面远超越前期的汞灯光源。
资料来源：紫外 LED 光刻光源系统的研究与设计，中泰证券研究所
准分子激光器：准分子激光器大都工作在紫外波段，且上能级寿命仅10-8 s量级，对激励技术提出了较高要求。激光介质的激励功率密度一般需要高达MW/cm2，可以采用的激励手段主要有：电子束激励、放电激励和微波激励。
常用的准分子激光器均采用高压快放电激励，主要包括：整机控制系统、激励源、放电腔、谐振腔、水电气辅助系统。光刻用准分子激光器一般还包括线宽压窄模块、脉冲展宽模块等。激励源产生高压快脉冲，通过放电腔对工作气体放电激励形成粒子数反转，由于增益较大，一般采用平-平结构的谐振腔形成激光输出。辅助系统提供配电、工作气体、冷却水等，激光器整体运行由整机控制系统控制。
常用准分子激光器基本结构
资料来源：互联网公开资料整理
KrF 和 ArF/ArFi 光刻机使用准分子激光器作为光源，其工作的原理是：惰性气体（Kr，Ar）在电场和高压环境下与卤族元素气体（F2，Cl2）反应生成不稳定的准分子。激发态的准分子又不断分解，并释放深紫外（DUV）的光子。KrF 与 ArF准分子分别释放 248nm、193nm 波长的光子。准分子激光是脉冲式的，其关键的技术参数有脉冲的频率、输出功率、持续时间、稳定性等。
光源更高输出功率，意味着曝光时间缩短和光刻机产能提高。美国 Cymer 和日本GIGAPHOTON 的最新型光源，输出功率已达到 120W，脉冲的频率是 6000Hz，脉冲持的续的时间在 100～150ns。
资料来源：Cymer准分子激光器的工作原理及应用，中泰证券研究所
3）极紫外光光源：EUV 光源是目前最先进的光源。EUV 光刻机采用的是 CO2 激发的 LPP 光源，主要由主脉冲激光器、预脉冲激光器、光束传输系统、锡液滴靶、锡回收器、收集镜等构成。
EUV 光源的主要工作方式为：高功率激光击打金属锡,产生等离子体,辐射出极紫外光。将高功率的二氧化碳激光打在直径为30微米的锡液滴上，通过高功率激光蒸发锡滴，把融化的锡从高处以每秒5万次的频率滴下,每一滴锡20微米的大小, 瞄准每一滴锡滴,以CO2激光器产生的高能激光击中并产生等离子体,从而发出13.5nm波长的EUV光。实际上激光会发出两个脉冲——预脉冲和主脉冲。预脉冲首先击中锡珠，将其变成正确的形状，然后主脉冲将压扁的锡珠转化为等离子体，发射出EUV光。
EUV 光源工作原理图
资料来源：ASML 官网,财通证券研究所
第一个激光脉冲可使锡滴压扁为饼状，第二个脉冲紧随其后再次击中该锡滴，两次高能激光脉冲可将该锡滴瞬间加热至 50000K，从而使锡原子跃升至高能态，并回归至基态释放出 13.5nm 的紫外光,经收集镜导入到曝光系统当中。
CO2激光器：CO2激光器是采用混合气体作为增益介质，其中包括二氧化碳，氦气，氮气以及可能包含一些氢气，水蒸气和氙气。这种激光器是由气体放电进行电学泵浦，可以采用直流电流，交流电流或者射频范围。氮分子由放电电流激发到亚稳态，然后与CO2分子发生碰撞时将能量转移给它。氦气可以使低能态粒子数减少，并且能够消除产生的热。其它的组分，例如氢气和水蒸气可以使一氧化碳重新氧化成二氧化碳。CO2激光器通常辐射光的波长为10.6μm，但是在9-11μm期间（尤其是9.6μm）还有其它的辐射线。大多数情况下，辐射光的功率在几十瓦到几千瓦之间。功率转化效率能大于10%。
EUV 光刻机技术难点主要是光源功率高：为满足极紫外光刻需求，光源应具有以下性能: （1）光源功率达250W，且功率波动小；（2）较窄的激光线宽，具有频率噪声和很小的相对强度噪声，减少光学损耗；（3）较高的系统效率。光源转化率最终要达到250w以上的功率，因此激光器的平均功率要达到20kW。为了让激光束以极大的功率稳定传输，系统非常复杂性。 EUV 激光系统由大约 45 万个零件组成，重约 17 吨。从种子光发生器到锡珠有 500 多米的光路，对所有零部件的要求非常苛刻。
（二）、曝光系统
曝光系统包含照明系统（光源加工）和投影物镜（高分辨成像），是光刻机中最昂贵最复杂的部件之一。物镜的性能决定了光刻机的线宽、套刻精度，是光刻机的核心部件，其技术水平很大程度上代表了光刻机的技术水平。
照明与投影物镜系统的精确性与稳定性，对于将掩膜版上的图案准确转移到晶圆上，起到决定性的作用，是光刻机的核心组件。现今主流光刻机的照明与投影物镜系统，都内置有光学调整功能组件，能够依据掩膜版的图案结合光刻优化算法，采取最佳的曝光优化方案。光刻机整体通过照明系统、掩膜版、投影物镜、光刻计算的互相配合，实现最佳光刻方案。
光刻机照明与投影物镜系统结构
资料来源：华中科技大学《光刻机结构及工作原理详解》，中泰证券研究所
1、照明系统：照明系统为投影物镜成像提供特定光线角谱和强度分布的照明光场。照明系统位于光源与投影物镜之间，是复杂的非成像光学系统。照明系统的主要功能是为投影物镜成像提供特定光线角谱和强度分布的照明光场。照明系统包括光束处理、光瞳整形、能量探测、光场匀化、中继成像和偏振照明等单元。
照明系统原理
资料来源：茂莱光学官网，中泰证券研究所
1）光束处理单元：与光源相连，主要实现光束扩束、光束传输、光束稳定和透过率控制等功能，其中光束稳定由光束监测和光束转向两部分组成。2) 光瞳整形单元：光刻机需要针对不同的掩膜结构采用不同的照明模式以增强光刻分辨力，提高成像对比度。光瞳整形单元通过光学元件调制激光束的强度或相位分布，实现多种照明模式。 3）光场匀化单元：用于生成特定强度分布的照明光场。引入透射式复眼微透镜阵列，每个微透镜将扩束准直后的光源分割成多个子光源，每个子光源经过科勒照明镜组后在掩膜面叠加，从而实现高均匀性的照明光场。4）中继镜：在掩膜面上形成严格的光束强度均匀的照明区域并将中间的平面精确成像在掩膜版平面。
光瞳整形单元是照明系统中技术难度较大的部件，主要技术有：基于衍射光学元件（DOE）的光瞳整形技术和基于微反射镜阵列（MMA）的自由光瞳整形技术。
衍射光学元件（DOE）的光瞳整形：光瞳整形单元主要包括衍射光学元件、变焦距傅里叶变换镜组、锥形镜组和光瞳补偿器。衍射光学元件用于实现照明光瞳的角向调制，傅里叶变换镜组、锥形镜组用于照明光瞳的径向调制。DOE通常采用微纳刻蚀工艺构成二维分布的衍射单元，每个衍射单元可以有特定的形貌、折射率等，对激光波前位相分布进行精细调控。激光经过每个衍射单元后发生衍射，并在一定距离（通常为无穷远或透镜焦平面）处产生干涉，形成特定的光强分布。缺点：1个衍射光学元件只能实现1种照明模式。
DOE的优势主要在于：1) 高效率。精确设计的衍射单元结构可以确保接近100%的激光能量被投射到所需要的图样上，效率大大高于掩膜等手段；2) 使用便利。衍射光学元件具备非常小的体积和重量，插入光路中即可使用；大多数情况下可配合标准的透镜、场镜、显微物镜等使用；3) 灵活性。得益于微纳加工技术的长足发展，DOE可以针对不同的激光器或不同的目标光强/位相分布进行订制。同时，DOE应用的光路结构非常简单，在使用中搭配不同的透镜，可实现不同几何尺寸的光斑。
微反射镜阵列（MMA）的自由光瞳整形：主要由能量均衡组件、光束分割组件、微反射镜阵列和傅里叶变换镜组组成。核心器件是微反射镜阵列，由数千个二维转角连续可调的微反射镜组成，通过调整微反射镜阵列的角位置分布可实现任意照明模式，ASML先进机型中较多使用自由光瞳整形技术。
2、投影物镜系统：
投影物镜要将照明模组发射出的1阶衍射光收进物镜内，再把掩膜版上的电路图案缩小，聚焦成像在晶圆上，并且还要补偿光学误差。投影物镜主要由多枚镜片组成。
投影物镜将掩膜版图形，按照一定的缩放比例（通常是 4:1）投射到硅片面。由于掩模图形的线宽是硅片上的 4 倍，降低了掩模制造难度、减小了掩模缺陷对光刻的影响。但由于光源的波长不断减小，导致投影物镜的可用材料种类越来越少。大部分光学材料在深紫外（DUV）波段透过率都很低，可用材料只有熔融石英与氟化钙。
投影物镜的结构型分为折射式和折反式：1）折射式：光学元件旋转对称并沿着同一个光轴对准, 视场位于光轴中央, 结构简单易于装调；2）折反式（NA>1.1）：反射镜有着正光焦度和负值场曲, 不依赖传统“腰肚”结构, 使用较少数量和较小口径的光学元件满足对场曲的校正在一定物镜尺寸限制内实现更大的NA。
资料来源：ASML，《193nm投影光刻物镜光机系统关键技术研究进展》 ，中泰证券研究所
技术难点：像差调节要求高、工艺精密。
1）像差调节要求高：
波像差是实际波面与理想波面之间发生的偏离：光在介质中传播的时候，从物点发出的同心光束相当于球面波，球面波经过光学系统的时候，其曲率发生改变。如果是理想的光学系统，它会形成另外一个球面波。但在实际的光学系统，会受到投影物镜自身材料、特性、厚度、粗糙度、环境等因素的影响，经过投影物镜的出射，波面会发生变形。实际波面与理想波面之间发生的偏离就是波像差。波像差直接影响光刻机成像质量、光刻分辨率，因此光刻机的投影物镜系统需要对像差像差进行校正。
资料来源：《基于成像光强的光刻机像差原位检测理论与方法研究》，中泰证券研究所整理
ASML DUV高端投影物镜的像差 ≤2nm。高端单反镜头像差最多达到200+nm， 而ASML DUV高端投影物镜的像差 ≤2nm，因此光刻机镜片的平整度要求非常高，同时物镜内还需要可动镜片，垂直、倾斜和多向修正镜头组装及生产过程中产生的像差，还要尽量消除光损失产生的热量。
2）工艺精密：光刻机所要求的镜面光洁度非常高，需要采用精度最高的打磨机和最细的镜头磨料，此外还需要顶级的技术工人。在光学镜头的生产工序中，仅CCOS的抛光就有小磨头抛光、应力盘抛光、磁流变抛光、离子束抛光等超精密抛光高难度工序。蔡司生产的最新一代EUV光刻机反射镜最大直径1.2米，面形精度峰谷值0.12纳米，表面粗糙度20皮米（0.02纳米），达到了原子级别的平坦。
（三）、双工作台系统：
双工件台系统于 2000 年被荷兰 ASML 公司发明推出，被称为 TWINSCAN 系统。在双工件台系统中，两个工件台相对独立但同时运作；一个工件台承载晶圆做曝光时，另一个工件台对晶圆做对准测量等准备工作。当第一个工件台的曝光步骤完成后，两个工件台交换位置和功能。
资料来源：ASML，《ArF 浸没光刻双工件台运动模型研究 》，中泰证券研究所
老式的光刻机中只有一个工件台，晶圆的上下片、测量、对准、曝光依次进行；而在双工件台光刻机中，大部分测量、校正工作可以在非曝光工件台上进行，曝光位置的利用效率大幅提高。双工件台的发明使得光刻机的产能有了大幅度的提高。传统的单工件台光刻机很难实现其产能超过 100WPH，而基于双工件台的ASML 浸没式光刻机的产能已经能超过 200WPH，部分新型光刻机产能已经接近300WPH。
双工件台设计有效提高了产能，也为光刻过程中的测量步骤预留出了更多的时间。掩模台与工件台需高精度同步运动，否则会导致成像位置偏移，降低分辨率和套刻精度。
光栅尺用于工作台的定位。位移测量传感器有激光干涉仪和光栅尺，由于激光干涉仪对环境敏感性较高，目前高端机型较多使用光栅尺。原理：激光光源输出频差稳定的线偏振方向相互垂直的双频激光，一束作为参考差频信号由光电探测电路接收，另一束传输至光栅尺，光栅尺基于光栅多普勒效应和光学干涉原理实现位移测量。
晶圆和掩膜版上设计有特殊对准图形，两者位于一定范围内，光刻机的光学系统对准才能捕捉到；这要求工件台与掩膜台具备预对准功能。工件台和晶圆有对准标记，ATHENA 对准系统，能依据对准标记确其位置；此外工件台上设置有 TIS传感器，TIS 对准系统将掩膜上的 TIS 标记投射到工件台 TIS 传感器上，进而计算出掩膜图形与晶圆的相对位置。
TIS系统包括：①设置在掩膜工作台上的TIS标识（透光的密集线条）；②晶圆工作台上的TIS传感器。TIS标识通过光学成像透镜系统，投射在晶圆工作台。晶圆工作台上的TIS传感器测出TIS标识像强度的空间分布，从而计算出掩膜工作台上TIS标识相对于晶圆工作台的位置。TIS系统还可以进一步确定投影透镜系统的像差和成像系统的畸变。
资料来源：《超精密光栅尺位移测量系统》，芯制造，中泰证券研究所
行业现状及竞争格局：
Carl Zeiss（卡尔蔡司）是光学及光电子学领域的绝对权威，长期以来为ASML的光刻设备提供最关键且高效能的光学系统。 目前ASML已与卡尔蔡司公司合作开发出数值孔径为0.33的EUV光刻机镜头，并积极研发下一代0.55高数值孔径光学系统，为推进3纳米及以下制程做努力。该光学系统与多重成 像技术相比，成本将降低50%，周期时间将缩短3~6倍，并具备一流的套刻和聚焦性能。
美国顶级光源企业 Cymer 占据全球光刻机设备光源 70%的市场份额，但由于 EUV 光源研发始终无法突破瓶颈，ASML 于 2012 年将其收购，并在 2015 年实现 EUV出货。公司通过收购上游光源供应商与合作研发，掌握光源技术的同时提高光刻机光源供应的稳定性。
大陆相关企业
资料来源：中国科技信息网，WIND等，中泰证券研究所整理
光源：
茂莱光学
茂莱光学科技股份有限公司是国内稀缺的工业级精密光学综合解决方案提供 商，为客户提供“光、机、电、算”一体化的解决方案。从产品形态区分，公司产品主要包括精密光学器件、光学镜头和光学系统三大类;从下游应用区分，公司产品覆盖生命科学、半导体(检测和光刻机)、航空航天、AR/VR 检测、生物识别、自动驾驶等高附加值领域。(1)精密光学器件:包括透镜、棱镜和平片，应用于光刻机、高分卫星、探月工程、民航飞机等国家重大战略发展领域。(2)精密光学镜头:包括显微物镜、机器视觉镜头、成像镜头和监测镜头，应用于半导体检测设备、基因测序显微设备和 3D 扫描、光 电传感、航天监测及激光雷达等领域。(3)精密光学系统:主要包括半导体检测 光学模组、医疗检测光学系统模组、生物识别光学模组、AR/VR 光学测试模组 及光学检测设备等，提供光机电算一体化的解决方案，助力相关行业的龙头企业 开发前瞻性技术。
福晶科技
公司深耕激光产业上游元器件领域，主营产品包括晶体元件、精密光学元件和激光器件。公司成立于2001年，主营产品为晶体元器件、精密光学元件及激光器件等产品，主要用于固体激光器、光纤激光器的制造，是激光器系统的核心元器件，部分精密光学元件应用于光通讯、AR、激光雷达、半导体设备和科研等领域。公司研发的非线性光学晶体，是光刻机重要的上游原材料。非线性光学晶体能够转换激光的种类，广泛应用于固体激光器的制造。目前公司有多个项目聚焦于晶体质量与性能的提升，未来产品市场有望进一步扩张。
光学元器件
苏大维格
公司深耕高端微纳光学材料。苏州苏大维格科技集团股份有限公司2001年成立，2012年在深交所上市，公司深耕高端微纳光学材料及反光材料制品多年，已发展形成了公共安全和新型印材、消费电子新材料、反光材料、高端智能装备四大事业群，下游覆盖公共安全、液晶平板、交通安全、高端智能装备等领域。公司于2021年末向上海微电子提供了光刻机用的定位光栅产品，该器件是光刻机产品的重要部件。
炬光科技
公司主营业务为激光产业上游元器件。公司成立于2007年9月，主要从事光子产业链上游的高功率半导体激光元器件和原材料、激光光学元器件的研发、生产和销售，主要产品为半导体激光业务典型产品、激光光学业务典型产品、汽车应用业务典型产品、光学系统业务典型产品。目前正在积极拓展光子产业链中游的光子应用模块、模组、子系统业务，下游重点布局消费电子、汽车应用、泛半导体制程、医疗健康等领域。公司为上海微电子提供了半导体激光退火系统以及核心元器件。
双工作台
华卓精科
华卓精科深耕纳米精度运动及测控系统等半导体设备产业。华卓精科2012年5月创立于北京，深耕纳米精度运动及测控系统等半导体设备产业，公司业务涵盖纳米精度运动及测控系统、超精密测控装备整机及大部分超精密测控装备部件产品等领域，并均处于国内前沿。公司是国内首家自主研发并实现光刻机双工件台商业化生产的企业。光刻机双工件台是芯片制造IC前道光刻机的核心部件之一，可实现对准和光刻同步进行，极大地提高了光刻机的精度和生产效率。公司生产的光刻机双工件台采用了宏-微叠层驱动的技术方案，由磁悬浮驱动。双工作台产品分为DWS系列和DWSi系列，其中DWS系列双工件台主要适用于干式光刻机，已投产。DWSi系列双工件台适用于浸没式光刻机，正在研发中。公司是上海微电子双工件台产品及技术开发的供应商。
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参考资料：
财通证券：光刻为半导体设备之巅，冰山峰顶待国产曙光
中泰证券：光刻机行业报告：从0到1，星辰大海
