半导体周报(国科龙晖整理)-1029

一、行业动态及新闻：

1、半导体设计：

《科创板日报》18日讯，三星电子已确认将其HBM3E产品命名为 "Shinebolt"。据行业消息人士透露，三星正在向客户发送HBM3E产品Shinebolt样品，以进行质量认证测试。该样品为8 层24千兆比特芯片，据说很快将完成12层36千兆比特产品开发。Shinebolt最大数据传输速度（带宽）比HBM3高约50%，达1.228太字节（TB）。

2、半导体设备：

【ASML：1980Di可向绝大多数中国大陆客户出口】《科创板日报》19日讯，ASML（阿斯麦）首席执行官Peter Wennink今晚在2023Q3业绩电话会上表示，“1980Di原则上将受出口管制限制，但仅当用于先进半导体制造时，仅适用于少数应用。这意味着1980Di仅对少数晶圆厂禁止出口，但可向绝大多数应用于次关键和成熟制程的中国大陆客户直接出口，无需许可。”

3、半导体制造及封测：

《科创板日报》20日讯，在2023世界VR产业大会上，京东方副总裁陈小川透露，位于北京的京东方第6代新型半导体显示器件生产线项目，主要生产1850mm*1500mm的基板，技术方向为新型半导体显示技术（LTPS、LTPO），该项目总投资290亿元，2023年开工，预计2025年量产。

【台积电2024年7nm以下代工报价将再涨3~6% 英伟达、联发科、AMD等已接受涨幅】《科创板日报》19日讯，台积电近期已向多家客户释出2024年代工报价策略，按订单规模，7nm以下代工报价将再涨3~6%，16nm以上则大多维稳；除部分规模较大订单或有其他先进制程订单搭配的大客户，提供销售折让外，牌价大致上暂时无明显调整计划。半导体厂商表示，英伟达、联发科、AMD等多家大厂已愿意接受涨幅。

《科创板日报》16日讯，业内消息人士透露，三星高管已批准三星西安NAND工厂的NAND工艺升级，并已开始广泛的扩张工作。三星已开始为此采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付。三星西安工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，三星计划2024年在西安工厂陆续引进可生产236层（第8代）NAND的设备。

《科创板日报》16日讯，台积电将在熊本第二工厂量产6纳米芯片，总投资额约为2万亿日元，日本经济产业省考虑最多提供9000亿日元左右的资金支援。台积电自2022年4月开始在熊本建设半导体第一工厂。生产尖端产品的第二工厂预计2024年夏季之前动工，2027年开始量产，力争每月量产6万个左右，预计量产线宽6纳米和12纳米的运算用逻辑半导体，计划销售给索尼集团等。

4、其他：

《科创板日报》20日讯，郭明錤在社交平台表示，汇顶科技（Goodix）将替代艾迈斯半导体（AMS），成为华为公司新的环境光传感器（ALS）的供应商，预估该公司2024年在光学指纹业务会出现强劲增长。他还表示，汇顶科技将会替代恩智浦半导体（NXP），成为OPPO公司的独家NFC芯片供应商，且在2024年会成为vivo超声波指纹传感器的第二供应商，打破高通的垄断地位。

财联社10月17日电，拜登政府10月17日更新了针对人工智能（AI）芯片的出口管制规定，计划阻止英伟达等公司向中国出口先进的AI芯片。根据最新的规则，英伟达包括A800和H800在内的芯片对华出口都将受到影响。新规将在向公众征求30天意见后生效。这些限制还将影响AMD和英特尔等公司向中国销售的芯片，包括应用材料公司、泛林集团和KLA等芯片设备厂商也受牵连。这是由于新措施扩大了向中国以外的另外40多个国家出口先进芯片的许可要求，并对中国以外的21个国家提出了芯片制造工具的许可要求，扩大了禁止进入这些国家的设备清单。此外，新措施还旨在防止企业通过Chiplet的芯片堆叠技术绕过芯片限制。

二、本周话题——半导体制造之薄膜沉积

芯片是由一系列有源和无源电路元件堆叠而成的 3D 结构，薄膜沉积是芯片前道制造的核心工艺之一。从芯片截取横截面来看，芯片是由一层层纳米级元件堆叠而成，所有有源电路元件（例如晶体管、存储单元等）集中在芯片底部，另外的部分由上层的铝/铜互连形成的金属层及各层金属之间的绝缘介质层组成。芯片前道制造工艺包括氧化扩散、薄膜沉积、涂胶显影、光刻、离子注入、刻蚀、清洗、检测等，薄膜沉积是其中的核心工艺之一，作用是在晶圆表面通过物理/化学方法交替堆叠 SiO2、SiN 等绝缘介质薄膜和 Al、Cu 等金属导电膜等，在这些薄膜上可以进行掩膜版图形转移（光刻）、刻蚀等工艺，最终形成各层电路结构。由于制造工艺中需要薄膜沉积技术在晶圆上重复堆叠薄膜，因此薄膜沉积技术可视为前道制造中的“加法工艺”。